唑-3-基)苯基)-1, 3，4-噁二唑，所述铁盐为氯化铁、溴化铁或硫化铁；所述电子束蒸镀的能量密度为10 ?100W/cm2 ；
[0022]在所述三元掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备金属掺杂层，所述金属掺杂层的材质为功函数为-2.0eV?-3.5eV的低功函数金属和功函数为_4.0eV?-5.5eV的高功函数金属按质量比为5:1?20:1的比例形成的混合材料；
[0023](3)在所述电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备阴极，得到所述有机电致发光器件。
[0024]优选地，所述功函数为-2.0eV?_3.5eV的低功函数金属为镁、锶、钙或镱，所述功函数为-4.0eV?-5.5eV的高功函数金属为银、招、钼或金。
[0025]优选地，所述三兀掺杂层的厚度为和金属掺杂层的厚度为30?80nm,所述金属掺杂层的厚度为5?30nm。
[0026]优选地，所述二氧化钛为市售二氧化钛(T12),粒径在20?lOOnm。
[0027]采用电子束蒸镀的方法制备三元掺杂层时，蒸镀原料为双极性有机材料、铁盐和二氧化钛按质量比为20:5:1?30:20:1的比例形成的混合材料。
[0028]优选地，采用磁控溅射制备所述阳极时，加速电压为300?800V，磁场为50?200G，功率密度为I?40W/cm2。
[0029]优选地，所述空穴注入层和阴极层的热阻蒸镀条件均为:压强为5X10_5Pa?2 X ICT3Pa,蒸镀速率为I?10nm/s。
[0030]优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为:压强为5 X 10 5Pa ?2 X 10 3Pa,蒸镀速率为 0.1 ?lnm/s。
[0031]优选地，所述清洗后干燥的操作为将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
[0032]优选地，所述导电阳极为铟锡氧化物(IT0)、铝锌氧化物(AZO)和铟锌氧化物玻璃(IZO)中的一种，厚度为50?300nm，更优选地，所述导电阳极为IT0，厚度为105nm。
[0033]优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)和五氧化二钒(V2O5)中的一种，厚度为20?80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3,厚度为38nm。
[0034]优选地，所述空穴传输层的材质为1，1_ 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(了八?0、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)中的一种，所述空穴传输层的厚度为20?60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为28nm。
[0035]优选地，所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4 '-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ -联苯(BCzVBi )和8-羟基喹啉铝(Alq3)中的一种，厚度为5?40nm,更优选地,所述发光层的材质为BCzVBi,厚度为16nm。
[0036]优选地，所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、3_(联苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)和N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的一种，厚度为40?250nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TPBI，厚度为130nm。
[0037]优选地，所述阴极层的材质为(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)，所述阴极层的厚度为80?250nm,更优选地,所述阴极层的材质为Ag,厚度为120nm。
[0038]本发明电子注入层包括依次层叠的三元掺杂层和金属掺杂层，三元掺杂层由双极性有机材料、铁盐以及二氧化钛组成，双极性有机材料具有传输空穴与传输电子的作用，可提高电子的传输速率，同时，降低与相邻层之间的电子注入势垒，提高其电子注入效率，铁盐有大量的游离电子，可加强电子的传输速率，提高器件的导电性，二氧化钛比表面积大，孔隙率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间；金属掺杂层由低功函数金属与高功函数金属组成，低功函数金属比较活泼，自由电子较多，传输较快，因此，有利于提高电子的传输速率，同时可降低电子从阴极到金属掺杂层的注入势垒，有利于电子的注入，提高电子注入能力，而高功函数金属与金属阴极的功函数相接近，因此，可降低与阴极的电子注入势垒，同时，高功函数金属不活泼，可以提高电子注入层的稳定性，这种方法有利于提高器件的发光效率。
[0039]本发明电子注入层的制备方法工艺简单，成本低。
[0040]实施本发明实施例，具有以下有益效果:
[0041](I)本发明提供的电子注入层提高了有机电致发光器件的发光效率；
[0042](2)本发明提供的电子注入层的制备方法，工艺简单，成本低。
【附图说明】
[0043]为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0044]图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
[0045]图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
【具体实施方式】
[0046]下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0047]实施例1
[0048]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0049](I)先将市售的普通玻璃依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇,异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备厚度为105nm的ΙΤ0，磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm2;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；其中，
[0050]空穴注入层的材质为MoO3,蒸镀时采用的压强8 X 1-4Pa,蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为38nm ；
[0051]空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为8X 10_4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为28nm ；
[0052]发光层的材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为8 X 10_4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为16nm ；
[0053]电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为8X 10_4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为130nm ；
[0054](2)制备电子注入层；
[0055]在电子传输层上米用电子束蒸镀的方法制备厚度为80nm的三兀掺杂层，三兀掺杂层的材质为TRZ4、FeCl3和T12按照质量比为26:10:1形成的混合材料，蒸镀原料中的T12选自市售T12，粒径为30nm ;电子束蒸镀能量密度为40W/cm2 ；
[0056]然后在三元掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为15nm的金属掺杂层，金属掺杂层的材质为Mg和Ag按质量比10:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强8 X 1-4Pa,蒸镀速率为2nm/s ；
[0057](3)在电子注入层上制备阴极，得到有机电致发光器件，阴极的材质为Ag，厚度为120nm，蒸镀时采用的压强8X 10_4Pa，蒸镀速率为2n