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[0058]图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底1、导电阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7和阴极8,电子注入层7包括依次层叠的三兀掺杂层71和金属掺杂层72。具体结构表不为:
[0059]玻璃/1T0/Mo03/TCTA/BCzVBi/TPBi/TRZ4:FeCl3:T12 (26:10:1) /Mg:Ag (10:1)/Ag，其中，斜杠“/”表示依次层叠，TRZ4:FeCl3:Ti(^PMg:Ag中的冒号“:”表示混合，26:10:1和10:1表不前者和后者的质量比,后面实施例中各个符号表不的意义相同。
[0060]实施例2
[0061]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0062](I)先将市售的普通玻璃依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备厚度为300nm的ΙΖ0，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；其中，
[0063]空穴注入层的材质为WO3,蒸镀时采用的压强2X 10_3Pa，蒸镀速率为10nm/S，蒸镀厚度为20nm ；
[0064]空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为2X 10_3Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为45nm ；
[0065]发光层的材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2X10_3Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为1nm ；
[0066]电子传输层的材质为TAZ,蒸镀时采用的压强为2X 10_3Pa,蒸镀速率为lnm/s,蒸镀厚度为65nm ；
[0067](2)制备电子注入层；
[0068]在电子传输层上米用电子束蒸镀的方法制备厚度为30nm的三兀掺杂层，三兀掺杂层的材质为2，6DcZppy、FeBrdP T12按照质量比为20:5:1形成的混合材料，蒸镀原料中的T12选自市售T12，粒径为10nm ;电子束蒸镀能量密度为lOOW/cm2 ；
[0069]然后在三元掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为5nm的金属掺杂层，金属掺杂层的材质为Sr和Al按质量比5:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强2X10_3Pa，蒸镀速率为10nm/s ；
[0070](3)在电子注入层上制备阴极，得到有机电致发光器件，阴极的材质为Al，厚度为80nm，蒸镀时采用的压强2 X10_3Pa，蒸镀速率为lOnm/s。
[0071]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，电子注入层包括依次层叠的三兀掺杂层和金属掺杂层。具体结构表不为:
[0072]玻璃/IZ0/W03/TAPC/ADN/TAZ/2, 6Dczppy: FeBr3: T12 (20:5:1) /Sr: A1/A1。
[0073]实施例3
[0074]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0075](I)先将市售的普通玻璃依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备厚度为180nm的IT0，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为IW/cm2;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；其中，
[0076]空穴注入层的材质为V2O5，蒸镀时采用的压强5X10_5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚度为40nm ；
[0077]空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5X 10_5Pa，蒸镀速率为0.lnm/s,蒸镀厚度为20nm ；
[0078]发光层的材质为Alq3,蒸镀时采用的压强为5X 10_5Pa,蒸镀速率为0.lnm/s,蒸镀厚度为40nm ；
[0079]电子传输层的材质为Bphen,蒸镀时采用的压强为5X 10_5Pa,蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为40nm ；
[0080]( 2)制备电子注入层；
[0081]在电子传输层上米用电子束蒸镀的方法制备厚度为40nm的三兀掺杂层，三兀掺杂层的材质为p-TPAm-NTAZ、Fe2S3和T12按照质量比为30:20:1形成的混合材料，蒸镀原料中的T12选自市售T12，粒径为20nm ;电子束蒸镀能量密度为lOW/cm2 ；
[0082]然后在三元掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为15nm的金属掺杂层，金属掺杂层的材质为Ca和Au按质量比20:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强5 X 10_5Pa，蒸镀速率为lnm/s ；
[0083](3)在电子注入层上制备阴极，得到有机电致发光器件，阴极的材质为Pt，厚度为250nm，蒸镀时采用的压强5X 10_5Pa，蒸镀速率为lnm/s。
[0084]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，电子注入层包括依次层叠的三兀掺杂层和金属掺杂层。具体结构表不为:
[0085]玻璃/IT0/V205/TCTA/Alq3/Bphen/p-TPAm-NTAZ:Fe2S3:Ti02 (30:20:1)/Ca:Au(20:1)/Pt。
[0086]实施例4
[0087]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0088](I)先将市售的普通玻璃依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇,异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备厚度为50nm的ΑΖ0，磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；其中，
[0089]空穴注入层的材质为MoO3,蒸镀时采用的压强2X 10_4Pa，蒸镀速率为6nm/s，蒸镀厚度为80nm ；
[0090]空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2X 10_4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为60nm ；
[0091]发光层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为2X10_4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为5nm ；
[0092]电子传输层的材质为Bphen,蒸镀时采用的压强为2X 10_4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为250nm ；
[0093](2)制备电子注入层；
[0094]在电子传输层上米用电子束蒸镀的方法制备厚度为80nm的三兀掺杂层，三兀掺杂层的材质CzOXD、FeCl3和T12按照质量比为15:8:1形成的混合材料，蒸镀原料中的T12选自市售T12，粒径为50nm ;电子束蒸镀能量密度为60W/cm2 ；
[0095]然后在三元掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为18nm的金属掺杂层，金属掺杂层的材质为Yb和Pt按质量比7:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强2X 10_4Pa，蒸镀速率为6nm/s ；
[0096](3)在电子注入层上制备阴极，得到有机电致发光器件，阴极的材质为Au，厚度为lOOnm，蒸镀时采用的压强2 X 10_4Pa，蒸镀速率为6nm/s。
[0097]本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光