(carrier) 1100。在实施例中，承载器1100包括核心层(core layer)(未图示)，其在附接至核心层的两个承载器导电层(未图示)之间。每一承载器导电层可由金属、金属合金、其中分散有金属或金属合金的基质，或另一适宜的导电材料形成。举例而言，每一承载器导电层可包括由铜或包括铜的合金形成的金属箔。金属箔可具有介于约10 μm至约30 μm的范围内的厚度，例如是在约15 μπι至约25 μπι的范围内。
[0086]承载器1100具有依上表面1102及下表面1104。导电层1103 (导电薄片1103)配置邻近于上表面1102，且导电层1105 (导电薄片1105)配置邻近于下表面1104。每一导电层1103及导电层1105可由金属、金属合金、其中分散有金属或金属合金的基质，或另一适宜的导电材料形成。举例而言，导电层1103及1105可包括由铜或包括铜的合金形成的可撕除的(releasable)金属箔。导电层1103及1105可通过离型层(未图示)附接至承载器1100。在实施例中，离型层是可为有机或无机的粘合层(adhesive layer)，例如胶带(tape)。此胶带(其可实施为单侧或双侧粘合胶带)以相对于彼此的适当间隔紧固组件，且允许对于配置邻近于承载器1100的组件实行后续制造操作。每一导电层1103及导电层1105可具有介于约2 μ m至约20 μ m的范围内的厚度，例如在约3 μ m至约5 μ m、约3 μ m至约10 μ m、约10 μ m至约20 μ m以及约15 μ m至约20 μ m的范围内。
[0087]接着，请参考图11B，在实施例中，阻障层1162可选择性地配置邻近导电层110，因此导电层1103位于承载器1100与阻障层1162之间。同样地，阻障层1164可选择性地配置邻近导电层1105，因此导电层1105位于承载器1100与阻障层1164之间。阻障层1162与阻障层1164可视为蚀刻终止层。每一阻障层可由金属、金属合金、其中分散有金属或金属合金的基质，或另一适宜的导电材料所形成。举例来说，每一阻障层可由钽、钨、铬、镍、金、锡、引线与/或包括至少上述一种的适当合金。于实施例中，阻障层可包括镍层与邻近的金层、或金层与邻近的镍层。于其他实施例中，阻障层可由锡引线合金与/或锡银合金所形成。每一阻障层的形成方法包括溅镀工艺、浸没法、电镀法与/或已知适当的方法。这些实施例中所利用的阻障层1162与阻障层1164会一直存在至于图1lX中被移除，请参考下述说明。
[0088]接着，请参考图11C，光致抗蚀剂材料(photoresist material)可形成邻近于导电层1103及1105。或者，光致抗蚀剂材料可形成邻近于阻障层1162及1164(请参考图11B) ο光致抗蚀剂材料可为干膜光致抗蚀剂(dry film photoresist)，或另一类型的可图案化层或介电层。光致抗蚀剂层1106及1108可通过涂覆、印刷或任何其他适当技术所形成。光致抗蚀剂层1106及1108的预定或选定部分可经光成像及显影以便形成开口，包括暴露出介电层1103的开口 1107a、1107b及暴露出介电层1105的开口 1109a、1109b。可使用光掩模(photomask)(未绘示)以光化学方式界定光致抗蚀剂层1106及1108。光成像(Photoimaging)或显影与用于在光致抗蚀剂层1106及1108中形成开口的其他方法相比可具有较低成本及缩短的工艺时间的优点。所得开口可具有若干形状中的任一者，包括圆柱形状，例如圆形圆柱形状、椭圆形圆柱形状、正方形圆柱形状，或矩形圆柱形状；或者非圆柱形状，诸如锥形、漏斗形或另一渐缩形状。亦预期所得开口的横向边界可弯曲或大致纹理化(textured)。
[0089]接着，请参考图11D，将导电材料应用于开口中，包括由光致抗蚀剂层1106所定义的开口 1107a、1107b及由光致抗蚀剂层1108所定义的开口 1109a、1109b，以形成从导电层1103垂直延伸的导电块1110及从导电层1105垂直延伸的导电块1111。或者，导电块1110可从阻障层1162(请参考图11B)垂直延伸，以及导电块1111可从阻障层1164(请参考图11B)垂直延伸。导电块1110及1111可由金属、金属合金、其中分散有金属或金属合金的基质，或其他适当的导电材料形成。举例而言，导电块1110及1111可包括铜或包括铜的合金之一或多层。可使用若干涂覆技术中的任一者形成导电块1110及1111，例如化学气相沉积(chemical vapor deposit1n)、无电电锻(electroless plating)、电解电锻(electrolytic plating)、印刷、旋涂(spinning)、喷涂(spraying)、派镀(sputtering)或真空沉积(vacuum deposit1n)。
[0090]接着，请参考图11E，可形成至少一阻障层1166与1168来替代先前图1lB所描述的阻障层1162与/或1164。阻障层1166与1168视为蚀刻终止层。可形成导电块1100的第一部分1110a。阻障层1166可透过溅镀法、浸没法、电镀法与/或已知适当的方法配置邻近第一部分1110a。导电块1110的第二部分IllOb可形成邻近阻障层1166，因此阻障层1166可位于第一部分IllOa与第二部分IllOb之间。阻障层1168可以类似方式形成于导电块1111的第一部分Illla与第二部分Illlb之间。阻障层1166与1168的形成材料可与阻障层1162与1164的形成材料相似，请参考上述图1lB的说明。
[0091]接着，请参考图11F，剥离光致抗蚀剂层1106及1108以暴露导电层1103及1105。接着，提供层1112。于实施例中，层1112可预先形成设置多个第一开口 1112a，以及这些第一开口 1112a的多个部分分别对应这些导电块1110所在的位置。可提供具有对应导电块1111所在位置的开口的相似层1114(请参考图11G)。于实施例中，层1112包括纤维加强型树脂材料(fiber-reinforced resin material)，例如是胶材，包括玻纤1190，来加强层1112。如图1lF所示，玻纤1190最初是沿着层1112的水平平面配置。当这些第一开口1112a，请参考图11F，部分延伸穿过层1112。预期的其他实施例中，这些第一开口 1112a亦可完全延伸穿过层1112。
[0092]接着，请参考图11G，层1112形成邻近于导电块1110及导电层1103的被暴露的部分。于实施例中，层1112对应且包括介电层218，请参考图2。类似地，层1114形成邻近于导电块1111及导电层1105被暴露出的部分。层1112及1114实质上分别覆盖导电层1103及1105，使得导电层1103及1105分别内嵌于层1112及1114中。在实施例中，层1112可通过将介电材料层压于导电块1110的每一者的上表面1120上以及导电层1103的暴露部分上而形成。类似地，层1114可通过将介电材料层压于导电块1111的每一者的上表面1121(针对制造操作而颠倒)上以及导电层1105的暴露部分上而形成。于实施例中，在层1112与1114堆叠后玻纤1190被定向，随着邻近沿着导电块1110与1111的垂直延伸方向延伸的导电块1110与1111的部分，且分别远离导电层1103与1105。
[0093]经层压的介电材料可由纤维加强型树脂材料及/或预浸体(prepreg，PP)制成以增加刚性。纤维可为玻璃纤维或克维拉纤维(Kevlar fibers)(酰胺纤维)。经层压的介电材料可由用纤维加强的膜形成。可由纤维加强以用于经层压的介电材料中的树脂材料的实例包括Ajinomoto增层膜(Ajinomoto build-up film，ABF)、双马来酰亚胺三嘆(bismaleimide triazine, BT)、聚酰亚胺(polyimide, PI)、液晶聚合物(liquid crystalpolymer, LCP)、环氧树脂，及其他树脂材料。树脂材料可部分固化。在实施例中，经层压的介电材料经预成型以在对应于导电块1110或导电块1111的位置处界定开口。
[0094]或者，层1112及1114可由未加强的较不具刚性的材料形成，诸如焊料掩模(阻焊剂)、包括(但不限于)味之素(Ajinomoto)增层膜(ABF)、双马来酰亚胺三嗪(BT)、聚酰亚胺(PI)、液晶聚合物(LCP)及环氧树脂的树脂材料，或另一类型的可图案化层或介电层。可使用若干涂覆技术中的任一者施加此材料，诸如印刷、旋涂或喷涂。
[0095]层1112及1114接着分别由导电层1116及1117覆盖。导电层1116及1117可由与用于形成导电层1103及1105的材料类似的材料形成。导电层1116及1117中的每一者可具有介于约10 μm至约20 μm的范围内的厚度，例如在约10 μπι至约15 μπι的范围内。
[0096]接着，请参考图11Η，例如通过闪蚀(flash etching)移除每一导电层1116及1117的一部分，以形成导电层1122及1123。每一导电层1122及1123可具有介于约3 μπι至约10 μ m的范围内的厚度，例如在约3 μπι至约7 μπι的范围内。
[0097]接着，请参考图111，在导电层1122中形成暴露层1112的开口 1124a及1124b以形成导电层1128。类似地，在导电层1123中形成暴露层1114的开口 1126a及1126b以形成导电层1129。预期的开口 1124及1126可分别具有小于导电块1110及1111的宽度。或者，开口 1124及1126可分别具有实质上相等于导电块1110及1111的宽度。于实施例中，可图案化导电层1128及1128的部分(未绘示)已形成至少一接地层1250(请参考图12及13)的一部分。可以若干方式中的任一者实行图案化以形成层1128及1129，诸如化学蚀亥IJ、激光钻孔或机械钻孔，且所得开口可具有若干形状中的任一者，诸如圆柱形状，诸如圆形圆柱形状、椭圆形圆柱形状、正方形圆柱形状，或矩形圆柱形状；或者非圆柱形状，诸如锥形、漏斗形或另一渐缩形状。亦预期所得开口的横向边界可弯曲或大致纹理化。
[0098]接着，请参考图11H，在层1112中形成暴露导电块1110的开口 1130a及1130b以形成层1134。类似地，在层1114中形成暴露导电块1111的开口 1132a及1132b以形成层1136。预期的开口 1130及1132可分别对应开口 1124及1126的尺寸(请参考图111)。于实施例中，可图案化层1112及111