形成在半透射金属层120b的下部上的透明导电氧化物 层120a可以加强（例如，增大）第一层间绝缘层15-1与像素电极120之间的粘附力。形成 在半透射金属层120b的上部上的透明导电氧化物层120c可以用作保护半透射金属层120b 的阻挡层。
[0066] 由可还原性高的金属（诸如银（Ag))形成的半透射金属层120b会造成在蚀刻像 素电极120的工艺中析出银（Ag)颗粒的问题。析出的银（Ag)颗粒可以为造成暗斑的颗粒 缺陷因素。在源电极216a、漏电极216b、垫电极416和/或布线在蚀刻包括银（Ag)的像素 电极120的工艺中被暴露于蚀刻剂的情况下，可还原性高的银（Ag)离子会从这些金属材料 获得电子，并且会作为银（Ag)颗粒再析出。然而，在根据本实施例的有机发光显示设备1 中，源电极216a、漏电极216b和垫电极416被保护层418保护，因此这些层没有暴露于蚀刻 剂，从而防止或减少由银（Ag)颗粒的再析出导致的颗粒缺陷。
[0067] 包括有机发射层121的中间层形成在像素电极120上，通过形成在第一有机层20 中的开口 C8暴露中间层的上表面（例如，整个上表面）。有机发射层121可以由低分子量 有机材料或聚合物有机材料形成。
[0068] 当有机发射层121由低分子量有机材料形成时，中间层还可以包括空穴传输层 (HTL)、空穴注入层（HIL)、电子传输层（ETL)和/或电子注入层（EIL)。中间层还可以如期 望的那样包括各种层。可以使用诸如铜酞菁（CuPc)、Ν，Ν' -二（萘-1-基）-N，Ν' -二苯基 联苯胺（ΝΡΒ)和/或三-8-羟基喹啉铝（Alq3)的各种有机材料。
[0069] 当有机发射层121由聚合物有机材料形成时，中间层还可以包括空穴传输层 (HTL)。HTL可以包括聚-(3,4)-乙撑二氧噻吩（PED0T)或聚苯胺（PANI)等。在该实施例 中，聚合物有机材料的示例包括聚苯撑乙烯撑（PPV)类聚合物有机材料和聚芴类聚合物有 机材料等。无机层还可以设置在有机发射层121与像素电极120之间以及有机发射层121 与对电极122之间。
[0070] 虽然，在图2中，有机发射层121位于开口 C8中，但本发明不限于此。有机发射层 121可以位于开口 C8内侧，并且还可以沿着形成在第一有机层20中的开口 C8的蚀刻面延 伸到第一有机层20的上表面。
[0071] 对多个像素公共地形成的对电极122形成在有机发射层121上。在根据本实施例 的有机发光显示设备1中，像素电极120用作阳极，对电极122用作阴极。电极的极性也可 以转换。
[0072] 对电极122可以是包括反射材料的反射电极。在该实施例中，对电极122可以包 括至少一种材料，例如，Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和/或LiF/Al。因为对电极122被构造为反 射电极，所以从有机发射层121发射的光被对电极122反射并经过由半透射材料形成的像 素电极120而朝着基底10射出。
[0073] 包括第一电极314和第二电极316的电容器设置在电容器区域CAP1中。
[0074] 仅第一层间绝缘层15-1 ( 即，无机膜）设置在第一电极314与第二电极316之间 作为电容器的介电膜。例如，第二层间绝缘层15-2没有设置在第一电极314与第二电极 316之间。开口 C5与电容器的第一电极314对应地形成在作为有机层的第二层间绝缘层 15-2中。第二电极316形成在开口 C5的内部。第二电极316的下表面接触第一层间绝缘 层15-1的上表面。因此，减小了介电膜的厚度，从而增大了本实施例的电容器的电容。
[0075] 第一电极314可以由与栅电极214的材料相同的材料形成。第二电极316可以由 与源电极216a和漏电极216b的材料相同的材料形成。
[0076] 保护层418形成在第二电极316上。当利用保护层418作为掩模来蚀刻像素电极 120时，保护层418防止电容器的第二电极316暴露于蚀刻剂，从而防止或减少颗粒缺陷。
[0077] 利用同一（例如，单个）掩模来蚀刻保护层418和第二电极316,从而保护层418 和第二电极316的端部的蚀刻面可以相同。
[0078] 在垫区域PAD1中，作为用于外部驱动器的连接端子的垫电极416设置在显示区域 DA的周边（例如，沿着显示区域DA的周边设置）。
[0079] 垫电极416设置在第二层间绝缘层15-2上，垫电极416的端部被第一有机层20 覆盖。
[0080] 垫电极416由与源电极216a和漏电极216b的材料相同的材料形成。保护层418 形成在垫电极416上。当利用保护层418作为掩模来蚀刻像素电极120时，保护层418防 止垫电极416暴露于蚀刻剂，从而防止或减少颗粒缺陷。另外，保护层418防止垫电极416 暴露于湿气和氧，从而防止或减少垫PAD的可靠性的劣化。
[0081] 利用同一（例如，单个）掩模来蚀刻保护层418和垫电极416,从而保护层418和 垫电极416的端部的蚀刻面可以相同。
[0082] 对电极122不是针对每个像素独立地形成，而是形成为覆盖整个显示区域DA(见 图1)的共电极。阴极接触部CECNT形成在显示区域DA的周边（例如，沿着显示区域DA的 周边形成）以将信号供应给共电极。
[0083] 虽然阴极接触部CECNT在图1中位于显示区域DA与垫PAD之间，但本发明不限于 此。阴极接触部CECNT可以布置在显示区域DA与密封线SL之间的任何位置处。
[0084] 图4是根据本发明的实施例的有机发光显示设备1的阴极接触部CECNT的部分的 示意性剖视图。
[0085] 布线514形成在基底10上、缓冲层11上以及栅极绝缘层13上。布线514可以是 结合到（例如，连接到）扫描线的信号布线。
[0086] 第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2形成在布线514上。阴极接触层 516形成在第二层间绝缘层15-2上。
[0087] 阴极接触层516可以由与源电极216a和漏电极216b的材料相同的材料形成。
[0088] 保护层418形成在阴极接触层516上。保护层418防止在蚀刻像素电极120时阴 极接触层516暴露于蚀刻剂，从而防止或减少颗粒缺陷。
[0089] 对电极122通过形成在第一有机层20中的接触孔C10电结合到阴极接触层516。 对于具有相对大的屏幕的有机发光显示设备1，增大阴极接触部CECNT的面积可以有利于 减少因向电极供应电力而产生的热。当阴极接触部CECNT的面积增大时，存在阴极接触层 516与形成在阴极接触层516的下部上的布线514叠置的区域。当布线514的厚度相对大 时，在叠置区域中的布线514与阴极接触层516之间会发生短路。然而，在本实施例中，作 为有机层的第二层间绝缘层15-2和作为无机层的第一层间绝缘层15-1设置在布线514与 阴极接触层516之间，从而可以防止或减少布线514与阴极接触层516之间的短路。
[0090] 根据本实施例的有机发光显示设备1还可以包括包封构件，其中，包封构件包封 包括像素区域PXL1、电容器区域CAP1和薄膜晶体管区域TR1的显示区域。包封构件可以形 成为基底，所述基底包括玻璃材料、金属膜或通过交替设置有机绝缘膜和无机绝缘膜而形 成的包封膜等。
[0091] 在下文中，将参照图3A至图3G来说明根据实施例的制造有机发光显示设备1的 方法。
[0092] 图3A是用来说明根据本发明的实施例的制造有机发光显示设备1的第一工艺的 示意性剖视图。
[0093] 参照图3A，在基底10上形成缓冲层11，在缓冲层11上形成半导体层，然后将半导 体层图案化以形成薄膜晶体管的有源层212。
[0094] 在半导体层上涂覆光致抗蚀剂，然后利用第一光掩模通过光刻来使半导体层图案 化以形成有源层212。使用光刻的第一工艺包括通过曝光设备使第一光掩模曝光、显影、蚀 亥IJ、剥离和灰化等。
[0095] 半导体层可以包括非晶硅或多晶硅。在一个实施例中，可以通过使非晶硅结晶来 形成多晶硅。可以通过使用各种方法使非晶硅结晶，诸如快速热退火（RTA)法、固相结晶化 (SPC)法、受激准分子激光退火（ELA)法、金属诱导结晶化（MIC)法、金属诱导侧向结晶化 (MILC)法以及依序侧向凝固（SLS)法。在一些实施例中，半导体层不限于包括非晶硅或多 晶硅，而且还包括氧化物半导体。
[0096] 图3B是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示设备1的第二工艺的示意 性剖视图。
[0097] 在如图3A中所示完成第一工艺后，形成栅极绝缘层13,在栅极绝缘层13上形成