第一金属层，然后将第一金属层图案化。第一金属层可以由至少一种金属（例如，铝（A1)、 铂（Pt)、钯（Pd)、银（Ag)、镁（Mg)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙 (Ca)、钼（Mo)、钛（Ti)、钨（W)和/或铜（Cu))以单层结构形成或者形成为多层结构。
[0098] 当完成图案化工艺时，栅电极214和电容器的第一电极314形成在栅极绝缘层13 上。
[0099] 然后，在完成图案化工艺的结构上掺杂离子杂质。离子杂质可以是B (硼）离子或 P (磷）离子，并且以大约1 X 1〇15原子/cm 2或更多的浓度用离子杂质掺杂薄膜晶体管的有 源层212。
[0100] 因为通过利用栅电极214作为自对准掩模来使有源层212被离子杂质掺杂，所以 有源层212包括掺杂有离子杂质的源极区域212a和漏极区域212b以及位于源极区域212a 与漏极区域212b之间的沟道区域212c。
[0101] 图3C是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示设备1的方法的第三工艺 的示意性剖视图。
[0102] 在如图3B中所示完成第二工艺后，形成第一层间绝缘层15-1，然后在第一层间绝 缘层15-1上形成半透射金属层。然后，将半透射金属层图案化以形成像素电极120。
[0103] 第一层间绝缘层15-1可以由氮化硅和/或氧化硅以单层形成或者形成为多层结 构。
[0104] 图3D是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示设备1的第四工艺的示意 性剖视图。
[0105] 将第三工艺中形成的第一层间绝缘层15-1图案化，以形成分别暴露有源层212的 源极区域212a和漏极区域212b的开口 C3和C4。
[0106] 图3E是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示设备1的第五工艺的示意 性剖视图。
[0107] 参照图3E，在如图3D中所示完成第四工艺后，形成第二层间绝缘层15-2并且将 在第四工艺中形成的开口 C3和C4图案化，以使开口 C3和C4延伸（例如，延伸穿过第二层 间绝缘层15-2)。此时（例如，同时或在同一工艺期间），将第二层间绝缘层15-2图案化以 形成开口 C1和C5,开口 C1暴露像素电极120的上表面，开口 C5暴露第一层间绝缘层15-1 的与电容的第一电极314对应的某些部分。
[0108] 第二层间绝缘层15-2可以由有机绝缘膜形成，其中，有机绝缘膜包括例如商业的 聚合物（PMMA和/或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳 醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们 的共混物。
[0109] 图3F是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示设备1的第六工艺的示意 性剖视图。
[0110] 参照图3F，在如图3E中所示完成第五工艺后，顺序地沉积第二金属层和透明导电 氧化物层并且将第二金属层和透明导电氧化物层图案化，以同时形成源电极216a、漏电极 216b、电容器的第二电极316和垫电极416。
[0111] 第二金属层可以包括电子迀移率不同的两个或更多个金属层。例如，第二金属 层可以包括两个或更多个金属层，所述两个或更多个金属层包括例如铝（A1)、铂（Pt)、钯 (Pd)、银（Ag)、镁（Mg)、金（Au)、镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)、钼 (Mo)、钛（Ti)、钨（W)、铜（Cu)和/或它们的合金。
[0112] 在该实施例中，在源电极216a、漏电极216b、电容器的第二电极316以及垫电极 416上形成通过对透明导电氧化物层进行图案化而形成的保护层418。因为第二金属层和 透明导电氧化物层被同时图案化，所以源电极216a、漏电极216b、电容器的第二电极316以 及垫电极416的每个端部与形成在其上的保护层418的端部具有相同的蚀刻面。
[0113] 图3G是示出根据本发明的实施例的制造有机发光显示设备1的第七工艺的示意 性剖视图。
[0114] 参照图3G，在图3F中所示完成第六工艺后，执行第七工艺，在第七工艺中，形成第 一有机层20并且将第一有机层20图案化，以形成暴露像素电极120的上表面的开口 C8和 暴露垫电极416的上部的开口 C7。
[0115] 第一有机层20用作像素限定层，并且可以例如由有机绝缘膜来形成，其中，有机 绝缘膜包括商业的聚合物（PMMA和/或PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰 亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚 合物和/或它们的共混物。
[0116] 根据在此提供的有机发光显示设备1的实施例和制造有机发光显示设备1的方 法，像素电极120包括半透射金属层120b，从而微腔结构可以改善有机发光显示设备1的发 光效率。
[0117] 此外，通过使用第一有机层20覆盖源电极216a或漏电极216b，源电极216a或漏 电极216b不被暴露于包括银（Ag)离子的蚀刻剂，从而可以防止或减少由银（Ag)的再成核 导致的颗粒型缺陷。
[0118] 另外，在栅电极214与源电极216a之间以及栅电极214与漏电极216b之间包括 作为无机层的第一层间绝缘层15-1以及作为有机层的第二层间绝缘层15-2,使得即使在 栅电极214和布线的厚度相对大时，也可以防止或减少第一层间绝缘层15-1中的裂纹，并 且可以减小位于第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2的上部和下部上的布线之间 的寄生电容，以准确地传输信号。
[0119] 此外，仅将作为无机膜的第一层间绝缘层15-1设置在第一电极314与第二电极 316之间作为电容器的介电膜，从而可以减小介电膜的厚度并且可以增大其介电常数，从而 增大电容器的电容。
[0120] 图5A至图5C示出根据本发明的另一个实施例的制造有机发光显示设备1的方 法。
[0121] 图5A示出第五工艺的另一个实施例，图5B示出第六工艺的另一个实施例，图5C 示出第七工艺的另一个实施例。
[0122] 参照图5A，在图3D中所示完成第四工艺后，形成第二层间绝缘层15-2并且将第二 层间绝缘层15-2图案化，以使在第四工艺中形成的开口 C3和C4延伸。此外，将第二层间 绝缘层15-2图案化以形成开口 C5,其中，开口 C5暴露第一层间绝缘层的与电容器的第一电 极314对应的一些部分。
[0123] 根据第五工艺的另一个实施例，取代形成暴露像素电极120的上表面的开口 C1， 将第二层间绝缘层15-2图案化为具有位于像素电极120的上表面上的一定厚度的第二层 间绝缘层15-2,并且形成开口 C11，因此，在该实施例中，没有暴露像素电极120的上表面。
[0124] 参照图5B，在图5A中所示完成第五工艺后，以与图3F中的第六工艺相同或基本 相同的方式顺序地沉积第二金属层和透明导电氧化物层并且将第二金属层和透明导电氧 化物层图案化，从而同时形成保护层418以及源电极216a、漏电极216b、电容器的第二电极 316和垫电极416。
[0125] 参照图5C，在图5B中所示完成第六工艺后，执行第七工艺，在第七工艺中，形成第 一有机层20并且将第一有机层20图案化，以形成暴露像素电极120的上表面的开口 C8和 暴露垫电极416的上部的开口 C7。在该实施例中，将在图5A中示出的第五工艺中留在（例 如，保留在）像素电极120的上表面上的一定厚度的第二层间绝缘层15-2与第一有机层20 一起去除。
[0126] 根据这里提供的制造方法，当蚀刻源电极216a和漏电极216b时，没有暴露像素电 极120,并且第二层间绝缘层15-2保护像素电极120。就这一点而言，像素电极120的上表 面不会劣化，从而改善了显示设备的显示质量。
[0127] 图6是示出根据本发明的另一个实施例的有机发光显示设备2的发光像素和垫的 某些部分的示意性剖视图。
[0128] 参照图6,有机发光显示设备2包括：包括基底10上的至少一个有机发射层121的 像素区域PXL2、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区域TR2、包括至少一个电容器的电容 器区域CAP2以及垫区域PAD2。
[0129] 在下文中，将主要描述根据本发明的实施例的有机发光显示设备1与根据本发明 的另一个实施例的有机发光显示设备2之间的差异。
[0130] 晶体管区域TR2、电容器区域CAP2和垫区域PAD2的结构与之前描述的实施例的相 应结构相同或基本相同，但是像素区域PXL2的结构与之前描述的实施例的相应结构不同。
[0131] 像素