区域PXL2包括缓冲层11、栅极绝缘层13以及位于第一层间绝缘层15-1上的 像素电极120。像素电极120设置在开口中，其中，开口形成在没有与前述的薄膜晶体管和 电容器彼此叠置的区域中。
[0132] 形成在第一有机层20中的开口 C8的宽度大于形成在第二层间绝缘层15-2中的 开口 C1的宽度。形成在第一有机层20中的开口 C8和形成在第二层间绝缘层15-2中的开 口 C1被设置为彼此叠置。
[0133] 根据上述实施例，第一有机层20的端部位于形成在第二层间绝缘层15-2中的开 口 C1中。然而，根据另一个实施例，第一有机层20的端部位于形成在第二层间绝缘层15-2 中的开口 C1的外部（例如，不在开口 C1中）。因此，第一有机层20的端部没有与像素电极 120接触。
[0134] 包括有机绝缘材料的第一有机层20具有高吸收系数，因此，在制造工艺中会发生 影响有机发光装置的寿命的排气（outgassing)。
[0135] 图7是示出第一有机层20的空气暴露时间与吸水率之间的关系的曲线图。X轴表 不第一有机层20的空气暴露时间，Y轴表不第一有机层20的吸水率。在该实施例中，第一 有机层20采用聚酰亚胺。
[0136] 参照图7,发现，在包括聚酰亚胺的第一有机层20暴露于空气之后经过大约10分 钟之后，保持大约1 %的吸水率。当第一有机层20的吸水率相对大时，第一有机层20会受 排气的影响很大。
[0137] 然而，根据本发明的实施例，第一有机层20仅形成在形成于第二层间绝缘层15-2 中的开口 C1的外部，因此，减小了第一有机层20的接触有机发射层121的面积。就此而言， 可以减少排气影响。
[0138] 如上所述，根据上面的示例性实施例中的一个或更多个，改善了有机发光显示设 备的显示质量和良率。
[0139] 应该理解的是，这里描述的示例性实施例应该被考虑为仅描述性的含义而非出于 限制的目的。每个示例性实施例中的特征或方面的描述应该通常被考虑为可用于其它示例 性实施例中的其它相似的特征或方面。
[0140] 虽然已经参照附图描述了一个或更多个示例性实施例，但本领域技术人员将理解 的是，在不脱离权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以对此做出形式上和 细节上的各种变化。
【主权项】
1. 一种有机发光显示设备，其特征在于，所述有机发光显示设备包括： 基底； 薄膜晶体管，位于所述基底上，并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极； 第一层间绝缘层，位于所述栅电极与所述源电极之间并且位于所述栅电极与所述漏电 极之间，所述第一层间绝缘层包括无机材料； 第二层间绝缘层，位于所述第一层间绝缘层与所述源电极之间并且位于所述第一层间 绝缘层与所述漏电极之间，所述第二层间绝缘层包括有机材料； 第一有机层，位于所述源电极和所述漏电极上； 电容器，包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的所述第 一层间绝缘层，其中，所述第一电极包括与所述栅电极的材料相同的材料，所述第二电极包 括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料； 像素电极，位于所述第二层间绝缘层中的开口中，所述开口位于与所述薄膜晶体管和 所述电容器相邻的区域处，所述像素电极结合到所述源电极和所述漏电极中的一个电极； 有机发射层，位于所述像素电极上；W及 对电极，位于所述有机发射层上。2. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述像素电极是半透射电极， 所述对电极是反射电极。3. 如权利要求2所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述像素电极包括第一透明 导电氧化物层、半透射金属层和第二透明导电氧化物层。4. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述像素电极的端部位于所 述第一层间绝缘层上并且被所述第二层间绝缘层覆盖。5. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，设置有所述像素电极的所述 开口形成在所述第二层间绝缘层和所述第一有机层中。6. 如权利要求5所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述第二层间绝缘层中的所 述开口的直径大于所述第一有机层中的开口的直径。7. 如权利要求5所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述第二层间绝缘层中的所 述开口的直径小于所述第一有机层中的开口的直径。8. 如权利要求7所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述第一有机层的端部位于 所述第二层间绝缘层中的所述开口的外部。9. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述像素电极的下表面接触 所述第一层间绝缘层的上表面。10. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述栅电极的厚度在 6,000A到1某獄媒畫的范围内。11. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述电容器的所述第二电极 位于所述第二层间绝缘层中的另一个开口中。12. 如权利要求11所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述电容器的所述第二电 极的下表面接触所述第一层间绝缘层的上表面。13. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，保护层位于所述源电极上并 且位于所述漏电极上。14. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述有机发光显示设备还包 括： 垫电极，与所述源电极和所述漏电极位于同一层上。15. 如权利要求14所述的有机发光显示设备，其特征在于，保护层位于所述垫电极上。16. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述有机发光显示设备还包 括： 阴极接触层，位于所述第二层间绝缘层上，并且通过所述第一有机层中的接触开口接 触所述对电极。17. 如权利要求16所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述阴极接触层包括与所 述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。18. 如权利要求17所述的有机发光显示设备，其特征在于，保护层位于所述阴极接触 层上。19. 如权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述像素电极包括第一透明 导电氧化物层、半透射金属层和第二透明导电氧化物层。20. -种制造有机发光显示设备的方法，其特征在于，所述方法包括W下步骤： 第一工艺，包括在基底上形成半导体层，将所述半导体层图案化，从而形成薄膜晶体管 的有源层； 第二工艺，包括形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成第一金属层，将所述第一金 属层图案化W形成所述薄膜晶体管的栅电极和电容器的第一电极； 第=工艺，包括形成第一层间绝缘层，在所述第一层间绝缘层上形成半透射金属层，将 所述半透射金属层图案化W形成像素电极； 第四工艺，包括将所述第一层间绝缘层图案化W在所述第一层间绝缘层中形成开口W 暴露所述有源层的部分； 第五工艺，包括形成第二层间绝缘层，并且将所述第二层间绝缘层图案化W形成分别 暴露所述有源层的所述部分、所述像素电极的上部W及与所述电容器的所述第一电极对应 的第一层间绝缘层的开口； 第六工艺，包括形成第二金属层和保护层，并且将所述第二金属层和所述保护层图案 化，W形成源电极、漏电极、所述电容器的第二电极W及垫电极；W及 第屯工艺，包括形成第一有机层，并且将所述第一有机层图案化W形成分别暴露所述 像素电极的上部和所述垫电极的上部的开口。21. 如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述第一层间绝缘层包括无机膜，第二层 间绝缘层包括有机膜。22. 如权利要求20所述的方法，其特征在于， 在第五工艺中，将所述第二层间绝缘层图案化，使得所述第二层间绝缘层的一部分保 留在所述像素电极的上表面上，W及 在第屯工艺中，将所述第一有机层和所述第二层间绝缘层的保留部分图案化W暴露所 述像素电极的所述上表面。23. 如权利要求20所述的方法，其特征在于，在第屯工艺中，所述第一有机层的端部位 于所述第二层间绝缘层中的暴露所述像素电极的所述上部的开口的外部。
【专利摘要】提供了有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。所述有机发光显示设备包括：基底；薄膜晶体管(TFT)，位于基底上；第一层间绝缘层，位于TFT的栅电极与源电极之间并且位于TFT的栅电极与漏电极之间，并且包括无机材料；第二层间绝缘层，位于第一层间绝缘层与源电极之间并且位于第一层间绝缘层与漏电极之间，并且包括有机材料；第一有机层，位于源电极和漏电极上；电容器，包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的第一层间绝缘层；像素电极，位于第二层间绝缘层中的与薄膜晶体管和电容器相邻的开口中，并且结合到源电极或漏电极；有机发射层；以及对电极。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN105514142
【申请号】CN201510662135
【发明人】柳春基
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年10月14日
【公告号】US20160104754