1.式(IV)所示的化合物、其可药用盐、或它们的溶剂合物的晶体,
式(IV)中,R1为氨基的保护基团;R2及R3各自独立地为羧基的保护基团。
2.根据权利要求1所述的晶体,其中,R1为叔丁氧基羰基,R2为叔丁基,R3为对甲氧基苄基。
3.根据权利要求2所述的晶体,其在粉末X射线衍射光谱中,具有选自衍射角(2θ):4.3±0.2°、10.9±0.2°、14.5±0.2°、18.3±0.2°及21.2±0.2°中的至少3个峰。
4.根据权利要求2所述的晶体,其在粉末X射线衍射光谱中,具有选自衍射角(2θ):4.8±0.2°、14.4±0.2°、14.9±0.2°、16.0±0.2°及20.5±0.2°中的至少3个峰。
5.化合物(IV)、其可药用盐、或它们的溶剂合物的制造方法,其包括以下工序:
第2工序:使式(V)所示的化合物与过酸在溶剂中反应而得到式(IV)所示的化合物的工序,其中,溶剂仅为二氯甲烷的情况除外,
式(V)中,R1为氨基的保护基团;R2及R3各自独立地为羧基的保护基团,
式(IV)中,R1、R2及R3与上述同义。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其中,该过酸为过氧乙酸。
7.式(IV)所示的化合物、其可药用盐或它们的溶剂合物、或它们的晶体的制造方法,其包括连续地进行以下工序:
第1工序:使式(VI)所示的化合物和式(VII)所示的化合物反应而得到式(V)所示的化合物的工序,
式(VI)中,R3为羧基的保护基团,
式(VII)中,各符号与上述同义,
式(V)中,各符号与上述同义;
以及
第2工序:使式(V)所示的化合物与过酸反应而得到化合物(IV)的工序,
式(IV)中,各定义与上述同义。
8.化合物(III)、其可药用盐、或它们的溶剂合物的制造方法,其包括以下工序:
第3工序:使式(IV)所示的化合物与式(X)所示的化合物在硼酸或单取代硼酸存在下反应而得到式(III)所示的化合物的工序,
式(IV)中,各符号与上述同义,
式(X)中,R4及R5各自独立地为羟基的保护基团,
式(III)中,X-为抗衡离子,其它符号与上述同义。
9.化合物(II)、其可药用盐、或它们的溶剂合物的制造方法,其包括以下工序:
第4工序:将式(III)所示的化合物还原而得到式(II)所示的化合物的工序,
式(III)中,各符号与上述同义,
式(II)中,各符号与上述同义。
10.化合物(IA)、其可药用盐、或它们的溶剂合物的制造方法,其包括连续地进行以下工序:
第4工序:将式(III)所示的化合物还原而得到式(II)所示的化合物的工序,
式(III)中,各符号与上述同义,
式(II)中,各符号与上述同义,
以及
第5工序:将式(II)所示的化合物进行脱保护而得到式(IA)所示的化合物的工序
11.根据权利要求10所述的化合物(IA)、其可药用盐或它们的溶剂合物的制造方法,其包括以下工序:
第3工序:使化合物(IV)和化合物(X)在硼酸或单取代硼酸存在下反应而得到化合物(III)的工序;
第4工序:将化合物(III)还原而得到化合物(II)的工序;以及
第5工序:将化合物(II)进行脱保护而得到化合物(IA)的工序。
12.根据权利要求10所述的化合物(IA)、其可药用盐或它们的溶剂合物的制造方法,其包括以下工序:
第2工序:使化合物(V)与过酸反应而得到化合物(IV)的工序;
第3工序:使化合物(IV)和化合物(X)在硼酸或单取代硼酸存在下反应而得到化合物(III)的工序;
第4工序:将化合物(III)还原而得到化合物(II)的工序;及
第5工序:将化合物(II)进行脱保护而得到化合物(IA)的工序。
13.式(III)所示的化合物,
式(III)中,各符号与上述同义。
14.式(II)所示的化合物,
式(II)中,各定符号与上述同义。
15.根据权利要求1~4、13或14中任一项所述的化合物或其溶剂合物的晶体,其中,R1为叔丁氧基羰基。
16.根据权利要求5~12中任一项所述的制造方法,其中,R1为叔丁氧基羰基。
17.根据权利要求1~4、13或14中任一项所述的化合物或其溶剂合物的晶体,其中,R2为叔丁基。
18.根据权利要求5~12中任一项所述的制造方法,其中,R2为叔丁基。
19.根据权利要求1~4、13或14中任一项所述的化合物或其溶剂合物,其中,R3为对甲氧基苄基或二苯甲基。
20.根据权利要求5~12中任一项所述的制造方法,其中,R3为对甲氧基苄基或二苯甲基。
21.根据权利要求13或14所述的化合物,其中,R4及R5为对甲氧基苄基。
22.根据权利要求8~12中任一项所述的制造方法,其中,R4及R5为对甲氧基苄基。