专利名称：一种氧化锌纳米线的自生长方法
技术领域：
本发明涉及氧化锌纳米线的制备方法，特别是一种氧化锌纳米线的自生长方法。
背景技术：
氧化锌是一种II-VI族宽禁带的半导体材料，晶体结构为纤锌矿(Wurtzite)六方 晶系，禁带宽度为3. 37eV，室温下具有较高的激子束缚能(60meV)和较低的电子诱生缺陷， 在纳米尺度的电子和光电设备中有着潜在的应用。氧化锌纳米线是具有较大长径比的各向异性的纳米晶体，通常直径为Ι-lOOnm，长 度为数微米。高质量的氧化锌纳米线在紫外-可见光电测控、气体传感器、传输电子学等领 域具有潜在的应用。基于溶液合成氧化锌纳米线的方法通常有模板合成法、水热法、溶胶-凝胶法、 溶液-流体-固体(SLQ法、溶剂热化学合成法等。
发明内容
本发明公开了 一种氧化锌纳米线的自生长方法。该方法能够通过自生长在氧化锌 纳米棒阵列表面生长出氧化锌纳米线。包括以下步骤(1)使用溶液法制备垂直取向的氧化锌纳米棒阵列；(2)将制备的氧化锌纳米棒阵列从溶液中取出，并使用去离子水反复清洗；(3)将用去离子水清洗过的氧化锌纳米棒阵列样品直接放置在空气中保存；(4)在空气中放置7天至30天，通过自生长的方法可以在氧化锌纳米棒阵列样品 的表面生长出单晶氧化锌纳米线。
图1是自生长获得的氧化锌纳米线扫描电镜照片(左上角插图是氧化锌纳米线的 高倍扫描电镜照片，右上角插图是氧化锌纳米线对应的X射线能量分散谱)；图2是自生长获得的氧化锌纳米线高分辨透射电镜照片(右上角插图是氧化锌纳 米线对应的选区电子衍射图案)。
具体实施例方式实施例1(1)使用溶液法制备垂直取向的氧化锌纳米棒阵列；(2)将制备的氧化锌纳米棒阵列从溶液中取出，并使用去离子水反复清洗；(3)将用去离子水清洗过的氧化锌纳米棒阵列样品直接放置在空气中保存；(4)在空气中放置20天，通过自生长的方法在氧化锌纳米棒阵列样品的表面生长 出单晶氧化锌纳米线，该氧化锌纳米线的直径为20-30nm，长度至少为3um。
权利要求
1.一种氧化锌纳米线的自生长方法。包括以下步骤(1)使用溶液法制备垂直取向的氧化锌纳米棒阵列；(2)将制备的氧化锌纳米棒阵列从溶液中取出，并使用去离子水反复清洗；(3)将用去离子水清洗过的氧化锌纳米棒阵列样品直接放置在空气中保存；(4)在空气中放置一段时间，通过自生长的方法可以在氧化锌纳米棒阵列样品的表面 生长出单晶氧化锌纳米线。
2.按权利要求1所述的一种氧化锌纳米线的自生长方法，其特征在于所述步骤(4) 放置的时间为7天至30天。
全文摘要
本发明公开了一种氧化锌纳米线的自生长方法。包括以下步骤一种氧化锌纳米线的自生长方法。包括以下步骤(1)使用溶液法制备垂直取向的氧化锌纳米棒阵列；(2)将制备的氧化锌纳米棒阵列从溶液中取出，并使用去离子水反复清洗；(3)将用去离子水清洗过的氧化锌纳米棒阵列样品直接放置在空气中保存；(4)在空气中放置7天至30天，通过自生长的方法可以在氧化锌纳米棒阵列样品的表面生长出单晶氧化锌纳米线。
文档编号B82B3/00GK102079538SQ20091024989
公开日2011年6月1日 申请日期2009年11月30日 优先权日2009年11月30日
发明者程进, 苏燚, 邹小平 申请人:北京信息科技大学