字线加负电压，衬底加高电压。
[0042]对所有扇区中除通过第一次擦除验证的扇区以外的剩余扇区中的存储单元的字线加负电压V.，衬底加高电压，从而只对没有通过第一次擦除验证的扇区进行擦除操作，如图2所示，图中扇区1、扇区3和扇区N中各存储单元的存储信息不全部为1，因此对扇区1、扇区3和扇区N中的各存储单元的字线加负电压，衬底加高电压，所述高电压优选为1V?15V之间，可通过电荷泵来提供。
[0043]步骤S3、对擦除操作后的所述剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程。
[0044]对进行了擦除操作的除通过第一次擦除验证的剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行擦除编程。
[0045]具体地，所述对擦除操作后的所述剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证包括:
[0046]步骤S31、判断擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元的阈值电压是否小于预定阈值电压，若是，则判断阈值电压小于预定阈值电压的存储单元没有通过过擦除验证。
[0047]所述预定阈值电压的取值为避免各存储单元产生漏电流的各存储单元的电压范围的最小值，若经过擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元的阈值电压小于预定阈值电压，则阈值电压小于预定阈值电压的存储单元会发生漏电流，影响非易失性存储器的存储特征，使得存储单元的耐久性下降以及数据保存性能降低，因此，需要对阈值电压小于预定阈值电压的存储单元进行过擦除编程，使得非易失性存储器中各存储单元的阈值电压大于等于预定阈值电压。
[0048]具体地，步骤S31中所述判断擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元的阈值电压是否小于预定阈值电压可包括:
[0049]步骤S311、依次读取擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元中的存储信息，对于每一个存储单元，若该存储单元中存储信息为0，则判断该存储单元的阈值电压大于预定阈值电压；若该存储单元中存储信息为1，则判断该存储单元的阈值电压小于预定阈值电压。
[0050]在本步骤中，可根据读取到的擦除操作后剩余扇区中各所述存储单元中的信息来判断该存储单元的阈值电压是否小于预定阈值电压，当该存储单元中存储信息为0，表明该存储单元的阈值电压较高，处于编程状态，判断该存储单元的阈值电压大于预定阈值电压；当该存储单元中存储信息为1，表明该存储单元的阈值电压较低，处于擦除状态，判断该存储单元的阈值电压小于预定阈值电压。
[0051]若判断存储单元的阈值电压小于预定阈值电压，则判断该存储单元没有通过过擦除验证，对没有通过过擦除验证的扇区进行过擦除编程，所述对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程时的编程电压为一固定电位的正电压，从而将存储单元的阈值电压进行校准，具体地，可以在阈值电压小于预定阈值电压的存储单元的栅极、源极和漏极上施加一个固定电位的正电压及脉冲，使得存储单元的阈值电压能够提升，通过不断的施加电压及脉冲直到存储单元的提升到预定阈值电压，从而保证存储单元的正常工作。
[0052]本发明实施例通过对存储块中所有扇区进行第一次擦除验证，将通过第一次擦除验证的扇区进行标记，防止在后续擦除过程中对全“I”的扇区中的存储单元擦除过深，减少了需要进行过擦除操作的扇区数目，从而节省了过擦除编程的时间，加快了非易失性存储器的擦除速度。
[0053]优选的，在上述步骤SI至步骤S3之后，所述非易失性存储器的擦除方法还包括:
[0054]重复执行上述步骤S2和S3，直至所有扇区都通过第二次擦除验证或者对所述剩余扇区的擦除次数达到阈值擦除次数为止。
[0055]当对除通过第一次擦除验证的剩余扇区进行过擦除验证之后，重复执行步骤S2和S3，即对存储块中所有扇区进行第二次擦除验证，若存储块中所有扇区没有全部通过第二次擦除验证，则对所有扇区中除通过第一次擦除验证的扇区以外的剩余扇区进行擦除操作，再对擦除操作后的所述剩余扇区进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程，重复执行步骤S2和S3，直至所有扇区都通过第二次擦除验证或者对所述剩余扇区的擦除次数达到阈值擦除次数为止，一个非易失性存储器的擦除次数也是有限的，从10000次到一百万次不等，当非易失性存储器的擦除次数达到最大擦除次数时，对非易失性存储器的块擦除过程结束。
[0056]本发明实施例提供的非易失性存储器的擦除方法，通过对存储块中所有扇区进行第一次擦除验证，将通过第一次擦除验证的扇区进行标记，然后对存储块中所有扇区进行第二次擦除验证，若存储块中所有扇区没有全部通过第二次擦除验证，则对所有扇区中除通过第一次擦除验证的扇区以外的扇区进行擦除操作，再对擦除操作后的剩余扇区进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程，由于只对除通过第一次擦除验证的扇区以外的剩余扇区进行擦除操作，因此，避免了对通过第一次擦除验证的扇区发生过擦除，从而节省了对通过第一次擦除验证的扇区进行过擦除编程的时间，加快了对非易失存储器的擦除速度。
[0057]以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种非易失性存储器的擦除方法，所述非易失性存储器包括多个存储块，每一个存储块包含多个扇区，每一个扇区包含多个存储单元，其特征在于，所述方法包括: Si对存储块中的所有扇区进行第一次擦除验证，将通过第一次擦除验证的扇区进行标记； S2对存储块中所有扇区进行第二次擦除验证，若存储块中所有扇区没有全部通过第二次擦除验证，则对所有扇区中除通过第一次擦除验证的扇区以外的剩余扇区进行擦除操作； S3对擦除操作后的所述剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，在步骤S3之后，所述方法还包括: 重复执行上述步骤S2和S3，直至所有扇区都通过第二次擦除验证或者对所述剩余扇区的擦除次数达到阈值擦除次数为止。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述对存储块中的所有扇区进行第一次擦除验证包括: 依次读取存储块中每一个扇区中各存储单兀中的存储信息，对于每一个扇区，若该扇区中各存储单元中的存储信息全部为1，则该扇区通过第一次擦除验证；若该扇区中各存储单元中的存储信息不全部为1，则该扇区没有通过第一次擦除验证。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述对所有扇区中除通过第一次擦除验证的扇区以外的剩余扇区进行擦除操作包括: 对通过第一次擦除验证的扇区中的存储单元的字线加正电压，衬底加高电压； 对所有扇区中除通过第一次擦除验证的扇区以外的剩余扇区中的存储单元的字线加负电压，衬底加高电压。5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述高电压的范围为 10V-15V。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述对擦除操作后的所述剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证包括: 判断擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元的阈值电压是否小于预定阈值电压，若是，则判断阈值电压小于预定阈值电压的存储单元没有通过过擦除验证。7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述判断擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元的阈值电压是否小于预定阈值电压包括: 依次读取擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元中的存储信息，对于每一个存储单元，若该存储单元中存储信息为O，则判断该存储单元的阈值电压大于预定阈值电压；若该存储单元中存储信息为1，则判断该存储单元的阈值电压小于预定阈值电压。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程包括: 对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程时的编程电压为一固定电位的正电压。
【专利摘要】本发明公开了一种非易失性存储器的擦除方法，所述方法包括：S1对存储块中的所有扇区进行第一次擦除验证，将通过第一次擦除验证的扇区进行标记；S2对存储块中所有扇区进行第二次擦除验证，若存储块中所有扇区没有全部通过第二次擦除验证，则对所有扇区中除通过第一次擦除验证的扇区以外的剩余扇区进行擦除操作；S3对擦除操作后的所述剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程。本发明能够防止通过第一次擦除验证的扇区发生过擦除，节省了对通过第一次擦除验证的扇区进行过擦除编程的时间，从而提高了非易失性存储器中存储块的擦除速度。
【IPC分类】G11C16/14
【公开号】CN105575430
【申请号】CN201410536053
【发明人】胡洪, 洪杰, 陈建梅
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月11日