晶片封装方法与流程

本发明涉及一种晶片封装方法。

背景技术：

如图1及图2所示，现有晶片1封装方式是采用回焊（FC）封装体采用基板4上沾助焊剂2，基板4底下设置有锡球5，封装过程回焊烘烤， 助焊剂清洗三道制程，但缺点是成本高，费工费时。

回焊（FC） 封装体只适用于宽间隙(Wide Pitch) bumps 晶片封装，不适合于细间隙(Fine Pitch) bumps 晶片封装(沾助焊剂锡凸点经回焊炉烘烤后，锡会随助焊剂热扩散，细间隙((Fine Pitch), Cu trace to Cu trace<60um铜线与铜线间距离小于60um)。

技术实现要素：

本发明的目的在于针对上述现有技术的缺陷，提供一种可减少封装流程，降低封装成本及增加封晶片封装适用率的晶片封装方法。

为了达成上述目的，本发明的解决方案是：

一种晶片封装方法，包括以下步骤：

步骤1：利用晶圆切割机将晶圆切割，再利用上片设备吸取晶片，晶片的锡凸点沾上助焊剂；

步骤2：利用胶材涂印机将非导电胶利用钢板印刷及橡胶头转印或气阀喷印涂布在基板正面；

步骤3：利用锡熔后焊接技术以摄氏290至300度直接将锡凸点焊接于基板铜垫；

步骤4：将上片后材料烘烤，电浆清洗及树脂模压封装，即完成锡熔后焊接封装体。

进一步，步骤2中所述胶材涂印机是用钢板印刷及胶头转印方式将非导电胶涂布在基板正面。

进一步，步骤2中所述胶材涂印机是用气阀喷印方式将非导电胶涂布在基板正面。

进一步，步骤3中所述锡熔后焊接的加热温度为295度。

本发明晶片封装方法于电子基板表面涂布一层非导电胶（NCP），藉以消除基板表面的有机保焊膜，并阻碍助焊剂热扩散(缩小助焊剂中松香油污染面积)，提升树脂与铜垫结合能力。

与现有技术相比，本发明的有益效果是非导电胶（NCP）可消除基板表面OSP(Organic Surface Protectant) 有机保焊膜，且可改善锡冷焊状况。并可阻碍助焊剂热扩散(缩小助焊剂中松香油污染面积)，提升树脂与铜垫结合能力。

本发明可有效的减少了回焊烘烤， 助焊剂清洗二道制程，减少设备，人力及助焊剂清洗成本。

本发明应用的锡熔后焊接（FC）封装体可适用于宽间隙(Wide Pitch) bumps晶片封装和细间隙(Fine Pitch) bumps 晶片封装(非导电胶可阻碍助焊剂及锡热扩散)。

附图说明

图1为习用回焊（FC）封装基板封装体的结构示意图；

图 2为习用回焊（FC）封装基板（FC）封装体步骤流程图；

图3为本发明实施例含有非导电胶（NCP）的结构示意图；

图4为本发明锡熔后焊接（FC）封装体步骤流程图及结构分解图。

具体实施方式

为了进一步解释本发明的技术方案，下面通过具体实施例来对本发明进行详细阐述。

如图3，本发明含有非导电胶（NCP）的结构是于集成电路1与基板4间以助焊剂2施以铜柱上，并将两者焊接相连、而基板4上方涂有非导电胶（NCP）3，基板下方设有锡球5，以构成一封装体集成电路结构。

如图4所示，本发明一种晶片封装方法，包括以下步骤：

利用晶圆切割机将晶圆切割，再利用上片设备吸取晶片，晶片的锡凸点沾上助焊剂。

然后利用胶材涂印设备将非导电胶（NCP）利用钢板印刷及橡胶头转印或气阀喷印涂布在基板正面。

再利用锡熔后焊接（MTD）技术以摄氏295度（正负5度）直接将锡凸点焊接于基板铜垫。

再将上片后材料烘烤，电浆清洗及树脂模压封装。

即可完成锡熔后焊接（FC）封装体。

与现有技术相比，本发明的增进的有益效果是非导电胶（NCP）可消除基板表面OSP(Organic Surface Protectant) 有机保焊膜。

且可改善锡冷焊状况。

并可阻碍助焊剂热扩散(缩小助焊剂中松香油污染面积)，提升树脂与铜垫结合能力。

本发明可有效的减少了回焊烘烤， 助焊剂清洗二道制程，减少设备，人力及助焊剂清洗成本。

本发明应用的锡熔后焊接（FC）封装体可适用于宽间隙(Wide Pitch) bumps晶片封装和细间隙(Fine Pitch) bumps 晶片封装(非导电胶可阻碍助焊剂及锡热扩散)。

上述实施例和图式并非限定本发明的产品形态和式样，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本发明的专利范畴。