1.一种晶片封装方法，包括以下步骤：
步骤1：用晶圆切割机将晶圆切割，利用上片设备吸取晶片，利用烤箱设备使晶片产生凸点并沾上助焊剂；
步骤2：利用胶材涂印机将非导电胶涂布在基板正面；
步骤3：利用锡熔后焊接将温度加热到摄氏290-300度，然后直接将锡凸点焊接于基板铜垫；
步骤4：将上片后材料烘烤、电浆清洗及树脂模压封装，即完成锡熔后焊接封装体。
2.依据权利要求1所述的一种晶片封装方法，其特征在于：步骤2中所述胶材涂印机是用钢板印刷及胶头转印方式将非导电胶涂布在基板正面。
3.依据权利要求1所述的一种晶片封装方法，其特征在于：步骤2中所述胶材涂印机用气阀喷印方式将非导电胶涂布在基板正面。
4.依据权利要求1所述的一种晶片封装方法，其特征在于：步骤3中所述锡熔后焊接的加热温度为295度。