1.一种存储元件，包括：
一叠层结构，位于一基底上，该叠层结构包括相互交替叠层的多个第一导体层以及多个介电层；
多个第一盖层，分别位于这些第一导体层的侧壁上；以及
多个第二盖层，分别位于这些介电层的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的存储元件，其中这些第一盖层的材料与这些第二盖层的材料相同或不同。
3.根据权利要求1所述的存储元件，其中这些第一盖层的材料与这些第二盖层的材料包括一含氮材料。
4.根据权利要求3所述的存储元件，其中该含氮材料包括氮化硅、氮氧化硅或其组合。
5.根据权利要求1所述的存储元件，更包括：
一第二导体层，覆盖该叠层结构；以及
一电荷储存层，位于该叠层结构以及该第二导体层之间，其中这些第一盖层分别位于这些第一导体层与该电荷储存层之间，且这些第二盖层分别位于这些介电层与该电荷储存层之间。
6.一种存储元件的制造方法，包括：
于一基底上形成一叠层结构，该叠层结构包括多个第一导体层以及多个介电层，这些第一导体层与这些介电层相互交替叠层；以及
于这些第一导体层的侧壁上分别形成多个第一盖层，且于这些介电层的侧壁上分别形成多个第二盖层。
7.根据权利要求6所述的存储元件的制造方法，其中于这些第一导体层的侧壁上分别形成这些第一盖层，且于这些介电层的侧壁上分别形成这些第二盖层的方法包括进行一表面处理工艺。
8.根据权利要求7所述的存储元件的制造方法，其中该表面处理工艺包括一氮化处理、一氮氧化处理或其组合。
9.根据权利要求8所述的存储元件的制造方法，其中该氮化处理包括等离子体处理、化学气相沉积处理、物理气相沉积处理或其组合。
10.根据权利要求6所述的存储元件的制造方法，更包括：
于该叠层结构、这些第一盖层以及这些第二盖层的表面上形成一第二导体层，该第二导体层覆盖该叠层结构；以及
于该叠层结构以及该第二导体层之间形成一电荷储存层。