存储元件及其制造方法与流程

技术总结
本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括叠层结构、多个第一盖层以及多个第二盖层。叠层结构位于基底上。叠层结构包括相互交替叠层的多个第一导体层以及多个介电层。第一盖层分别位于第一导体层的侧壁上。第二盖层分别位于介电层的侧壁上。

技术研发人员：赖相宇;杨儒兴
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510319580
技术研发日：2015.06.11
技术公布日：2017.01.04