1.介质辅助支撑型纳米栅器件，自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层上设有源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)，栅电极(7)上设有栅帽(8)，其特征在于：在栅电极(7)的两边设有介质辅助支撑层(9)，以实现对大面积栅帽(8)的物理支撑。
2.根据权利要求1所述的介质辅助支撑型纳米栅器件，其特征在于介质辅助支撑层(9)的高度为60nm-200nm。
3.根据权利要求1所述的介质辅助支撑型纳米栅器件，其特征在于介质辅助支撑层(9)的宽度为5nm-35nm。
4.根据权利要求1所述的介质辅助支撑型纳米栅器件，其特征在于栅帽(8)的宽度为700nm-200nm。
5.一种介质辅助支撑型纳米栅器件的制作方法，包括如下步骤：
1)在衬底基片上，利用MOCVD设备，依次生长成核层、缓冲层和势垒层；
2)在势垒层上采用ICP设备，刻蚀台面至缓冲层；
3)在势垒层上光刻出源电极和漏电极图形，采用电子束蒸发工艺，在源电极和漏电极图形区蒸发欧姆接触金属；
4)在势垒层涂抹光刻胶并光刻出栅极区域，而后利用ICP设备对光刻图形区域进行干法刻蚀，形成光滑的倒角区；
5)在光刻胶和刻蚀形成的倒角区上方利用ALD设备进行低温原子层Al2O3介质的淀积，形成Al2O3介质覆盖层；
6)在势垒层涂抹光刻胶并光刻出槽栅区域，利用ICP设备去除槽栅区域下方的Al2O3介质淀积层，形成槽栅；
7)采用电子束蒸发工艺，在槽栅区域蒸发栅金属层，形成栅帽层，然后采用剥离工艺去除光刻胶，完成器件的制作。
6.根据权利要求5所述的方法，其中步骤1中利用的MOCVD设备，其工艺参数如下：
成核层：低温成核温度为500-650℃，生长压力为40-100Torr，氢气流量为1000-5000sccm，氨气流量为600-3000sccm，铝源流量为4-20sccm；高温成核温度为940-1050℃，生长压力为40-100Torr，氢气流量为1000-5000sccm，氨气流量为1000-3000sccm，铝源流量为4-20sccm；
缓冲层：温度为940-1050℃，生长压力为40-100Torr，氢气流量为1000-5000sccm，氨气流量为1000-3000sccm，镓源流量为60-200sccm，铁源流量为10-200sccm；
势垒层：温度为960-1050℃，生长压力为40-100Torr，氢气流量为1000-5000sccm，氨气流量为1000-3000sccm，镓源流量为60-200sccm，铝源流量为4-50sccm。
7.根据权利要求5所述的方法，其中步骤2、步骤4和步骤6中利用的ICP设备，其工艺参数如下：
台面刻蚀：刻蚀气体为Cl2/BCl3，压力为2-20mT，功率为20W-150W，偏压为10V-100V，刻蚀时间为60s-200s；
栅条刻蚀：刻蚀气体为Cl2/BCl3，压力为10-50mT，功率为20W-100W，偏压为5V-100V，刻蚀时间为10s-60s；
介质淀积层刻蚀：刻蚀气体为Cl2/BCl3，压力为5-30mT，功率为50W-250W，偏压为10V-220V，刻蚀时间为60s-300s。
8.根据权利要求5所述的方法，其中步骤5利用的ALD设备，其工艺参数如下：前躯体为TMA和水，淀积温度为80-100℃，反应室压力为0.1mT-1.5mT。
9.根据权利要求5所述的方法，其中步骤3中电子束蒸发源漏欧姆接触的金属材料为Ti/Al/Ni/Au。
10.根据权利要求5所述的方法，其中步骤7中电子束蒸发栅极肖特基接触的金属材料为Ni/Au/Ni。