技术总结
本发明公开了一种纳米尺寸下T型结构栅器件及其制作方法，主要解决现有T型栅支撑性差的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层上设有源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)，栅电极(7)上设有栅帽(8)，栅电极(7)的两边设有介质辅助支撑层(9)，以实现对大面积栅帽(8)的物理支撑。本发明器件通过原子层淀积high‑k介质，在进一步缩小栅长的基础上，形成T型栅的支撑层，提高了器件的工作频率，同时使得栅极输入电阻和栅漏反馈电容大幅减少，可用于通讯，卫星导航，雷达系统和基站系统中。
技术研发人员：杨凌;康慨;周小伟;马晓华;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201611093121
技术研发日：2016.12.01
技术公布日：2017.05.24