1.一种半导体器件，其特征在于包括：
限定主表面的半导体衬底；
至少包括具有第一导电类型的第一柱的第一区域，所述第一区域相对于所述主表面以垂直取向延伸，
具有所述第一导电类型的第二区域，所述第一柱包括比所述第二区域更高的掺杂浓度；以及
耦接到所述第二区域的肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第二区域包括所述第一导电类型的外延。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括耦接到所述第一柱和所述第二区域的具有所述第一导电类型的第三区域。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一区域还包括具有第二导电类型的第二柱，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，并且其中所述器件还包括具有所述第二导电类型的第四区域以及耦接到所述第四区域的欧姆接触，所述第二柱具有比所述第四区域更低的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述肖特基接触就水平方向而言位于两个多晶硅填充的栅极沟槽之间，所述第二区域对所述两个多晶硅填充的栅极沟槽进行划分。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一区域还包括具有第二导电类型的第二柱，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，并且其中所述器件还包括具有所述第二导电类型的第四区域，所述第二柱具有比所述第四区域更低的掺杂浓度，并且所述肖特基接触耦接到所述第四区域和所述第二区域。
7.一种半导体器件，其特征在于包括：
限定主表面的半导体衬底；
至少包括具有第一导电类型的第一柱和具有第二导电类型的第二柱的第一区域，所述第一区域相对于所述主表面以垂直取向延伸，其中所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
具有所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域具有比所述第一柱更高的掺杂浓度；
具有所述第二导电类型的第三区域，所述第三区域具有比所述第二柱更高的掺杂浓度；以及
阻挡所述第二区域和所述第三区域的第四区域，所述第四区域包含自对准多晶硅化物。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于还包括多晶硅填充的沟槽，其中所述第四区域中断所述多晶硅填充的沟槽的连续性。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于所述器件为三维器件。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于所述器件为局部电荷平衡超结场效应晶体管的部分。