技术总结
本实用新型公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括限定主表面的半导体衬底。所述器件还包括至少包含具有第一导电类型的第一柱的第一区域，所述第一区域相对于所述主表面以垂直取向延伸。所述器件还包括具有所述第一导电类型的第二区域。所述第一柱具有比所述第二区域更高的掺杂浓度。所述器件还包括耦接到所述第二区域的肖特基接触。
技术研发人员：J·R·吉塔特;S·姆候比;F·鲍温斯
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201620943470
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.06.13