发光器件反射隔堤结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及用于发光器件的反射隔堤结构。更具体地，本发明的实施例设及发光 二极管器件的反射隔堤结构。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（LED)器件可包括P型半导体层、N型半导体层W及位于P型半导体 层和N型半导体层之间的一个或多个量子阱层。L邸器件系统的发光效率取决于一个或多 个量子阱层的内部量子效率W及来自系统的光提取效率。
[0003] 一种用于提高光提取效率的具体实施包括与发光方向相反的电极层中的反射层。 例如，对于顶部发射结构，底部电极可包括反射层，并且反之亦然。从L邸器件的横向表面 发射的光可降低光提取效率。
[0004] 一种用于提高水平LED巧片的光提取效率的具体实施在美国专利No. 7, 482, 696 有所描述，在该美国专利中，水平LED巧片被放置在绝缘底座的腔内，该绝缘底座具有腔的 侧壁上的一对导电反射膜。水平L邸巧片的底部侧表面上的N侧电极为键合到导电反射膜 中的一个导电反射膜上的焊盘的倒装巧片，而水平L邸巧片的底部侧表面上的P侧电极为 键合到另一导电反射膜上的焊盘的倒装巧片。该样，水平L邸巧片被封装在底座内，并且通 过水平L邸巧片的侧表面的横向发射光被反射W提高封装件的光提取效率。
[0005] 一种用于从垂直L邸器件系统提高光提取效率的具体实施在美国专利 No. 7, 482, 696中有所描述，在该美国专利中，垂直LED器件的发光表面被安装在透明衬底 中的窄接线上。透明树脂形成在垂直L邸器件之上并且围绕该垂直L邸器件，并且反射膜 沉积在透明树脂和垂直L邸器件之上W把光朝向发光表面引导。
【发明内容】
[0006] 本发明描述了发光器件的反射隔堤结构。在一个实施例中，反射隔堤结构包括衬 底、衬底上的绝缘层、绝缘层中的隔堤开口阵列W及跨越绝缘层中的隔堤开口中的每个隔 堤开口的侧壁的反射层，其中每个隔堤开口包括底表面和侧壁。隔堤开口中的每个隔堤开 口可具有一定宽度或高度W接受发光器件。在一个实施例中，每个发光器件为垂直L邸器 件。如果发光器件为微型器件诸如具有最大宽度或1ym到100ym的长度的垂直微型LED 器件，则每个隔堤开口可具有最大宽度或1ym至Ij100ym或略大的长度W适应将垂直微型 L邸器件阵列安装在对应的隔堤开口阵列内。在一个实施例中，每个垂直L邸器件具有位于 绝缘层的顶表面上方的顶表面。每个垂直L邸器件可包括顶部导电电极和底部导电电极。
[0007] 在一个实施例中，所形成的透明纯化层跨越垂直L邸器件阵列的侧壁并且至少部 分地填充隔堤开口阵列。例如，透明纯化层可跨越并覆盖垂直L邸器件阵列内的量子阱结 构。在一个实施例中，透明纯化层不完全覆盖每个垂直L邸器件的顶部导电电极。该样，如 果对于每个垂直L邸设备存在的话，透明导体层可形成在顶部导电电极之上并与顶部导电 电极电接触。
[000引反射层可具有根据本发明的实施例的各种配置。例如，反射层可完全或仅部分跨 越隔堤开口中的每个隔堤开口的侧壁。例如，反射层可完全、仅部分或不覆盖隔堤开口中的 每个隔堤开口的底表面。在一个实施例中，反射层为形成在绝缘层和绝缘层中的隔堤开口 阵列内的衬底之上的连续层并且完全跨越侧壁并覆盖隔堤开口中的每个隔堤开口的底表 面。
[0009] 反射层还可被图案化。在一个实施例中，反射层为图案化层，该图案化层包括与隔 堤开口阵列对应的反射隔堤层阵列，其中每个反射隔堤层跨越对应隔堤开口的侧壁。例如， 反射层可完全或仅部分跨越隔堤开口中的每个隔堤开口的侧壁。例如，反射层可完全、仅部 分或不覆盖隔堤开口中的每个隔堤开口的底表面。在一个实施例中，每个反射隔堤层不覆 盖对应隔堤开口的底表面的中屯、。在一个实施例中，每个反射隔堤层包括跨越对应隔堤开 口的侧壁的侧壁层和位于对应隔堤开口的底表面上的独立焊盘层。在一个实施例中，隔堤 开口中的每个隔堤开口的侧壁通过第一横向相对侧壁和第二横向相对侧壁来表征，并且每 个反射隔堤层跨越第一横向相对侧壁但不跨越第二横向相对侧壁。
[0010] 本发明的实施例可用于将反射隔堤结构结合在各种衬底诸如照明衬底或显示衬 底上。在一些实施例中，集成电路可结合在衬底内。例如，对应的集成电路阵列可与隔堤开 口阵列的底表面互连。在一些实施例中，电线路输出或电线路输出阵列与隔堤开口阵列的 底表面互连。
[0011] 在一个实施例中，通孔开口形成在绝缘层中。电线路输出可形成在通孔开口的底 表面处。在一个实施例中，通孔开口与下面的衬底中的集成电路连接。在一个实施例中，垂 直L邸器件阵列安装在对应的隔堤开口阵列内，并且透明导体层形成在电线路输出和每个 垂直L邸器件之上并与电线路输出和每个垂直L邸器件电接触。图案化反射层可进一步包 括隔堤开口阵列内的反射隔堤层阵列W及通孔开口内的独立的反射通孔层。
[0012] 在一个实施例中，图案化反射层包括隔堤开口阵列内的反射隔堤层阵列和绝缘层 上的独立的反射电线路输出。在一个实施例中，垂直LED器件阵列安装在对应的隔堤开口 阵列内而透明导体层形成在电线路输出和每个垂直L邸器件之上并与该电线路输出和每 个垂直LED器件电接触。
[0013] 在一个实施例中，通孔开口阵列形成在绝缘层中。电线路输出阵列可形成在对应 的通孔开口阵列中的每个通孔开口的底表面处。在一个实施例中，通孔开口阵列与下面的 衬底中的集成电路阵列连接。在一个实施例中，垂直L邸器件阵列安装在对应的隔堤开口 阵列内并且透明导体层阵列被形成，其中每个透明导体层形成在对应的电线路输出和对应 垂直L邸器件之上并与该对应的电线路输出和对应垂直L邸器件电接触。图案化反射层可 进一步包括隔堤开口阵列内的反射隔堤层阵列和通孔开口阵列内的独立的反射通孔层阵 列。
[0014] 在一个实施例中，图案化反射层包括隔堤开口阵列内的反射隔堤层阵列和绝缘层 上的独立的反射电线路输出阵列。在一个实施例中，垂直L邸器件阵列安装在对应的隔堤 开口阵列内并且透明导体层阵列被形成，其中每个透明导体层形成在对应的电线路输出和 对应垂直LED器件之上并与该对应的电线路输出和对应垂直LED器件电接触。
【附图说明】
[0015] 图1为示出根据本发明的实施例的形成在衬底上的绝缘层的横截面侧视图。
[0016] 图2A为示出根据本发明的实施例的形成在绝缘层中的隔堤开口阵列的横截面侧 视图。
[0017] 图2B为示出根据本发明的实施例的形成在绝缘层中的隔堤开口阵列的横截面侧 视图。
[0018] 图2C为示出根据本发明的实施例的形成在绝缘层中的隔堤开口阵列和对应的通 孔开口阵列的横截面侧视图。
[0019] 图2D为示出根据本发明的实施例的形成在绝缘层中的隔堤开口阵列和通孔开口 的横截面侧视图。
[0020] 图2E为示出根据本发明的实施例的形成在包括电路的衬底之上的绝缘层中的隔 堤开口阵列的横截面侧视图。
[0021] 图2F为示出根据本发明的实施例的形成在包括电路的衬底之上的绝缘层中的隔 堤开口阵列和对应的通孔开口阵列的横截面侧视图。
[0022] 图2G为示出根据本发明的实施例的形成在包括电路的衬底之上的绝缘层中的隔 堤开口阵列和通孔开口的横截面侧视图。
[0023] 图2H为示出根据本发明的实施例的形成在包括电路的衬底之上的绝缘层中的隔 堤开口阵列的横截面侧视图。
[0024] 图21为示出根据本发明的实施例的形成在包括电路的衬底之上的绝缘层中的隔 堤开口阵列和对应的通孔开口阵列的横截面侧视图。
[0025] 图2J为示出根据本发明的实施例的形成在包括电路的衬底之上的绝缘层中的隔 堤开口阵列和通孔开口的横截面侧视图