功能性。在概念意义上，将用于实现相同功能性的任何部件排列有效地“联系”以使得得到所需功能性。因此，可以将用于获得具体功能性而结合的本文中的任何两个部件视为彼此“联系”以使得获得所需功能性，而不管构造或中间部件。类似地，还可以将所联系的任何两个部件视为彼此“可操作连接”或“可操作配对”以实现所需功能性，并且能够如此联系的任何两个部件还可以被视为是彼此“可操作配对的”，从而实现所需功能性。可操作配对的具体实例包括但不限于可物理配合和/或物理相互作用部件，和/或可无线相互作用的和/或无线相互作用下的部件，和/或逻辑相互作用下的和/或可逻辑相互作用的部件。
[0061]本文中基本上关于任何复数和/或单数术语，本领域技术人员可以将复数变为单数和/或将单数变为复数，只要对于上下文和/或应用而言合适即可。为了清楚起见，在本文中可能明确地给出多个单数/复数置换。
[0062]本领域技术人员应当理解，通常，本文使用的术语，并且特别是在后附权利要求(例如，后附权利要求的主体)中使用的术语，通常意在作为“开放式”术语(例如，术语“包括……的”应当解释为“包括但不限于……的”，术语“具有”应当解释为“至少具有”，术语“包括”应当解释为“包括但不限于”，等)。本领域技术人员还应当理解的是，如果预期进行具体数量的所引导的权利要求列举项，将在权利要求中明确叙述这样的预期，并且在没有这种叙述的情况下，这样的预期不存在。例如，为了帮助理解，下列后附权利要求可以含有用于引导权利要求列举项的引导短语“至少一个”和“一个或多个”的使用。然而，不应当将这样的短语的使用解释为暗指的是，不定冠词“一个(a)”或“一个(an)”将含有所引导的权利要求列举项的任何具体权利要求限定为含有单独一个该列举项的发明，即使是在相同的权利要求中包括引导短语“一个或多个”或“至少一个”以及不定冠词例如“一个(a) ”或“一个(an)”的情况下(例如，“一个(a)”或“一个(an) ”通常应当解释为是指“至少一个”或“一个或多个”)；对于用于引导权利要求列举项的定冠词的使用也如此。此外，即使清楚地叙述特定数量的所引导的权利要求列举项，本领域技术人员也将认识到，应当将这样的列举项通常应解释为是指至少所叙述的数量(例如，在没有其他修饰的情况下的“两个列举项”的无限定列举通常是指至少两个列举项，或两个以上列举项)。此外，在使用类似于“A、B和C中的至少一个等”的约定语的情况下，通常，这样的句子在一定意义上是指本领域技术人员将理解的约定语(例如，“具有A、B和C中的至少一个的系统”将包括但不限于这样的系统，其单独具有A，单独具有B，单独具有C，共同具有A和B，共同具有A和C，共同具有B和C，和/或共同具有A、B和C，等)。在使用类似于“A、B或C中的至少一个等”的约定语的情况下，通常，这样的构造在一定意义上是指本领域技术人员将理解的约定语(例如，“具有A、B或C中的至少一个的系统”将包括但不限于这样的系统，其单独具有A，单独具有B，单独具有C，共同具有A和B，共同具有A和C，共同具有B和C，和/或共同具有A、B和C，等)。本领域技术人员将进一步理解的是，事实上，表示两个以上备选术语的任何分离性词语和/或短语，不论在说明书、权利要求书还是附图中，都应当被理解为考虑包括术语中的一个，术语中的任意一个或两个术语的可能性。例如，短语“A或B”将理解为包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。
[0063]尽管已经在本文中公开了各个方面和实施方案，但是其他方面和实施方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。在本文中公开的多个方面和实施方案用于解释而不是意欲限制，并且真实范围和精神由后附权利要求书规定。
【主权项】
1.一种稳定P型锂Li和过渡金属共掺杂的氧化锌ZnO薄膜，所述薄膜在室温具有选自约0.01至I Qcm范围的电阻率、选自约117Cm 3至10 lscm 3范围的空穴浓度、以及选自约80至250cm2V 1S 1范围的迀移率，在沉积所述P型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜以后约100天内空穴浓度保持在初始值的±20%之内。2.根据权利要求1所述的薄膜，其中所述过渡金属为镍Ni。3.根据权利要求1所述的薄膜，其中所述电阻率为约0.15 Ω cm，所述空穴浓度为约3.2*1017cm3，并且所述迀移率为约130cm2V 1S \4.一种器件，所述器件包括: 基板； 氧化锌ZnO缓冲层； 在所述ZnO缓冲层上的η型ZnO层； 在所述η型ZnO层上的P型锂Li和过渡金属共掺杂的ZnO层，所述ρ型Li和过渡金属共掺杂的ZnO层在室温具有选自约0.01至I Ω cm范围的电阻率、选自约117Cm 3至10 18cm 3范围的空穴浓度、以及选自约80至250cm2V 1S 1范围的迀移率，在沉积所述P型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜以后约100天内空穴浓度保持在初始值的±20%之内； 与所述η型ZnO层连接的第一电极；以及 与所述P型ZnO层连接的第二电极。5.根据权利要求4所述的器件，其中所述过渡金属为镍Ni。6.根据权利要求5所述的器件，其中所述电阻率为约0.15 Ω cm，所述空穴浓度为约3.2*1017cm3，并且所述迀移率为约130cm2V 1S \7.根据权利要求4所述的器件，其中所述基板是蓝宝石。8.根据权利要求4所述的器件，其中所述ρ型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜的厚度为约500nmo9.根据权利要求4所述的器件，其中所述ZnO缓冲层的厚度为约lOOnm。10.根据权利要求4所述的器件，其中所述η型ZnO层包括Al掺杂的ZnO层。11.根据权利要求10所述的器件，其中所述Al掺杂的ZnO层包括约2摩尔％的Al。12.根据权利要求10所述的器件，其中所述Al掺杂的ZnO层的厚度为约500nm。13.根据权利要求4所述的器件，其中所述器件是发光二极管。14.一种器件，所述器件包括: 基板；以及 在所述基板上的P型锂Li和过渡金属共掺杂的氧化锌ZnO层，所述ρ型Li和过渡金属共掺杂的ZnO层在室温具有选自约0.01至I Ω cm范围的电阻率、选自约117Cm 3至10 18cm 3范围的空穴浓度、以及选自约80至250cm2V 1S 1范围的迀移率，在沉积所述ρ型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜以后约100天内空穴浓度保持在初始值的±20%之内。15.根据权利要求14所述的器件，所述器件还包括: 在所述基板上的缓冲层。16.根据权利要求15所述的器件，其中所述缓冲层包括未掺杂的本征ZnO层。17.根据权利要求14所述的器件，所述器件还包括: 在所述缓冲层上的η型层。18.根据权利要求17所述的器件，其中所述η型层包括铝Al掺杂的ZnO层。19.根据权利要求17所述的器件，其中所述ρ型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO层形成在所述η型层顶部以形成同质结。20.根据权利要求14所述的器件，其中所述器件是发光器件。
【专利摘要】一种稳定p型Li和过渡金属共掺杂的ZnO薄膜及器件。所述薄膜在室温具有选自约0.01至1Ωcm范围的电阻率、选自约1017cm-3至1018cm-3范围的空穴浓度、以及选自约80至250cm2V-1s-1范围的迁移率，在沉积所述p型Li和所述过渡金属共掺杂的ZnO薄膜以后约100天内空穴浓度保持在初始值的±20％之内。
【IPC分类】C23C14/08, H01L33/28, H01L21/02
【公开号】CN105226156
【申请号】CN201510523337
【发明人】M·S·拉马钱德拉·劳, E·森蒂尔·库马
【申请人】印度马德拉斯理工学院
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2010年8月10日
【公告号】CN102549780A, CN102549780B, US8187976, US8395152, US20110049506, US20120199828, WO2011024042A1