储器850。MSM 810可包括用于控制电子系统800的整体操作的处理器、用于处理音频信号和视频信号的数字信号处理器(DSP)、用于通信的调制解调器、以及驱动器。RF子系统820可被用来稳定地设定电子系统800可用的频带，并且可被用来将模拟信号转换成为数字信号、或反之亦然。显示器840可以是电子系统800的输出单元。存储器850可包括储存被使用在电子系统800的操作中的数据的移动动态随机存取存储器(DRAM)以及NAND快闪存储器。存储器850可以通过双向总线与MSM 810通信。
[0067]电子系统800还可包括相机、扬声器、以及天线860。相机和扬声器可通过MSM 810来控制。通过相机捕捉的图像可被储存在存储器850中，并且储存在存储器850中的图像数据可通过显示器840而被输出。RF子系统820可以将通过天线860接收到的信号转换成模拟信号或数字信号。通过天线860接收到的信号中的音频信号可以通过扬声器而被输出。
[0068]PMIC 830可以从外部设备或电池接收电源电压，以将电源电压供应至电子系统800的各种内部元件。因此，PMIC 830可包括电源管理电路。电源管理电路可以利用图1至图3中所示的功率集成器件作为开关器件。在一个实施例中，电源管理电路可包括调节器、逆变器、转换器、或驱动器。
[0069]通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
[0070]技术方案1.一种功率集成器件，包括:
[0071]衬底之上的栅电极；
[0072]源极区和漏极区，在所述栅电极的两个相对侧设置所述衬底中；
[0073]漂移区，在所述栅电极与所述漏极区之间设置在所述衬底中，以与所述源极区间隔开；以及
[0074]多个绝缘条带，设置在所述漂移区的上部区域中，在所述多个绝缘条带之间限定至少一个有源条带。
[0075]技术方案2.如技术方案1所述的功率集成器件，
[0076]其中所述多个绝缘条带彼此平行地延伸；以及
[0077]其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区。
[0078]技术方案3.如技术方案1所述的功率集成器件，其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区延伸，以及
[0079]其中所述多个绝缘条带平行于所述漏极区延伸。
[0080]技术方案4.如技术方案1所述的功率集成器件，其中所述至少一个有源条带平行于所述栅电极延伸，以及
[0081]其中所述多个绝缘条带平行于所述栅电极延伸。
[0082]技术方案5.如技术方案1所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带彼此平行。
[0083]技术方案6.如技术方案1所述的功率集成器件，
[0084]其中所述多个绝缘条带彼此平行地延伸，以及
[0085]其中所述至少一个有源条带平行于所述栅电极。
[0086]技术方案7.如技术方案1所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带包括彼此间隔开的沟槽隔离层。
[0087]技术方案8.如技术方案1所述的功率集成器件，
[0088]其中所述漂移区包括具有第一导电性的第二漂移区；以及
[0089]其中所述漏极区设置在所述第二漂移区的上部区域中、具有所述第一导电性、并且具有比所述第二漂移区的杂质浓度更高的杂质浓度。
[0090]技术方案9.如技术方案8所述的功率集成器件，其中所述漂移区还包括具有第一导电性的第一漂移区，以及
[0091]其中所述第一漂移区包围所述第二漂移区。
[0092]技术方案10.如技术方案8所述的功率集成器件，还包括:
[0093]顶部区，设置在所述漂移区的上部区域中并且与所述漏极区的侧壁相邻，以及
[0094]其中所述顶部区具有与所述第一导电性相反的第二导电性。
[0095]技术方案11.如技术方案10所述的功率集成器件，
[0096]其中所述顶部区被形成为比所述第二漂移区更浅；以及
[0097]其中所述顶部区横向地延伸到与所述栅电极相邻的衬底中。
[0098]技术方案12.如技术方案10所述的功率集成器件，其中所述第二漂移区包围所述顶部区的所有侧壁以及底表面。
[0099]技术方案13.如技术方案10所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带中的至少一个设置在所述顶部区中。
[0100]技术方案14.如技术方案10所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带包括比所述顶部区更浅的沟槽隔离层。
[0101]技术方案15.如技术方案10所述的功率集成器件，其中所述第一导电性是N型导电性，所述第二导电性是P型导电性。
[0102]技术方案16.如技术方案10所述的功率集成器件，其中所述第一导电性是P型导电性，所述第二导电性是N型导电性。
[0103]技术方案17.如技术方案1所述的功率集成器件，还包括包围所述源极区的主体区，
[0104]其中所述主体区具有与所述源极区相反的导电性。
[0105]技术方案18.如技术方案17所述的功率集成器件，其中所述主体区的位于所述源极区与所述漂移区之间的上部区域用作沟道区。
[0106]技术方案19.一种功率集成器件，包括:
[0107]具有第一导电性的漂移区和具有第二导电性的主体区，设置在具有所述第二导电性的衬底中；
[0108]具有所述第一导电性的源极区，设置在所述主体区的上部区域中；
[0109]栅电极，在所述源极区与所述漂移区之间设置在所述主体区之上；
[0110]具有所述第一导电性的漏极区，设置在所述漂移区的上部区域中并且与所述栅电极间隔开；以及
[0111]多个绝缘条带，设置在所述漂移区的上部区域中，并且在所述多个绝缘条带之间限定至少一个有源条带，
[0112]其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区。
[0113]技术方案20.—种功率集成器件，包括:
[0114]具有第一导电性的漂移区和具有第二导电性的主体区，设置在具有所述第二导电类型的衬底中；
[0115]具有所述第二导电性的顶部区，设置在所述漂移区的上部区域中；
[0116]具有所述第一导电性的源极区，设置在所述主体区的上部区域中；
[0117]栅电极，在所述源极区与所述漂移区之间设置在所述主体区之上，具有所述第一导电性的漏极区设置在所述漂移区的上部区域中并且与所述栅电极间隔开；以及
[0118]多个绝缘条带，设置在所述顶部区的上部区域中，并且在所述多个绝缘条带之间限定至少一个有源条带，
[0119]其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区。
【主权项】
1.一种功率集成器件，包括: 衬底之上的栅电极； 源极区和漏极区，在所述栅电极的两个相对侧设置所述衬底中； 漂移区，在所述栅电极与所述漏极区之间设置在所述衬底中，以与所述源极区间隔开；以及 多个绝缘条带，设置在所述漂移区的上部区域中，在所述多个绝缘条带之间限定至少一个有源条带。2.如权利要求1所述的功率集成器件， 其中所述多个绝缘条带彼此平行地延伸；以及 其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区。3.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区延伸，以及 其中所述多个绝缘条带平行于所述漏极区延伸。4.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述至少一个有源条带平行于所述栅电极延伸，以及 其中所述多个绝缘条带平行于所述栅电极延伸。5.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带彼此平行。6.如权利要求1所述的功率集成器件， 其中所述多个绝缘条带彼此平行地延伸，以及 其中所述至少一个有源条带平行于所述栅电极。7.如权利要求1所述的功率集成器件，其中所述多个绝缘条带包括彼此间隔开的沟槽隔离层。8.如权利要求1所述的功率集成器件， 其中所述漂移区包括具有第一导电性的第二漂移区；以及 其中所述漏极区设置在所述第二漂移区的上部区域中、具有所述第一导电性、并且具有比所述第二漂移区的杂质浓度更高的杂质浓度。9.一种功率集成器件，包括: 具有第一导电性的漂移区和具有第二导电性的主体区，设置在具有所述第二导电性的衬底中； 具有所述第一导电性的源极区，设置在所述主体区的上部区域中； 栅电极，在所述源极区与所述漂移区之间设置在所述主体区之上； 具有所述第一导电性的漏极区，设置在所述漂移区的上部区域中并且与所述栅电极间隔开；以及 多个绝缘条带，设置在所述漂移区的上部区域中，并且在所述多个绝缘条带之间限定至少一个有源条带， 其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区。10.一种功率集成器件，包括: 具有第一导电性的漂移区和具有第二导电性的主体区，设置在具有所述第二导电类型的衬底中； 具有所述第二导电性的顶部区，设置在所述漂移区的上部区域中； 具有所述第一导电性的源极区，设置在所述主体区的上部区域中； 栅电极，在所述源极区与所述漂移区之间设置在所述主体区之上，具有所述第一导电性的漏极区设置在所述漂移区的上部区域中并且与所述栅电极间隔开；以及 多个绝缘条带，设置在所述顶部区的上部区域中，并且在所述多个绝缘条带之间限定至少一个有源条带， 其中所述至少一个有源条带平行于所述漏极区。
【专利摘要】一种功率集成器件包括衬底上的栅电极、在栅电极的两个相对侧设置在衬底中的源极区和漏极区、在栅电极与漏极区之间设置在衬底中以与源极区间隔开的漂移区、以及设置在漂移区的上部区域中以在其之间限定至少一个有源条带的多个绝缘条带。还提出了相关的电子器件以及相关的电子系统。
【IPC分类】H01L29/06, H01L29/78
【公开号】CN105280703
【申请号】CN201510058392
【发明人】朴柱元, 高光植
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年2月4日
【公告号】US20150380402