20a，用于向第三气体分配空间412a供应第三气体(G3)，其中，第三气体供应孔420a形成在板410a的一侧;至少一个第四气体供应孔420b，用于向第四气体分配空间412b供应第四气体(G4)，其中，第四气体供应孔420b形成在板410a的另一侧；以及，气体分配图案构件430，其与壳体410的下表面组合，以便覆盖第三和第四气体分配空间412a和412b中的每个的下表面，其中，气体分配图案构件430通过气体分配图案432来分配气体。
[0148]在具有上面的结构的第二气体分配部件146的情况下，壳体410的内空间在空间上被分隔为第三和第四气体分配空间412a和412b，并且向第三气体分配空间412a和第四气体分配空间412b分别供应不同种类的气体(G3，G4)。除此之外，图19的第二气体分配部件146在结构上与在图9中所示的第一或第二气体分配模块144a或144b相同，由此，将省略对于第二气体分配部件146的详细说明。
[0149]第二气体分配部件146通过第三气体分配空间412a向上文所述的第二反应空间114分配第三气体(G3)，并且同时通过第四气体分配空间412b向上文所述的第二反应空间114分配第四气体(G4)。随着每个基板10经由上文所述的基板支撑体120的旋转而通过第二反应空间114，通过第三和第四气体的化学气相反应来在基板10上沉积薄膜，或者，通过第三和第四气体的化学气相反应来在基板10上掺入掺杂剂。
[0150]图20图示了在图1中所示的第二气体分配部件的第二实施例，其示出了在图19的第三气体分配空间412a中另外设置的等离子体电极450。以下，将仅详细描述不同的结构如下。
[0151]首先，在图19中所示的第二气体分配部件146的情况下，第三气体(G3)未被激活，并且然后被分配在基板上。然而，需要激活第三气体(G3)，并且根据要在基板上沉积的薄膜的种类向基板上分配激活的第三气体。因此，根据本发明的第二实施例的第二气体分配部件146激活第三气体(G3)，并且然后向基板上分配所激活的第三气体。
[0152]根据本发明的第二实施例的第二气体分配部件146可以进一步包括插入到第三气体分配空间412中并且设置在第三气体分配空间412a中的等离子体电极450。在这种情况下，与第三气体分配空间412a连通的绝缘构件插入孔410c形成在上文所述的壳体410的板410a中，并且，绝缘构件440插入到绝缘构件插入孔410c中。另外，与第三气体分配空间412a连通的电极插入孔442形成在绝缘构件440中，并且，等离子体电极450插入到电极插入孔442 中。
[0153]等离子体电极450插入到第三气体分配空间412a中，并且与侧壁410b及分隔构件415平行设置或被侧壁410b及分隔构件415围绕。在这种情况下，等离子体电极450的下表面可以位于与侧壁410b的高度相同的高度处，或者可以从侧壁410b的下表面突出或不突出。
[0154]等离子体电极450根据从等离子体电源460供应的等离子体电力从供应到第三气体分配空间412a的第三气体(G3)形成等离子体。在这种情况下，根据等离子体电力通过在等离子体电极450、侧壁410b和分隔构件415之间的电场来形成等离子体。因此，供应到第三气体分配空间412a的第三气体(G3)被等离子体激活，并且然后激活的第三气体(G3)被分配到第二反应空间114。
[0155]等离子体电极450和侧壁410b之间的间隔(间隙)小于等离子体电极450和基板之间的间隔。取代在基板和等离子体电极450之间形成等离子体，在平行设置的等离子体电极450、侧壁410b和分隔构件415之间形成等离子体，使得有可能防止基板和/或薄膜被等离子体损害。
[0156]在图20中，等离子体电极450设置在第三气体分配空间412a中，但是不限于此结构。等离子体电极450也设置在第四气体分配空间412b中，由此在第四气体分配空间412b中形成等离子体。在这种情况下，供应到第四气体分配空间412b的第四气体(G4)被等离子体激活，并且然后激活的第四气体(G4)被分配到第二反应空间114。
[0157]同时，根据本发明的第三实施例的第二气体分配部件146可以在结构上与在图11中所示的第一和第二气体分配模块144a和144b相同。在这种情况下，第三和第四气体(G3，G4)的混和气体被供应到上文所述的第二电极架320的气体供应流路323，并且，该混和气体通过多个气体分配流路325和多个气体分配孔327被分配到间隙空间(GS)，由此，该混和气体根据在第一电极架310和突出电极(PE)之间的电势差被在间隙空间(GS)中出现的等离子体激活，并且然后被分配到第二反应空间114。
[0158]在根据本发明的基板处理设备中，可以通过使用净化气体将处理室的处理空间分隔为第一和第二反应空间，并且，可以通过不同的沉积反应在第一和第二反应空间中的每个中沉积单层或多层薄膜，由此改善在基板上沉积的薄膜的均匀度，并且也容易调整生产率。特别地，根据本发明的基板处理设备使得能够调整在第一反应空间中的原子层吸附反应的比率和在第二反应空间中的化学气相反应的比率，使得有可能促进改善薄膜的质量并且调整生产率。
[0159]此外，根据本发明的基板处理设备使得能够通过第一反应空间中的原子层吸附反应和第二反应空间中的化学气相反应的任何一个工艺来沉积薄膜，并且也通过其余的反应来将薄膜掺入掺杂剂，由此执行用于在一个处理室中处理基板的各种工艺。
[0160]对于本领域内的技术人员是显然的，在不偏离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明中作出各种修改和变化。因此，本发明意欲涵盖本发明的修改和变化，只要它们在所附的权利要求及其等同内容的范围内。
【主权项】
1.一种基板处理设备，包括: 处理室，所述处理室用于提供处理空间； 基板支撑体，所述基板支撑体可旋转地设置在所述处理空间中，用于支撑至少一个基板； 面对所述基板支撑体的室盖，所述室盖用于覆盖所述处理室的上侧；以及， 气体分配部分，所述气体分配部分用于将所述处理空间在空间上分隔为第一反应空间和第二反应空间，并且在相应的第一反应空间和第二反应空间中引发不同种类的沉积反应，其中，所述气体分配部分设置在所述室盖中。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述第一反应空间中通过原子层吸附反应在所述基板上沉积薄膜，并且在所述第二反应空间中通过化学气相反应在所述基板上沉积薄膜。3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述基板经由所述基板支撑体的旋转而通过所述第一反应空间和所述第二反应空间，并且根据从所述气体分配部分向所述第一反应空间和所述第二反应空间中的至少任何一个分配的气体的沉积反应，薄膜沉积在所述基板上。4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述气体分配部分包括: 空间分隔部件，所述空间分隔部件用于将所述处理室的所述处理空间在空间上分隔为所述第一反应空间和所述第二反应空间； 第一气体分配部件，所述第一气体分配部件用于向所述第一反应空间分配所述化学气相反应的处理气体；以及 第二气体分配部件，所述第二气体分配部件用于向所述第二反应空间分配所述原子层吸附反应的处理气体。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述空间分隔部件通过向所述第一反应空间和所述第二反应空间之间的空间分配净化气体来形成气体障壁。6.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述空间分隔部件通过向所述第一反应空间和所述第二反应空间之间的空间分配净化气体来形成气体障壁，并且通过向所述第一反应空间局部分配净化气体来将所述第一反应空间分隔为至少一个第一气体反应区域和至少一个第二气体反应区域。7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述第一气体分配部件包括: 至少一个第一气体分配模块，所述至少一个第一气体分配模块用于向所述至少一个第一气体反应区域分配第一气体；以及 至少一个第二气体分配模块，所述至少一个第二气体分配模块用于向所述至少一个第二气体反应区域分配第二气体，其中，所述第二气体与所述第一气体不同。8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述第一气体对应于包含用于所述薄膜的材料的源气体，并且所述第二气体对应于与所述第一气体反应的反应气体。9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中，所述第一气体分配模块和所述第二气体分配模块中的至少任何一个通过使用由于在第一电极和被所述第一电极围绕的第二电极之间的电势差而出现的等离子体来激活分配到所述第一电极和所述第二电极之间的空间的对应的气体，并且然后分配所激活的对应的气体。10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每个具有圆形或多边形形状的截面。11.根据权利要求7至10中的任何一项所述的基板处理设备，其中，所述第一气体分配模块和所述第二气体分配模块中的每个具有靠近所述基板支撑体的中心的一侧和靠近所述基板支撑体的边缘的另一侧，并且，其中的一侧的长度与其中的另一侧的长度相同或不同。12.根据权利要求1至10中的任何一项所述的基板处理设备，其中，所述第二气体分配部件向所述第二反应空间分配第四气体和第三气体。13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述第三气体对应于包含用于所述薄膜的材料的源气体，并且所述第四气体对应于与所述第三气体反应的反应气体。14.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中，所述第二气体分配部件通过使用由于等离子体电极和围绕所述等离子体电极的地电极而出现的等离子体来激活所述第三气体和所述第四气体中的至少任何一种，并且然后分配所激活的气体。15.根据权利要求14所述的基板处理设备，其中，所述第二气体分配部件包括靠近所述基板支撑体的中心的一侧和靠近所述基板支撑体的边缘的另一侧，并且，其中的一侧的长度与其中的另一侧的长度相同或不同。
【专利摘要】公开了一种基板处理设备，其能够改善在基板上沉积的薄膜的均匀度，并且还能够自由地调整生产率，其中，所述基板处理设备可以包括：用于提供处理空间的处理室；基板支撑体，其可旋转地设置在所述处理空间中，用于支撑至少一个基板；面对所述基板支撑体的室盖，所述室盖用于覆盖所述处理室的上侧；以及，气体分配部分，用于将所述处理空间在空间上分隔为第一和第二反应空间，并且在相应的第一和第二反应空间中引发不同种类的沉积反应，其中，在所述气体分配部分设置在所述室盖中。
【IPC分类】H01L21/205
【公开号】CN105453224
【申请号】CN201480043656
【发明人】郭在燦, 赵炳夏, 黃喆周
【申请人】周星工程股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年7月23日
【公告号】US20160153086, WO2015016526A1