具有:
[0050]第四以及第五补充配管，分别连接在所述第一补充配管和所述第一以及第二补充用罐之间，
[0051]第三以及第四补充阀，分别安装在所述第四以及第五补充配管上；
[0052]在打开所述第一回收阀且关闭所述第二回收阀的情况下，所述控制部打开所述第四补充阀并且关闭所述第三补充阀，在打开所述第二回收阀且关闭所述第一回收阀的情况下，所述控制部打开所述第三补充阀并且关闭所述第四补充阀。
[0053]在该情况下，能够通过简单的控制将被用于回收的补充用罐内的处理液的温度维持在合适的温度，并且等待至向供给用罐补充处理液。
[0054](9)该基板处理装置还可以具有第一以及第二检测传感器，该第一以及第二检测传感器分别对所述第一以及第二补充用罐内的处理液的量进行检测，
[0055]所述控制部基于所述第一以及第二检测传感器所检测的处理液的量，对所述处理液回收部进行控制，以对将所述使用完的处理液向所述第一补充用罐供给的期间和将所述使用完的处理液向所述第二补充用罐供给的期间进行切换。
[0056]在该情况下，能够基于第一以及第二补充用罐内的处理液的量，将使用完的处理液恰当回收到第一或第二补充用罐。
[0057](10)该基板处理装置还可以具有向所述供给用罐、所述第一补充用罐或所述第二补充用罐供给处理液的新液供给装置。
[0058]根据该结构，即使在基板处理装置内循环的处理液减少的情况下，也向供给用罐、第一补充用罐或第二补充用罐供给处理液。由此，能够在处理液不枯竭的情况下进行基板处理。
【附图说明】
[0059]图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
[0060]图2是表示分别与图1的第一、第二以及第三罐关联的动作内容的时序图。
[0061]图3是表示初始状态下的基板处理装置的动作的示意图。
[0062]图4是表示在图2的时刻tl?t2的基板处理装置的动作的示意图。
[0063]图5是表示在图2的时刻t2?t3以及时刻t6?t7的基板处理装置的动作的示意图。
[0064]图6是表示在图2的时刻t3?t4的基板处理装置的动作的示意图。
[0065]图7是表示在图2的时刻t4?t5的基板处理装置的动作的示意图。
[0066]图8是表示在图2的时刻t5?t6的基板处理装置的动作的示意图。
【具体实施方式】
[0067]以下，参照附图对本发明的一实施方式的基板处理装置进行说明。在以下的说明中，基板是指，半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、rop(等离子体显示器面板)用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等。
[0068]本实施方式的基板处理装置是对基板一张一张进行处理的单张式基板处理装置。在该基板处理装置中，向形成有由氧化硅(Si02)构成的硅氧化膜以及由氮化硅(Si3N4)构成的硅氮化膜的基板，供给作为处理液的高温的磷酸水溶液(Η3Ρ04+Η20)，有选择地蚀刻硅氮化膜。
[0069]例如通过利用磷酸水溶液对硅氮化膜进行蚀刻，或在磷酸水溶液中混合含有硅微粒子的浓缩液，从而使硅存在于处理液中。
[0070](1)基板处理装置的结构
[0071]图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的结构的示意图。如图1所示，基板处理装置100主要包括处理部1、第一罐5、第二罐6、第三罐7、新液供给装置8以及控制部9。另外，处理部1包括旋转卡盘2、处理液喷嘴3、加热装置4以及杯⑶。在处理部1中，多张基板W —张一张地被依次处理。
[0072]旋转卡盘2具有旋转马达2a、旋转基座2b以及多个卡盘销2c。旋转马达2a设置为旋转轴与铅垂方向平行。旋转基座2b具有圆板形状，以水平姿势安装在旋转马达2a的旋转轴的上端部。多个卡盘销2c设置在旋转基座2b的上表面上，对基板W的周缘部进行保持。在多个卡盘销2c保持基板W的状态，使旋转马达2a动作。由此，基板W围绕铅垂轴进行旋转。
[0073]如上所述，在本例中，使用对基板W的周缘部进行保持的机械式的旋转卡盘2，但本发明并不限于此。也可以取代机械式的旋转卡盘2，而使用对基板W的下表面进行吸附保持的吸附式的旋转卡盘。
[0074]处理液喷嘴3以及加热装置4设置为，能够在由旋转卡盘2保持的基板W的上方的位置和基板W的侧方的待机位置之间移动。处理液喷嘴3将从第一罐5供给的磷酸水溶液(处理液)向由旋转卡盘2旋转的基板W供给。
[0075]在从处理液喷嘴3向基板W供给磷酸水溶液时，加热装置4配置在基板W的上方的位置。加热装置4包括产生红外线的灯加热器。加热装置4通过辐射热对基板W以及供给到基板W上的磷酸水溶液进行加热，抑制基板W上的磷酸水溶液的温度下降。由此，基板W上的磷酸水溶液的温度维持在比磷酸浓度的沸点高的温度(例如约170°C )，磷酸水溶液对硅氮化膜的蚀刻速率增加。
[0076]另一方面，在磷酸水溶液中的硅浓度处于合适的范围的情况下，磷酸水溶液对硅氧化膜的蚀刻速率充分低于对硅氮化膜的蚀刻速率。其结果，如上所述，有选择地蚀刻基板W上的硅氮化膜。
[0077]以包围旋转卡盘2的方式设置有杯⑶。杯⑶在向旋转卡盘2搬入基板W时以及从旋转卡盘2搬出基板W时下降，在向基板W供给磷酸水溶液时上升。
[0078]在向旋转的基板W供给磷酸水溶液时，杯CU的上端部相比基板W更靠上方。由此，从基板W甩掉的磷酸水溶液由杯CU挡住。由杯CU挡住的磷酸水溶液如后面叙述那样输送到第二罐6或第三罐7。
[0079]第一罐5包括循环槽5a以及贮存槽5b。循环槽5a以及贮存槽5b彼此相邻配置，在一个槽(例如循环槽5a)溢出的液体流入另一个槽(例如贮存槽5b)。在循环槽5a设置有磷酸浓度计S1。磷酸浓度计S1输出磷酸水溶液的磷酸浓度。在贮存槽5b设置有用于输出磷酸水溶液的液面高度的液面传感器S3。贮存槽5b与DIW(去离子水-De1nizedWater)供给系统91、以及氮气供给系统92。
[0080]以使第一罐5的贮存槽5b和处理部1的处理液喷嘴3连接的方式设置有第一供给配管10。在第一供给配管10上，从贮存槽5b向处理液喷嘴3依次安装有栗15、加热器14、过滤器13、阀12以及加热器11。
[0081]以使第一供给配管10的过滤器13和阀12之间的部分与循环槽5a连接的方式设置有循环配管16。在循环配管16上安装有阀17。
[0082]与第一罐5同样，第二罐6具有循环槽6a以及贮存槽6b，第三罐7具有循环槽7a以及贮存槽7b。在各循环槽6a、7a分别设置有磷酸浓度计S1。在各贮存槽6b、7b分别设置有液面传感器S3，并且，各贮存槽6b、7b分别与DIW供给系统91以及氮气供给系统92连接。
[0083]以使第一罐5的贮存槽5b与第二以及第三罐6、7的贮存槽6b、7b连接的方式设置有处理液补充系统20。处理液补充系统20是用于将在第二以及第三罐6、7贮存的处理液交替补充到第一罐5的供给系统，在第二罐6以及第三罐7之间切换来使用。处理液补充系统20具有一条主管20a和两条分支管20b、20c。
[0084]主管20a与第一罐5的贮存槽5b连接，在节点20d与分支管20b、20c连接。一条分支管20b与第二罐6的贮存槽6b连接，另一条分支管20c与第三罐7的贮存槽7b连接。
[0085]在主管20a上，从第一罐5向节点20d依次安装有阀21、硅浓度计S21、过滤器22、加热器23以及栗24。硅浓度计S21对在主管20a流通的磷酸水溶液进行取样来断续地检测该磷酸水溶液的硅浓度。
[0086]在一条分支管20b上安装有阀25。在另一条分支管20c上安装有阀26。以使主管20a的过滤器22和阀21之间的部分与循环槽6a连接的方式，设置有循环配管27。在循环配管27上安装有阀28。从循环配管27分支出循环配管29。循环配管29与循环槽7a连接。在循环配管29上安装有阀29a。
[0087]设置有处理液循环系统30，该处理液循环系统30具有使第二罐6的贮存槽6b的处理液回流到循环槽6a的功能，并且具有使第三罐7的贮存槽7b的处理液回流到循环槽7a的功能。处理液循环系统30在第二罐6和第三罐7之间被切换使用。
[0088]处理液循环系统30具有主管30a和两条分支管30b、30c。主管30a与两条分支管30b、30c在节点30d连接。一条分支管30b配设在第二罐6的贮存槽6b和节点30d之间，另一条分支管30c配设在第三罐7的贮存槽7b和节点30d之间。在一条分支管3