强层20、一第一布线结构120及一第二布线结构420，其中第一及第二布线结构120，420皆为不具有核心层的增层路由电路。
[0083]第一布线结构120位于加强层20的贯穿开口 205内，而第二布线结构420则位于加强层20的贯穿开口 205外，并侧向延伸至线路板100的外围边缘。因此，第一布线结构120的显露表面的面积(即，第一表面101的面积)小于第二布线结构420的显露表面的面积(即，第三绝缘层441下表面的面积)。第一布线结构120为多层路由电路，且包含扇出的导线图案，其由第一表面101处的较细微间距扇出至第二表面103处的较粗间距。
[0084]第二布线结构420侧向延伸于第一布线结构120的第二表面103/第二导线155上以及加强层20的第二表面203上，并通过第二布线结构420的第三导电盲孔447而电性耦接至第一布线结构120的接触垫158，其中第二布线结构420包含有第三导线445，且第三导线445延伸进入加强层20贯穿开口 205外的区域，并侧向延伸于加强层20的第二表面203上方。借此，第二布线结构420不仅可对第一布线结构120提供进一步的扇出线路结构，其还可以使第一布线结构120与加强层20机械接合。
[0085]加强层20环绕于第一布线结构120的外围边缘，并侧向延伸至线路板100的外围边缘，用以提供机械支撑并避免线路板100发生弯翘状况。加强层20也向上延伸超过第一布线结构120的第一表面101，以于加强层20的贯穿开口 205内形成凹穴206，同时，加强层20的第二表面203于向下方向上与第一布线结构120的第二导线155表面呈实质上共平面。
[0086]图18为第一半导体元件51接置于图17所示线路板100上的半导体组件剖视图，其中该第一半导体元件51绘示成一芯片进行说明。在此图中，该线路板100的底部表面处还具有防焊层61，其中防焊层61包含有防焊层开孔611，以显露第三导线445的选定部分。此外，第一半导体元件51位于凹穴206内，并以覆晶方式通过焊料凸块71而接置于第一布线结构120中显露的接合垫138上。再者，第一半导体元件51与第一布线结构120间的间隙可选择性地填入底胶81。
[0087]图19为堆叠式封装组件(package-on-package assembly)的剖视图，其通过焊球73以进一步将第二半导体元件53电性耦接至第一布线结构120的迭接垫139。据此，第二半导体元件53可通过焊料凸块71、焊球73及线路板100的第一布线结构120而与第一半导体元件51电性连接。
[0088][实施例2]
[0089]图20-28为本发明另一实施方面中，一种具有抗弯控制件的线路板制作方法图。
[0090]为了简要说明的目的，上述实施例1中任何可作相同应用的叙述皆并于此，且无须再重复相同叙述。
[0091]图20为次组件10与加强层20置于第三绝缘层441/金属层44上的剖视图。次组件10与图10所示结构相似，差异处仅在于，本实施例的牺牲载板110为双层结构。在此图中，第三绝缘层441夹置于次组件10与金属层44之间以及加强层20与金属层44之间，且第三绝缘层441接触次组件10的第二导线155及加强层20的第二表面203。第二导线155的表面于向下方向上与加强层20的第二表面203呈实质上共平面，且次组件10与加强层20间具有位于贯穿开口 205内的间隙207。加强层20侧向围绕该间隙207，且间隙207侧向围绕牺牲载板110及第一布线结构120。该牺牲载板110包括一支撑板111及沉积于支撑板111上的一阻障层113，且第一布线结构120形成于阻障层113上。阻障层113可具有0.001至0.1毫米的厚度，且可为一金属层，其中该金属层可于化学移除支撑板111时抵抗化学刻蚀，并可在不影响路由线路135下移除该金属层。举例说明，当支撑板111及路由线路135由铜制成时，该阻障层113可由锡或镍制成。此外，除了金属材料外，阻障层113也可以为一介电层，如可剥式积层膜(peelable laminate film)。在此实施例中，支撑板111为铜板，且阻障层113为厚度3微米的镍层。
[0092]图21为第三绝缘层441进入间隙207的剖视图。第三绝缘层441于施加热及压力下而流入间隙207中。受热的第三绝缘层441可在压力下任意成形。因此，夹置于次组件10与金属层44间以及加强层20与金属层44间的第三绝缘层441受到挤压后，将改变其原始形状并向上流入间隙207，进而同形被覆贯穿开口 205的侧壁及牺牲载板110与第一布线结构120的外围边缘。固化后的第三绝缘层441可提供次组件10与加强层20间、次组件10与金属层44间、以及加强层20与金属层44间的坚固机械性接合，以使次组件10固定于加强层20的贯穿开口 205内。
[0093]图22为具有第三盲孔443的剖视图，其显露第二导线155的接触垫158。在此，第三盲孔443延伸穿过金属层44及第三绝缘层441，并对准第二导线155的接触垫158。
[0094]图23及24分别为于第三绝缘层441上形成定位件444及第三导线445的剖视图及顶部立体示意图。在此，定位件444及第三导线445通过将被覆层44’沉积于金属层44上以及第三盲孔443中，接着再对金属层44及其上的被覆层44’进行图案化而形成。定位件444自第三绝缘层441向上延伸，并环绕第三绝缘层441的中央区域。第三导线445自接触垫158向上延伸，并填满第三盲孔443，以形成直接接触接触垫158的第三导电盲孔447，同时第三导线445于定位件444所围绕的中央区域外侧向延伸于第三绝缘层441上。如图24所示，定位件444由排列成矩形边框构型的连续金属凸条所组成，并与随后设置的抗弯控制件四侧边相符。
[0095]此阶段已完成于第一布线结构120及加强层20上形成第二布线结构420的工艺。在此图中，第二布线结构420包括第三绝缘层441及第三导线445。
[0096]图25及26分别为使用黏着剂83将抗弯控制件91贴附于第二布线结构420的剖视图及顶部立体示意图。抗弯控制件91贴附于第三绝缘层441，并由上方覆盖中央区域。定位件444朝向上方向延伸超过抗弯控制件91的贴附面，并且位于抗弯控制件91的四侧表面外，同时在侧面方向上侧向对准抗弯控制件91的四侧表面。据此，通过定位件444侧向对准并靠近抗弯控制件91的外围边缘，得以将抗弯控制件91限制于中央区域。此外，也可以于未使用定位件444的情况下，进行抗弯控制件91的贴附步骤。抗弯控制件91优选是具有0.1毫米至1.0毫米的厚度，且通常由高弹性模量材料(5GPa至500GPa)所制成，如陶瓷、石墨、玻璃、金属或合金。抗弯控制件91也可以使用树脂/陶瓷复合材，如模塑料(molding compound)。优选为，抗弯控制件91具有低热膨胀系数(可与娃约3ppm/K相比拟)。
[0097]图27为移除支撑板111后的剖视图。在此，由铜制成的支撑板111可通过碱性刻蚀溶液来移除。
[0098]图28为移除阻障层113后的剖视图。在此，由镍制成的阻障层113可通过酸性刻蚀溶液来移除，以由上方显露第一布线结构120的第一表面101。在阻障层113为可剥式积层膜(peelable laminate film)的另一方面中，该阻障层113可通过机械剥离或等离子体灰化(plasma ashing)方式来移除。
[0099]据此，如图28所示，已完成的线路板200包括一加强层20、一第一布线结构120、一第二布线结构420、一定位件444及一抗弯控制件91，其中第一及第二布线结构120，420皆为不具有核心层的增层路由电路。
[0100]第一布线结构120位于加强层20的贯穿开口 205内，而第二布线结构420则位于加强层20的贯穿开口 205外，并延伸至线路板100的外围边缘。在此图中，第一布线结构120于第一表面101处具有接合垫138及迭接垫139，且于第二表面103处具有接触垫158。由于接触垫158的尺寸及垫间距设计为比接合垫138的尺寸及垫间距大(其中接合垫138的尺寸及垫间距与随后接置于上的芯片I/O垫相符)，故第一布线结构120可提供初级的扇出路由，以确保下一级的增层电路互连工艺得以展现较高的生产合格率。第二布线结构420接触第一布线结构120及加强层20，并侧向延伸于第一布线结构120与加强层20上，同时电性耦接至第一布线结构120的接触垫158。此外，加强层20向上延伸超过第一布线结构120的第一表面101，以于加强层20的贯穿开口 205内形成凹穴206。
[0101]通过定位件444限定位置的抗弯控制件91是中心地对准于凹穴206，并由下方覆盖第二布线结构420。据此，位于第一布线结构120外围边缘的加强层20可对线路板200的边缘区域提供机械性支撑，而抗弯控制件91则可对线路板200的中央区域提供机械性支撑。通过加强层20及抗弯控制件91于线路板200两相对侧上提供的双重支撑作用，得以有效地避免线路板200发生弯翘问题。
[0102]图29为具有半导体元件55的半导体组件剖视图，其中绘示为芯片方面的半导体元件55接置于图28的线路板200上。在此，半导体元件55位于线路板200的凹穴206内，并以覆晶方式通过焊料凸块71而接置于第一布线结构120中显露的接合垫138上。此外，