表面处理铜箔的制作方法
【专利摘要】一种表面处理铜箔，于铜箔表面的XPS survey测定中，Si浓度为2.0％以上，N浓度为2.0％以上。本发明的课题在于：获得一种在提供“在适用于高频用途的液晶聚合物(LCP)积层有铜箔”的可挠性印刷基板(FPC)用铜箔时剥离强度提高的铜箔。
【专利说明】表面处理铜箔
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用以制造可良好地传送高频电气信号的可挠性印刷配线板（FPC) 的覆铜积层板用表面处理铜箔。
【背景技术】
[0002] 可挠性印刷配线板系通过下述方式制造：蚀刻基板的铜箔而形成各种配线图案， 并利用焊接连接电子零件而进行构装。铜箔根据其制造方法而分类成电解铜箔与压延铜 箔，于可挠性基板用铜箔中，由于耐弯曲性优异的压延铜箔较佳，故被广泛使用。又，于计算 机或移动体通讯等电子机器中，伴随着通讯的高速化及大容量化，电信号的高频化进展，从 而要求可与其相对应的印刷配线板及铜箔。
[0003] 虽然于计算机或移动体通讯等电子机器中电信号高频化，但若电信号的频率为 1GHz以上，则电流仅于导体的表面流通的集肤效应的影响变得显著，从而变得无法无视于 下述影响：因表面的凹凸而使电流传导途径变化，从而导体损耗增大。根据此观点亦为铜箔 的表面粗糙度小者较为理想。
[0004] 生箔的电解铜箔的表面系通过铜的电沉积粒子而形成，生箔的压延铜箔的表面系 通过与压延辊的接触而形成。因此，一般而言，生箔的压延铜箔的表面粗糙度比电解铜箔的 表面粗糙度小。又，关于粗化处理中的电沉积粒子，压延铜箔的电沉积粒子较细微。据此， 可说是压延铜箔作为高频电路用铜箔较为优异。
[0005] 另一方面，虽然愈是高频则数据的传输量愈大，但信号电力的损耗（衰减）亦变 大，变得无法读取数据，因此，限制FPC的电路长度。为了使上述的信号电力的损耗（衰减） 减小，而倾向于导体侧为铜箔的表面粗糙度小者，且树脂侧为从聚酰亚胺转变成液晶聚合 物。再者，自集肤效应的观点而言，最为理想的被认为是未形成粗化处理的粗糙度小的铜 箔。
[0006] 电子电路中的信号电力的损耗（衰减）大致可分为两种。第一种是导体损耗，即 铜箔所导致的损耗，第二种是介电体损耗，即基板所导致的损耗。于导体损耗，在高频区域 中具有下述特性：具有集肤效应，电流流经导体的表面。因此，若铜箔表面粗糙，则电流沿着 复杂的路径流动。如上所述，由于压延铜箔的粗糙度比电解铜箔小，故有导体耗损较少的倾 向。
[0007] 另一方面，液晶聚合物（LCP)系以液相（熔融或熔液）显示光学异向性的聚合物， 必须不使用接着剂地与铜箔积层。全芳香族聚酯系液晶聚合物即便于熔融状态亦显示分子 的配向性，于固体状态亦保持此状态，为显示热塑性的无卤素材料。
[0008] 液晶聚合物（LCP)其特征在于低介电率、低介电损失正切。此外，由于相对于LCP 的比介电率为3. 3,聚酰亚胺的比介电率为3. 5,相对于LCP的介电损失正切为0. 002,聚酰 亚胺的介电损失正切为〇.〇1，因此，液晶聚合物（LCP)于特性上较为优异。又，液晶聚合物 (LCP)为低吸水性，且具有低吸湿率的特征，具有电特性的变化少且尺寸变化少此一大优 点。
[0009] 于压延铜箔中，为了确保操作性，具有下述特征：于最后退火后进行压延的经压延 材料为最合适（例如，参阅专利文献1)。
[0010] 然而，具有液晶聚合物（LCP)与聚酰亚胺相比，其强度较弱，积层有铜箔的材料难 以表现出剥离强度此一大问题。铜箔的粗糙度愈大，则愈可得到物理上的锚固效果，故而有 剥离强度变高的倾向，但受到上述集肤效应的影响，于高频时的电特性恶化。
[0011] 又，虽然有许多高频电路用铜箔的提案（例如，参阅专利文献2、3、4、5)，但现状为 从压延铜箔的制造步骤的简化及使高频传导损耗减少的观点而言，仍未有有效的技术。
[0012] 专利文献1 :日本特开2〇〇3 _ 193211号公报
[0013] 专利文献2 :日本特公昭Η _ 54592号公报
[0014] 专利文献3 :日本特公平3 _ 34679号公报
[0015] 专利文献4 :日本特公平7 - 10564号公报
[0016] 专利文献5 :日本特开平5 _ 55746号公报。
【发明内容】
[0017] 本发明系有鉴于如上所述的问题点而完成者，以其为目的时，本案发明课题在于： 获得一种在提供"在适用于高频用途的液晶聚合物（LCP)积层有铜箔"的可挠性印刷基板 (FPC)用铜箔时剥离强度提高的铜箔。
[0018] 本发明人等，发现根据下述的理由可减少传输损耗。
[0019] 第一：于高频区域中，铜箔表面造成大幅影响。若表面粗糙度变大，则传输损耗变 大。因此，铜箔的表面粗糙度尽可能地调整为较小是有效的。
[0020] 第二：利用液晶聚合物（LCP)积层基板。但是为此必须提高与铜箔的接着强度（剥 离强度）。
[0021] 得到了通过解决以上的问题,可提供抑制了信号电力损耗（衰减）的可挠性印刷 基板（FPC)此知识见解。
[0022] 根据上述的知识见解，本案发明提供以下发明。
[0023] 1) 一种表面处理铜箔，于铜箔表面的XPS survey测定中，Si浓度为2. 0%以上，N 浓度为2.0%以上。
[0024] 2)如上述1)的表面处理铜箱，其系可挠性印刷电路基板用铜箔。
[0025] 3)如上述1)至2)中任一项记载的表面处理铜箔，其中，铜箔为压延铜箔或电解铜 箔。
[0026] 4)如上述1)至3)中任一项记载的表面处理铜箱，其系与由液晶聚合物构成的可 挠性印刷电路基板接合的铜箔。
[0027] 5)如上述1)至4)中任一项记载的表面处理铜箱，其中，与由液晶聚合物构成的可 挠性印刷电路基板接合的情形时的 9〇度常态剥离强度为0. 3kg/cm以上。
[0028] 6)如上述1)至5)中任一项记载的表面处理铜箔，其与可在超过1GHz的高频率下 使用的可挠性印刷电路板接合。
[0029] 通过本发明，可制造可使用于高频电路用途的表面处理铜箔，通过将该铜箔应用 于液晶聚合物（LCP)积层基板，可得到下述优异效果：可提高接着强度（剥离强度），且可 实现可于超过1GHz的高频率下使用的可挠性印刷电路板。
【具体实施方式】
[0030] 可使用于高频电路用途的表面处理铜箔其特征在于：于铜箔表面的XPS survey 测定中，Si浓度为2. 0%以上，N浓度为2. 0%以上。由此，于使铜箔接着于液晶聚合物（LCP) 积层基板时，可提高接着强度（剥离强度）。再者，作为达成上述铜箔表面的Si浓度与N浓 度的一个手段，可列举对铜箔表面进行硅烷处理。又，将本案的表面处理铜箔用于高频电路 用铜箔是有效的。
[0031] 于铜箔表面的XPS survey测定中，若Si浓度未达2.0%、N浓度未达2· 0%，则接 着强度不足，于铜箔表面的XPS survey测定中，Si浓度超过20. 0%、N浓度超过40. 0%以 上的情形，由于与LCP积层时会起泡，因此过多的话，并不佳。
[0032] 再者，硅烷涂布方法可为硅烷偶合剂溶液的喷雾吹附、涂布机涂布、浸渍、流附等 的任一种。关于这些，由于已为众所周知的技术（例如，参阅日本特公昭60 - 15654号公 报），故省略其细节。
[0033] 关于铜箔表面的Si及N的浓度，对经表面处理的铜箔的与树脂贴合的面利用XPS 测定survey光谱，求出最表面的Si浓度与N浓度。以下表示分析条件。
[0034] 装置：ULVAC - PHI股份有限公司制造的5600MC
[0035] 极限真空度：2. 0X 10-9Torr
[0036] 激发源：单色化ΑΙΚα
[0037] 功率：210W
[0038] 检测面积：800 μ m Φ
[0039] 入射角：45°
[0040] 取出角：45°
[0041] 无中和枪
[0042] 经提高接着强度的铜箔，成为最适合用于由液晶聚合物构成的可挠性印刷电路基 板的高频电路用铜箔。也就是说，可使与由液晶聚合物构成的可挠性印刷电路基板接合的 情形时的90度常态剥离强度为0. 3kg/cm以上。
[0043] 又，由于可提高铜箔的接着强度，故可应用于铜箔的表面粗糙度小（导体耗损少） 的压延铜箔及电解铜箔，可得到最合适的高频电路用铜箔。高频电路用铜箔可制造可在超 过1GHz的高频率下使用的可挠性印刷电路板。
[0044] 再者，本案发明的表面处理铜箔亦可具有粗化处理层及/或耐热处理层及/或防 锈处理层及/或铬酸盐处理层及/或镀敷处理层及/或硅烷偶合处理层。上述粗化处理层 并无特别限定，可应用所有的粗化处理层或公知的粗化处理层。上述耐热处理层并无特别 限定，可应用所有的耐热处理层或公知的耐热处理层。上述防锈处理层并无特别限定，可应 用所有的防锈处理层或公知的防锈处理层。上述镀敷处理层并无特别限定，可应用所有的 镀敷处理层或公知的镀敷处理层。上述铬酸盐处理层并无特别限定，可应用所有的铬酸盐 处理层或公知的铬酸盐处理层。
[0045] 例如，本案发明的表面处理铜箔亦可于其表面通过施予例如用于使与绝缘基板的 密合性变得良好等的粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过利用铜或铜合金来 形成粗化粒子而进行。粗化处理亦可为细微者。粗化处理层亦可为由选自由铜、镍、磷、钨、 砷、钼、铬、钴及锌构成的群中的任一单质或含有任一种以上的合金所构成的层等。
[0046] 又，于利用铜或铜合金来形成粗化粒子后，亦可进一步进行利用镍、钴、铜、锌的单 质或合金等来设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。之后，亦可利用镍、钴、铜、锌的单质或 合金等来形成耐热处理层或防锈处理层，亦可进一步于其表面施予铬酸盐处理、硅烷偶合 剂处理等的处理。或者，亦可不进行粗化处理，而以镍、钴、铜、锌的单质或合金等来形成耐 热处理层或防锈处理层，并进一步于其表面施予铬酸盐处理、硅烷偶合剂处理等的处理。 [0047]亦即，可于粗化处理层的表面形成选自由耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层 及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上的层，亦可于表面处理铜箔的表面形成选自由耐 热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上的层。再 者，上述耐热层、防锈处理层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层亦可各自形成多层（例如2层 以上、3层以上等）。又，于本发明中，"防锈处理层"包含"铬酸盐处理层"。
[0048]再者，若考虑与树脂的密合性，则较佳为于表面处理铜箔的最外层设置硅烷偶合 处理层。
[0049] 再者，作为粗化处理层，较佳为形成有铜的一次粒子层与在该一次粒子层上的由3 元系合金构成的二次粒子层，该3元系合金是由铜、钴及镍构成。
[0050] 又，较佳为该一次粒子层的平均粒径为0. 25?0. 45 μ m，该二次粒子层的平均粒 径为 0. 05 ?0. 25 μ m。
[0051] 又，可使用以下处理作为防锈处理或铬酸盐处理。
[0052] < Ni - Co 镀敷 > :Ni - Co 合金镀敷
[0053] (液体组成）Co : 1 ?20g/L, Ni : 1 ?20g/L
[0054] (pH) L 5 ?3· 5
[0055] (液温）30 ?8(TC
[0056] (电流密度）1 ?20A/dm2
[0057] (通电时间）0.5?4秒
[0058] < Zn - Ni 镀敷 > :Zn - Ni 合金镀敷
[0059] (液体组成）Zn : 10 ?30g/L，Ni : 1 ?10g/L
[0060] (pH) 3 ?4
[0061] (液温）40 ?50 Γ
[0062] (电流密度）〇. 5 ?5A/dm2
[0063] (通电时间）1?3秒
[0064] < Ni - Mo 镀敷 > :Ni _ Mo 合金镀敷
[0065] (液体组成）硫酸镍：270?280g/L,氯化镍：35?45g/L，乙酸镍：10?20g/L，钼 (以钼酸钠形式添加）：〇. 1?l〇g/L，柠檬酸三钠：15?25g/L，光泽剂：糖精、丁炔二醇等， 十一基硫酸钠：55?75ppm。
[0066] (pH) 4 ?6
[0067] (液温）55 ?65°C
[0068] (电流密度）1 ?llA/dm2
[0069] (通电时间）1?20秒
[0070] < Cu - Zn 镀敷 > :Cu - Zn 合金镀敷
[0071] (液体组成）NaCN : 10 ?30g/L，NaOH :40 ?lOOg/L, Cu :60 ?120g/L，Zn : 1 ?l〇g/ L
[0072] (液温）60 ?80°C
[0073] (电流密度）1 ?l〇A/dm2
[0074] (通电时间）1?1〇秒
[0075] <电解铬酸盐>
[0076] (液体组成）铬酸酐、铬酸、或重铬酸钙：1?l〇g/L，锌（添加的情形以硫酸锌的 形式添加）：〇?5g/L
[0077] (pH) 0· 5 ?10
[0078] (液温）40 ?60?
[0079] (电流密度）0· 1 ?2· 6A/dm2
[0080] (库伦量）0· 5 ?90As/dm2
[0081] (通电时间）1?30秒
[0082] <浸渍铬酸盐>
[0083] (液体组成）铬酸酐、铬酸、或重铬酸钙：1?l〇g/L，锌（添加的情形以硫酸锌的 形式添加）：〇?5g/L
[0084] (pH) 2 ?10
[0085] (液温）2〇 ?6〇?
[0086] (处理时间）1?30秒
[0087] 又，于硅烷偶合剂处理中，在使Si与Ν附着于铜箔表面的情形时，于硅烷偶合剂处 理中使用胺基硅烷。而且，使硅烷偶合剂处理液中的硅烷偶合剂的浓度比以往高（例如， 1. 5vol %以上），必须进行硅烷偶合剂处理。又，必须不使硅烷偶合剂处理后的干燥温度过 高，且不使干燥时间过长。其是由于在使干燥温度过高或使千燥时间过长的情形时，有存在 于铜箔表面的硅烷偶合剂会脱离的情形。
[0088] 硅烷偶合剂处理后的干燥，较佳例如为以干燥温度90?110°C、较佳为95°C? 105°C，干燥时间1?10秒钟、较佳为1?5秒钟来进行。
[00891又，于较佳的实施方案中，作为胺基硅烷，可使用含有1个以上的胺基及/或亚胺 基的硅烷。胺基硅烷中所含的胺基及亚胺基的数目例如可分别为1?4个，较佳为分别为 1?3个，更较佳为1?2个。于较佳的实施方案中，胺基硅烷中所含的胺基及亚胺基的数 目可分别为1个。
[0090] 胺基硅烷中所含的胺基及亚胺基的数目的合计为1个的胺基硅烷可特殊地称为 单胺基硅烷，为2个的胺基硅烷可特殊地称为二胺基硅烷，为3个的胺基硅烷可特殊地称为 三胺基硅烷。于本发明中可较佳地使用单胺基硅烷、二胺基硅烷。于较佳的实施方案中，作 为胺基硅烷，可使用含有1个胺基的单胺基硅烷。于较佳的实施方案中，胺基硅烷可设为于 分子的末端、较佳为直链状或支链状的链状分子的末端含有至少1个，例如1个胺基者。 [00 91]作为胺基娃烧，例如可列举：N - 2 -（胺基乙基）~ 3 -胺基丙基甲基二甲氧基 硅烷、N - 2 -（胺基乙基）_ 3-胺基丙基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三甲氧基硅烷、 1 一胺基丙基二甲氧基娃焼、2 _胺基丙基三甲氧基娃焼、1, 2 -二胺基丙基三甲氧基硅烧、 3 -胺基一 1 一丙烯基三甲氧基硅烷、3 -胺基一 1 _丙炔基三甲氧基硅烷、3 _胺基丙基三 乙氧基硅焼、3-二乙氧基赌基-Ν- (1,3-二甲基-亚丁基）丙纖、Ν_苯基_ 3__ 胺基丙基三甲氧基硅烷、Ν -(乙烯基苄基）-2 一胺基乙基-3 _胺基丙基三甲氧基硅 院、3 _胺基丙基二乙氧基桂烧、3 -胺基丙基三甲氧基娃焼、Ν- (2 一胺基乙基）-3 一胺 基丙基二甲氧基硅烷、Ν - (2 -胺基乙基）一 3 -胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、3 一（Ν - 苯基）胺基丙基三甲氧基硅烷。 一
[0092]又，于较佳的实施方案中，硅院偶合剂处理中可使用具有下式〗的结构式的硅烷。
[0093] 式 I :Η2Ν - R1 - Si (〇R2)2 (R3)
[0094] (其中，上述式I中，
[0095] R1为直链状或具有支链的饱和或不饱和、经取代或未经取代、环式或非环式、具有 杂环或不具有杂环的C1?C12的径的二价基，
[0096] R2为C1?C5的烷基，
[0097] R3为C1?C5的烷基或C1?C5的烷氧基。）
[0098] R1较佳为选自由下述者组成的群中的基：经取代或未经取代的C1?C12的直链 状饱和经的一价基、经取代或未经取代的C1?C12的支链状饱和烃的二价基、经取代或未 经取代的C1?C12的直链状不饱和烃的二价基、经取代或未经取代的 C1?C12的支链状 不饱和烃的二价基、经取代或未经取代的C1?C12的环式烃的二价基、经取代或未经取代 的C1?C12的杂环式径的二价基、经取代或未经取代的C1?C12的芳香族烃的二价基。 [00"]又，R1较佳为选自由下述者组成的群中的基：- （CH2)n-、_ (CH2)n 一（CH)m - (012)卜！-、- (CH2)n- (CC)-(。队一！-、-（CH2)n-NH-仰丄―、-（CH2) n-NH-(CH2) m NH (CH2) j _、_ (CH2) n _ ! _ (CH) NH2 - (CH2) m ^ 1 -、一 (CH2) n _ 1 - (CH) NH2 - (CH2)m_ ! - NH - (CH2)」一（其中，n、m、j 为 1 以上的整数）。
[0100] R1 较佳为一(CH2)n -或一(CH2)n - NH - (CH丄一。
[0101] n、m、j较佳为各自独立地为l、2或3。
[0102] R2较佳为甲基或乙基。
[0103] R3较佳为甲基、乙基、甲氧基、或乙氧基。
[0104] 又，于另一实施型态中，亦可通过溅镀、CVD及PDV等的千式镀敷而于铜箔表面设 置含有Si与N的层。然后，于之后以加热温度150?25(TC加热1秒?300秒即可。其是 由于通过加热可使存在于表层的Si与N朝铜箔侧扩散，因此可容易地将铜箔表面的Si与 N的浓度控制在特定范围。
[0105] 以下表示溅镀条件的一例。
[0106] (革巴）：Si :15 ?65mass%、N :25 ?55mass%，Si 浓度与 N 浓度合计在 50mass% 以上。剩余部分为任意的元素即可。
[0107](装置）ULVAC股份有限公司制造的溅镀装置 [0108](功率）DC50W
[0109] (氩压力）〇.2Pa
[0110] 实施例
[0111]以下根据实施例说明本发明。另，本实施例系表示较佳的一例，故本发明并不受到 这些实施例限制。因此，本发明的技术思想中所含的变形、其它实施例或态样全部皆被包含 于本发明中。再者，为了与本发明对比，亦并记比较例。
[0112](实施例1)
[0113]将于无氧铜中添加有l2〇〇ppm的Sn的铸锭进行熔制，于90(TC热压延此铸锭，从而 获得厚度l〇mm的板。之后，重复进行冷压延及退火，而冷压延成最后厚度为9 μ m的铜箔。 此压延铜箔的表面粗糙度为Rz 〇. 63 μ m。
[0114]接着，对上述压延铜箔以以下的条件实施镀Ni (未实施粗化处理）。
[0115]再者，镀Ni液的其余部分为水。又，本案中所记载的粗化处理、镀敷、硅烷处理、耐 热处理、防锈处理等中所使用的液体的其余部分亦若未特别记载，则为水。
[0116] Ni 离子：10 ?40g/L
[0117] 温度：30 ?70 °C
[0118] 电流密度：1?9A/dm2
[0119] 镀敷时间：0· 1?3. 0秒
[0120] ρΗ:1·0 ?5. 0
[0121] 接着，对上述进行了镀Ni的压延铜箔，以以下条件实施浸渍铬酸盐处理。
[0122] K2Cr207 :1 ?10g/L
[0123] 温度：20 ?60°C
[0124] 处理时间：1?5秒
[0125] 接着，实施表1所示的娃院偶合剂处理。
[0126] 硅烷种类：N _ 2 _(胺基乙基）一 3 _胺基丙基三甲氧基硅烷
[0127] 硅烷浓度：1.5vol%
[0128] 温度：10 ?60°C
[0129] 处理时间?5秒
[0130] 硅烷处理后的干燥：100°C X3秒
[0131] 其结果，硅烷偶合剂处理后的铜箔表面粗糙度Rz(十点平均粗糙度）成为 0.63μηι。再者，Rz系根据JIS B0601 - 1982,使用小阪研究所股份有限公司制造的接触 粗糙度计Surfcorder SE - 3C触针式粗糖度计来进行测定。关于铜箱表面的Si浓度与N 浓度，利用XPS survey测定，Si浓度为2.2%，N浓度为5.0%，且高频特性亦良好。又，利 用XPS survey测定所测定的Si浓度、N浓度系原子浓度（atom% )。再者，于通过本测定 而检测出Si及N的情形时，可判定为于表面处理铜箔存在有缘自于胺基硅烷的硅烷偶合处 理层。
[0132] 关于以下实施例及比较例的铜箔表面的Si浓度与N浓度的测定法（评价方法）， 由于以同样的方式实施，故为了避免繁杂，将此操作方法的说明省略。
[0133] 以上的结果为，达成于铜箔表面的XPS survey测定中，Si浓度为2.0%以上，N浓 度为2. 0%以上此本案发明的条件。
[0134] 将以上述方式制得的经娃烷处理的压延铜箔，通过压合而贴合于厚度50 μ m的液 晶聚合物（Kuraray制造的Vecstar CT - Z)的树脂。使用以上述方式而得的试料，测定90 度剥离强度。
[0135] 剥离强度系将电路宽度设为3mm,于90度的角度下以50mm/min的速度剥离树脂与 铜箔的情形。测定 2次，求其平均值。
[0136] 此剥离强度的测定，系根据JIS C6471 _ 1995(以下相同）。此结果，得到90度剥 离强度为0. 32kg/cm。将其结果示于表1。如本实施例1所示，可知实施例1的经表面处理 的压延铜箔，具有作为高频用电路基板的素材的工业上充足的表面性能。 、
[0137] 又，于将此铜箔贴合于50 μ m的液晶聚合物后，为了调查高频特性，形成了微带状 线结构。此时，以特性阻抗成为50 Ω的方式进行电路形成。使用此电路进行传输损耗的测 定，于30GHz的频率中的传输损耗小于一 〇. 6的情形，将高频特性记为?。
[0138] 又，将一0. 6?一〇· 8的情形记为〇，将一〇. 8?一1. 2的情形记为Λ，将传输损 耗比一 1.2大的情形记为X。再者，此测定值仅作为参考，并非为限定范围者。
[0139] [表 1]
[0140]
【权利要求】
1. 一种表面处理铜箔，于铜箔表面的XPS survey测定中，Si浓度为2. Ο %以上，N浓度 为2. 0%以上。
2. 如权利要求第1所述的表面处理铜箔，其系可挠性印刷电路基板用铜箔。
3. 如权利要求第1或2所述的表面处理铜箔，其中，铜箔为压延铜箔或电解铜箔。
4. 如权利要求1至3中任一项所述的表面处理铜箔，其系与由液晶聚合物构成的可挠 性印刷电路基板接合的铜箔。
5. 如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其中，与由液晶聚合物构成的可挠 性印刷电路基板接合的情形时的90度常态剥离强度为0. 3kg/cm以上。
6. 如权利要求1至5中任一项所述的表面处理铜箔，其与可在超过1GHz的高频率下使 用的可挠性印刷电路板接合。
7. 如权利要求1至6中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于铜箔表面的XPS survey 测定中，Si浓度为20.0%以下。
8. 如权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于铜箔表面的XPS survey 测定中，N浓度为40.0%以下。
9. 如权利要求1至8中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于铜箔表面具有选自由粗化 处理层、耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层构成的群中的1种以上 的层。
10. 如权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于铜箔表面具有铬酸盐处 理层，于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
11. 如权利要求1至10中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于铜箔表面具有粗化处理 层，于该粗化处理层上具有铬酸盐处理层，于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
12. 如权利要求1至11中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于铜箔表面具有粗化处理 层，于该粗化处理层上具有防锈处理层，于该防锈处理层上具有铬酸盐处理层，于该铬酸盐 处理层上具有硅烷偶合处理层。
13. 如权利要求1至12中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于铜箔表面具有粗化处理 层，该粗化处理层具有一次粒子层与在该一次粒子层上的二次粒子层。
14. 如权利要求第13所述的表面处理铜箔，其中，该粗化处理层具有铜之一次粒子层 与在该一次粒子层上的由3元系合金构成的二次粒子层，该3元系合金是由铜、钴及镍构 成。
15. 如权利要求第13或14所述的表面处理铜箔，其中，该粗化处理层具有铜之一次粒 子层与在该一次粒子层上的由3元系合金构成的二次粒子层，该3元系合金是由铜、钴及 镍构成，该一次粒子层的平均粒径为〇. 25?0. 45 μ m，该二次粒子层的平均粒径为0. 05? 0. 25 μ m〇
16. 如权利要求13至15中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于该粗化处理层上具有 铬酸盐处理层，于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处理层。
17. 如权利要求13至16中任一项所述的表面处理铜箔，其中，于该粗化处理层上具有 防锈处理层，于该防锈处理层上具有铬酸盐处理层，于该铬酸盐处理层上具有硅烷偶合处 理层。
【文档编号】H05K1/09GK104246013SQ201380018060
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年3月29日 优先权日:2012年3月29日
【发明者】福地亮 申请人:Jx日矿日石金属株式会社