一种AlON片状陶瓷粉体的制备方法
【专利摘要】一种AlON片状陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：将粒度为0.1~2μm的Al粉和Al2O3粉体混合均匀，经干压成型后在氮气气氛下1600~2000℃的温度下30~180分钟烧制，研磨制成AlON片状陶瓷粉体，其中Al粉和Al2O3粉体以Al：Al2O3摩尔之比为1~5的比例均匀混合制成的。本发明制备的AlON陶瓷粉体为片状结构，显微结构均匀。
【专利说明】—种AION片状陶瓷粉体的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种AlON片状陶瓷粉体的制备方法，属于陶瓷制备【技术领域】。
【背景技术】
[0002]AlON陶瓷材料具有优良的耐高温性能、高温力学性能和热学性能，被广泛应用于航空航天、电子、机械、冶金等领域。但是，由于其抗氧化能力较差，在有氧存在的条件下约1000°C左右开始氧化，因此，严重制约该材料的应用领域。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种AlON片状陶瓷粉体的制备方法。其技术方案为: 一种AlON片状陶瓷粉体的制备方法，将粒度为0.1-2ΜΠ1的Al粉和Al2O3粉体混合均
匀，经干压成型后在氮气气氛下160(T2000°C的温度下30-180分钟烧制，研磨制成AlON片状陶瓷粉体，其中Al粉和Al2O3粉体是以Al =Al2O3摩尔之比为I飞的比例均匀混合制成的。
[0004]本发明与现有技术相比，其优点为:
1、本发明制备的AlON片状陶瓷粉体显微结构均匀，片与片之间成一定角度，并与机体相连；
2、每一个晶粒表面为片状AlON相连形成网络结构，在与其他晶体复合时形成弱界面联系。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]图1是实施例1制备的AlON片状陶瓷粉体XRD照片；图2是实施例2制备的AlON片状陶瓷粉体显微照片。
【具体实施方式】
[0006]实施例1
将粒度为0.1Mffl的Al粉和Al2O3粉体均匀混合，经干压成型后在氮气气氛下1600°C的温度下180分钟烧制，然后研磨制成AlON片状陶瓷粉体，其中Al粉和Al2O3粉体是以Al:Al2O3摩尔之比为I的比例均匀混合制成的。
[0007]实施例2
将粒度为0.1Mffl的Al粉和Al2O3粉体均匀混合，经干压成型后在氮气气氛下1600°C的温度下180分钟烧制，然后研磨制成AlON片状陶瓷粉体，其中Al粉和Al2O3粉体是以Al:Al2O3摩尔之比为2的比例均匀混合制成的。
[0008]实施例3
将粒度为2Mm的Al粉和Al2O3粉体均匀混合，经干压成型后在氮气气氛下2000°C的温度下30分钟烧制，然后研磨制成AlON片状陶瓷粉体，其中Al粉和Al2O3粉体是以Al =Al2O3粉体之以摩尔比为3.5的比例均匀混合制成的。[0009]实施例4
将粒度为IMffl的Al粉和Al2O3粉体均匀混合，经干压成型后在氮气气氛下1800°C的温度下90分钟烧制，然后研磨制成AlON片状陶瓷粉体，其中Al粉和Al2O3粉体是以Al =Al2O3摩尔比为5的比例均匀`混合制成的。
【权利要求】
1.一种AlON片状陶瓷粉体的制备方法，其特征在于:将粒度为0.1~2mu的Al粉和Al2O3粉体混合均匀，经干压成型后在氮气气氛下160(T2000°C的温度下3(Tl80分钟烧制，研磨制成AlON片状陶瓷粉体，其中Al粉和Al2O3粉体是以Al =Al2O3摩尔之比为I飞的比例均匀混合制 成的。
【文档编号】C04B35/58GK103755349SQ201310611067
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年11月28日 优先权日:2013年11月28日
【发明者】唐竹兴, 王洪忠, 邢新明, 褚为静 申请人:山东理工大学