专利名称：一种改善有机发光器件寿命的像素电路的制作方法
技术领域：
一种改善有机发光器件寿命的像素电路 技术领域 本实用新型涉及一种改善有机发光器件寿命的像素电路，属于显示 技术领域。
技术背景 有机发光器件(0LED)可以用被动矩阵(PM)驱动，也可以用主动 矩阵驱动(AM)。相比PM驱动，AM驱动具有显示的信息容量较大，功耗 较低，器件寿命长，画面对比度高等优点。而PM驱动适用于低成本的、 简单的显示器件。 在玻璃基板上制作的用于認驱动OLED的器件，目前有两种，即非 晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)与低温多晶硅(LTPS) TFT。 TFT器件长期工作在直流电压偏置状态下，会发生器件特性的漂移。 如果不采取某种措施处理这种漂移，利用发生特性漂移的器件驱动0LED, 会导致OLED电流下降，显示器件亮度降低，器件过早失效。 在AMOLED中驱动0LED的TFT在工作过程中长期处于电压或电流偏 置状态，会发生特性漂移。通常对于阈值电压VTH会升高。因此，在AM0LED 中必须进行特殊的处理，以应对TFT器件衰减问题。 图1表示了一个延长TFT寿命的方案，该方案使用了两个相同的驱 动TFT102、 103轮流驱动0LED。实现的方法是在两个驱动TFT的漏极分 别加上两个波形互补的电压信号110、 111，当驱动TFT (102或103)处 于低电平时，驱动TFT (102或103)不给OLED器件提供电流，此时另外 一个驱动TFT (103或102)为0LED器件105提供电流。这个方案的优点 在于弥补传统2T1C驱动电路中，单个驱动TFT长期加直流偏置电压使
阈值电压的漂移加速，影响TFT寿命的缺点。轮流使用两个驱动TFT，使 偏置电压周期性地分别加到两个TFT上，达到减少单个驱动TFT直流偏 置时间，增加TFT寿命的目的。
图1所示的TFT寿命的方案，其缺点在于(1)当其中一个驱动TFT (102或103)不为0LED器件105供电时，其栅源极仍然会有偏置电压 Vgs，长期加上偏置电压Vgs也会产生Vth漂移，只是比传统电路的驱动 TFT漂移减少一些；(2)高电位110与低电位111的电压值设置困难，因 为其两端输入驱动波形完全互补，不供电的驱动TFT成为供电TFT的负 载，产生电流流过不供电的TFT，同样会加速TFT的Vth漂移，甚至会影 响加到TFT阳极的电压。
针对上述技术中存在的不足，需要解决的问题是，如何把轮流供电 的两个驱动TFT的相互影响减少到最低，以及通过简单的高电位与低电 位的电压设置，使不供电的驱动TFT不影响OLED的灰阶显示。减少不供 电TFT对供电TFT和OLED的影响，能使驱动TFT阈值电压的漂移减慢， 同时不会影响OLED的灰阶显示，达到延长AMOLED寿命的效果。 发明内容
本实用新型的目的在于提供一种有机发光器件的有源驱动的像素电 路，该像素电路能够减少不供电TFT对供电TFT和OLED的影响，能使驱 动TFT阈值电压的漂移减慢，同时不会影响OLED的灰阶显示，延长AMOLED 寿命。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是由两个驱动TFT对OLED 轮流供电，在这两个驱动TFT的漏极输入，其输入波形201、 202互补， 波形信号在TFT工作高电平204与高阻态203之间不断转换。其目的是 把不供电的TFT的漏极连接到高阻态203，这时漏极处于高阻态的TFT会 呈现断路状态，不会成为另一个供电TFT的负载，不会产生流经不供电
TFT的电流，降低TFT的漂移速度，增加AMOLED器件的寿命。当TFT对 OLED从不供电到供电转换时，漏极端供电由高阻态转变为VDD供电，此 时TFT从断路状态转变为导通，为OLED器件供电。高阻态的实现以及转 换，可以通过在像素电路中增加TFT开关或通过系统电路提供。
本实用新型的有益效果通过使不供电TFT的漏极处于高阻态，即 TFT呈现断路的状态，使不工作的TFT不会成为供电TFT的负载，不影响 流过OLED电流的大小。与现有的技术相比，产生的有益效果是不供电的 TFT本身没有电流流过，自身的阈值电压漂移变慢，增加TFT器件的寿命； 同时在两个驱动TFT轮流使用的过程中，不会对OLED的灰阶显示造成影 响，即能有更稳定的画面质量；为驱动TFT供电的高电平取值容易，一 个驱动TFT的工作高电平的取值不必考虑另一个处于高阻态的驱动TFT 的影响。
以下结合附图和实施例对本实用新型作比较详细的说明。
图1是一种现有技术像素电路结构与输入波形示意图； 其中，
101:控制像素数据电压写入的TFT;
102:驱动OLED器件的TFTl; 103:驱动0LED器件的TFT2; 104:存储电容； 105: OLED器件; 110:低电平电压； 111:高电平电压
图2为驱动TFT漏极输入波形示意图； 其中，201:驱动0LED器件的TFT1的漏极端输入波形； 202:驱动0LED器件的TFT2的漏极端输入波形；
203:高阻态；
204: TFT工作高电平Vdd。
图3是本实用新型的实施例1像素电路结构示意图； 其中，
301:控制像素数据电压写入的TFT;
302:驱动0LED器件的TFT1;
303:驱动0LED器件的TFT2;
304:控制302漏极端输入波形的开关TFT;
305:控制303漏极端输入波形的开关TFT;
306:存储电容；
307: OLED器件;
310: TFT不工作的低电平；
311: TFT工作高电平Vdd。
图4是本实用新型的实施例2像素电路结构示意图； 其中，
401:控制像素数据电压写入的TFT; 402:驱动0LED器件的TFT1; 403:驱动0LED器件的TFT2;
404:存储电容；
405: OLED器件;
406:可编程逻辑电路。
具体实施方式
本实用新型的电路结构是由两个驱动TFT对OLED轮流供电，在这
两个驱动TFT的漏极输入如图2所示的波形，为0LED器件供电的驱动 TFT的漏极端接入工作高电平204，不为OLED器件供电的驱动TFT连接 上高阻态203。
本实用新型的创新之处在于为不工作的驱动TFT连接上高阻态203， 使两个驱动TFT间的影响减少，不会有电流流经不工作的驱动TFT，减 少TFT阈值电压的漂移，增加TFT工作寿命。
下面所述的两个实施例，就是分别在像素电路与系统电路上实现驱 动TFT的高阻态输入。
参照图3，这是本实用新型的实施例1像素电路结构示意图。
如图所示，在像素电路上实现驱动TFT的高阻态输入。像素电路引 入两个TFT304、 305，配合图3中的输入波形，实现TFT304、 305的开 路与断路。当其中一个驱动TFT (302或303)对OLED供电时，相应的 开关TFT(304或305)的漏极与栅极加上TFT工作高电平310，使驱动 TFT(302或303)导通，实现向OLED器件307的供电；当驱动TFT(302 或303)不供电时，在相应的开关TFT(304或305)漏极与栅极加上关断 低电平，开关TFT(304或305)处于截止状态，实现不供电的TFT (302 或303)的漏极高阻态。
相比图1背景技术中像素电路，实施例一电路中的输入波形中的高 电平310与低电平311取值简单，取值只需考虑单个驱动TFT的工作电 压范围即可，不必考虑另外另一个驱动TFT的影响。
参照图4，这是本实用新型的实施例2像素电路结构示意图。
如图所示，在系统电路上实现高阻态的输入。加上可编程逻辑电路 406，把电源Vdd信号按图2的波形直接分配到两个驱动TFT(402和403) 中，通过可编程逻辑电路406，实现为OLED器件405供电的TFT (402 或403)漏极连接Vdd，不供电的TFT (403或402)的漏极端为断路状态，
即连接的是高阻态。
虽然本实用新型已参照上述的实施例来描述，但是本技术领域中的 普通技术人员，应当认识到以上的实施例仅是用来说明本实用新型， 应理解其中可作各种变化和修改而在广义上没有脱离本实用新型，所 以并非作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的实质精神范围 内，对以上所述的实施例的变化、变形都将落入本实用新型权利要求 的保护范围。
权利要求1、改善有机发光器件寿命的像素电路，包括TFT301、302、303，存储电容306，OLED器件307；其特征在于该电路还包括两个驱动TFT304、305，所述的驱动TFT304、305对OLED轮流供电；上述的TFT301，用于控制像素数据电压写入，TFT302，用于驱动OLED器件的TFT1，TFT 303，用于驱动OLED器件的TFT2，TFT 304，用于控制302漏极端输入波形的开关，TFT 305，用于控制303漏极端输入波形的开关，存储电容306，用于充电，晶体管302或303向发光二极管OLED D1供给电流，执行发光操作。
2、 如权利要求1所述的改善有机发光器件寿命的像素电路，其特 征在于所述的两个驱动TFT304、 305，它的漏极输入，其输入波形201、 202互补。
3、 如权利要求1或2所述的改善有机发光器件寿命的像素电路， 其特征在于所述的波形信号，在TFT工作高电平204与高阻态203之 间不断转换。
4、 如权利要求1所述的改善有机发光器件寿命的像素电路，其特 征在于所述的加上可编程逻辑电路406，把电源Vdd信号，直接分配到 两个驱动TFT402和403中，通过可编程逻辑电路406，实现为OLED器件 405供电的TFT402和403漏极连接Vdd，不供电的TFT403或402的漏极 端为断路状态，即连接的是高阻态。
专利摘要本实用新型涉及一种改善有机发光器件寿命的像素电路，包括TFT301、302、303，存储电容306；OLED器件307；该电路还包括驱动TFT304、305，对OLED轮流供电执行发光操作。TFT304、305它的漏极输入，其输入波形201、202互补；在TFT工作高电平204与高阻态203之间不断转换。可编程逻辑电路406，把电源Vdd信号按波形直接分配到两个驱动TFT(402和403)中，通过可编程实现为OLED器件405供电的TFT(402或403)漏极连接Vdd，不供电的TFT(403或402)的漏极端为断路状态。该像素电路能够减少不供电TFT对供电TFT和OLED的影响，能使驱动TFT阈值电压的漂移减慢，同时不会影响OLED的灰阶显示，达到延长AMOLED寿命的效果。
文档编号G09F9/33GK201177956SQ200820056990
公开日2009年1月7日 申请日期2008年4月7日 优先权日2008年4月7日
发明者张晓建, 李俊峰 申请人:上海广电光电子有限公司