液晶显示器阵列基板及其制造方法

专利名称：液晶显示器阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，特别是一种液晶显示器阵 列基板及其制造方法。
背景技术：
液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)的主体结构包括对盒在一起 并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号 的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极，彩膜基板上形 成有黑矩阵、彩色树脂和提供公共电压的公共电极。在将阵列基板和彩膜基 板对盒在一起的一次性封框胶涂覆工艺中，为了保证阵列基板的公共电极和 彩膜基板的公共电极导通，通常在封框胶中掺入一定比例和大小的金球。
图21为现有技术封框胶区域的平面图，图22为图21中E-E向剖面图。 阵列基板上涂覆封框胶的区域称之为封框胶区域100,封框胶区域100与阵 列基板10上的数据线11有重叠，当阵列基板10和彩膜基板20通过封框胶 对盒后，封框胶中掺入的金球30将会分布在封框胶区域100内，尤其是封框 胶区域100与数据线11重叠的区域。当后续工艺出现静电时，由于数据线 11和金球30的存在，静电将会集中在两个位置 一个是金球30表面， 一个 是数据线ll表面，而根据尖端放电原理，数据线11表面上的静电将会集中 在数据线11的边角位置。
实际生产表明，现有技术具有尖锐边角的数据线形状非常容易使静电在 数据线边角和金球之间产生静电释放，烧毁钝化层12,造成数据线11和金 球30之间发生短路。由于金球30与彩膜基板20的公共电极21直接连接， 数据线11和金球30之间的短路导致该位置的数据线11与彩膜基板20的公共电极21导通，显示区域的信号不能被传递，液晶分子不能偏转，出现亮线 不良。由于该亮线不良缺陷发生在成盒工艺之后，修复难度很大，修复成功 率不高，降低了生产良品率。

发明内容
本发明的目的是提供一种液晶显示器阵列基板及其制造方法，有效解决 现有液晶显示器由于数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方法， 包括
步骤ll、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、 TFT沟道区域和钝化层的结构图形；
步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶 区域内形成防静电电极图形。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方 法，包括
步骤21、在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；
步骤22、在完成步骤21的基板上形成包括数据线、源电极、漏电极和
TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状
或阶梯状；
步骤23、在完成步骤22的基板上形成包括钝化层和像素电极的结构图形。
所述步骤22可以具体包括在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜； 在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数 据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用湿法刻蚀工艺对未覆盖 光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT 沟道区域的结构图形，且刻蚀中，沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向刻蚀速度逐渐增大，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集
的斜坡状；剥离剩余的光刻胶。
所述步骤22也可以具体包括在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄 膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理， 使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用干法刻蚀工艺对未 覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和 TFT沟道区域的结构图形，然后通过至少一次的光刻胶灰化、数据线边缘刻 蚀工艺，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的阶梯状；剥离剩余的光 刻胶。
在上述技术方案基础上，所述步骤23具体包括在完成步骤22的基板 上形成钝化层图形；在形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静 电电极图形，所述防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。
为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器阵列基板，包括形成 在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，还包括与所述像素 电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶区域，并位于 数据线上方。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示器阵列基板，包括形 成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，在封框胶区域， 所述数据线的两侧^没置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状。进一步地，还包 括与所述像素电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶 区域，并位于凝:据线上方。
本发明提供了 一种液晶显示器阵列基板及其制造方法，通过将数据线两 側设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状，有效分散了数据线边角可能引起 的静电释放，同时在封框胶区域形成防静电电极，防静电电极与金 连接， 当金球表面有静电累积时，利用大面积的防静电电极增加金球表面静电释放 的面积，降低金球表面静电累积的密度，因此可以避免数据线与金球之间的静电释放，有效防止数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。


图l为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第一实施例的流程图； 图2为本发明第一实施例中形成防静电电极后的平面图； 图3为图2中A-A向剖面图4为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例的流程图； 图5为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例第一种实施 方法的流程图6为本发明第二实施例第一种实施方法中数据线刻蚀后的平面图； 图7为图6中B-B向剖面图8为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例第二种实施 方法的流程图9为本发明第二实施例第二种实施方法中形成数据线后的剖面图IO为本发明第二实施例第二种实施方法中灰化工艺后的剖面图11为本发明第二实施例第二种实施方法中第二次刻蚀工艺后的剖面
图12为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例的流程图； 图13为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例第一种实 施方法的流程图14为本发明第三实施例第一种实施方法形成防静电电极后的平面图； 图15为图14中C-C向剖面图16为本发明第三实施例第一种实施方法中封框胶区域的平面图； 图17为图16中D-D向剖面图18为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例第二种实施方法的流程图19为本发明第三实施例第二种实施方法形成防静电电极后的结构示
意图20为本发明第三实施例第二种实施方法中封框胶区域的结构示意
图21为现有技术封框胶区域的平面图； 图22为图21中E-E向剖面图。 附图标记说明
IO—阵列基板； 20—彩膜基板； 30—金球；
40—防静电电极； 50—光刻胶； 11—数据线；
12 —钝化层； 21 —公共电极。
具体实施例方式
图1为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第一实施例的流程图，具 体包括
步骤ll、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、 TFT沟道区域和钝化层的结构图形；
步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶 区域内形成防静电电极图形。
本实施例提供了 一种液晶显示器阵列基板的制造方法，在形成像素电极 图形的同时形成防静电电极，且防静电电极位于封框胶区域内，封框胶区域 是后续阵列基板和彩膜基板对盒时涂覆封框胶的区域，而封框胶中含有金 球。在阵列基板和彩膜基板通过封框胶对盒后，当封框胶中的金球与防静电 电极接触时，利用大面积的防静电电极增加了金球表面静电释放的面积，降 低了金球表面静电累积的密度，因此可以避免数据线与金球之间的静电释放， 有效防止数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷本实施例步骤ll中，形成栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT 沟道区域和钝化层等结构图形的过程可以采用现有成熟的构图工艺。例如， 当采用现有的五次构图工艺时，形成结构图形的过程为首先在基板上沉积 栅金属薄膜，使用普通掩模板通过构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在基板 上形成栅线和栅电极图形；在完成上述图形的基板上依次沉积栅绝缘层、半 导体层和掺杂半导体层(欧姆接触层)，其中半导体层和摻杂半导体层组成 有源层，使用普通掩模板通过构图工艺对半导体层和掺杂半导体层进行构图， 在栅电极上形成有源层图形；在完成上述图形的基板上沉积源漏金属薄膜， 使用普通掩模板通过构图工艺对源漏金属薄膜进行构图，在基板上形成数据 线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形；在完成上述图形的基板上沉积钝 化层，使用普通掩模板通过构图工艺对钝化层进行构图，在漏电极位置形成 钝化层过孔图形。又如，当采用现有的四次构图工艺时，形成结构图形的过 程为首先在基板上沉积栅金属薄膜，使用普通掩模板通过构图工艺对栅金 属薄膜进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形；在完成上述图形的基板 上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，使用半色 调或灰色调掩模板通过分步蚀刻，在基板上形成数据线、源电极、漏电极和 TFT沟道区域图形；在完成上述图形的基板上沉积钝化层，使用普通掩模板 通过构图工艺对钝化层进行构图，在漏电极位置形成钝化层过孔图形。
本实施例步骤12中，在完成步骤11的基板上沉积透明导电薄膜，使用 普通掩模板通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，同时形成像素电极和防 静电电极图形，其中像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，防静电电极形 成在封框胶区域内，防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。
图2为本发明第一实施例中形成防静电电极后的平面图，图3为图2中 A-A向剖面图。如图2和图3所示，防静电电极40位于钝化层12上，只形 成在封框胶区域且与像素电极绝缘。防静电电极40既可以是完全覆盖封框胶 区域的块状，也可以是位于封框胶区域的数个条状，每个条状的防静电电极40位于数据线11上方，只覆盖数据线11所对应的区域。实际应用中，条状 的防静电电极沿着数据线的方向设置，长度要大于封框胶区域的长度，宽度 要大于数据线的宽度。由于防静电电极位于封框胶区域内，在阵列基板和彩 膜基板通过封框胶对盒后，当封框胶中的金球与防静电电极接触时，使防静 电电极与金球一起形成一个大面积的静电累积表面，增加了金球表面静电释 放的面积，当金球表面有静电累积时，可以充分分散静电分布，降低金球表 面静电累积的密度，因此可以避免数据线与金球之间的静电释放，有效防止 数据线和金球之间静电击穿烧毁钝化层现象的发生，有效杜绝了由于数据线 和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
图4为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例的流程图，具 体包括
步骤21、在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；
步骤22、在完成步骤21的基板上形成包括数据线、源电极、漏电极和
TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状
或阶梯状；
步骤23、在完成步骤22的基板上形成包括钝化层和像素电极的结构图形。
本实施例提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方法，通过将数据线两 側设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状，有效分散了数据线边角可能引起 的静电释放，因此可以避免数据线与金球之间的静电释放，有效防止数据线 和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
下面通过具体实施例进一步说明本实施例的技术方案。在以下说明中， 本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和剥离等工艺， 其中光刻胶以正性光刻胶为例。
图5为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例第一种实施方 法的流程图，具体包括步骤201、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺在基板上形成包括 栅线和栅电极的结构图形；
步骤202、在完成步骤201的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺 杂半导体层，通过构图工艺在栅电极上方形成包括有源层的结构图形；
步骤203、在完成步骤202的基板上沉积源漏金属薄膜；
步骤204、在完成步骤203的基板上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光 和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；
步骤205、采用湿法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀， 形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，且刻蚀中， 沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向刻蚀速度逐渐增大， 使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的斜坡状；
步骤206、在完成步骤205的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包 括4屯化层过孔的结构图形；
步骤207、在完成步骤206的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形 成包括像素电极的结构图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。
首先，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板上沉积栅金属薄 膜，基板可以采用玻璃基板或石英基板，栅金属薄膜可以使用钼、铝、铝钕 合金、钨、铬、铜等金属，或以上金属组成的多层薄膜。使用普通掩模板通 过构图工艺对栅金属薄膜进行构图，在基板上形成栅线和栅电极图形，同时 也可以形成其他结构图形，如公共电极图形。
在完成上述图形的基板上，采用化学气相沉积或其它成膜方法依次沉积 栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层(欧姆接触层)，其中半导体层和掺杂 半导体层组成有源层。使用普通掩模板通过构图工艺对半导体层和掺杂半导 体层进行构图，在基板上形成有源层图形。
在完成上述图形的基板上，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积 源漏金属薄膜，源漏金属薄膜可以使用钼、铝、铝钕合金、鴒、铬、铜等金属，或以上金属组成的多层薄膜。在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶后，使 用掩模板对光刻胶进行膝光，使光刻胶形成未曝光区域和完全曝光区域，未 曝光区域对应于数据线、源电极和漏电极图形所在区域，完全曝光区域对应 于其它区域。通过显影处理，去除完全曝光区域的光刻胶，保留未曝光区域 的光刻胶，即数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶。采用湿法刻 蚀工艺对完全曝光区域(未覆盖光刻胶的区域)的源漏金属薄膜进行刻蚀，
形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，在刻蚀中， 位于源漏金属薄膜与光刻胶接触界面位置的横向刻蚀速度较大，使所述数据 线的两側形成可防止静电聚集的斜坡状，最后剥离剩余的光刻胶，完成本阶 段构图工艺。
图6为本发明第二实施例第一种实施方法中数据线刻蚀后的平面图，图 7为图6中B-B向剖面图。如图6和图7所示，数据线11形成在阵列基板10 的栅绝缘层上。由于沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向 刻蚀速度逐渐增大，因此从数据线11的剖面形状上看，数据线的两个侧面为 斜坡状。在实际应用中，数据线两个側面形成具有一定倾角的斜坡状可以通 过两个方法实现。第一种方法，在构图工艺过程中，可以通过改善坚膜的工 艺，降低源漏金属薄膜与光刻胶50之间的黏附性，这样在湿法刻蚀过程中， 刻蚀液在源漏金属薄膜与光刻胶50接触界面处的横向刻蚀速度较大，而源漏 金属薄膜上距离该接触界面较远处的横向刻蚀速度较小，因此形成了数据线 11两个侧面的斜坡状。改善坚膜工艺的原理是，在光刻工艺中，光刻胶和下 层膜的黏附性可以通过控制工艺温度来改变，当降低工艺温度时，光刻胶和 下层膜之间的黏附性可以降低。第二种方法，可以在刻蚀液中加入改善电化 学反应的物质，通过调节刻蚀液的酸碱值使刻蚀液在源漏金属薄膜与光刻胶 接触界面处的横向刻蚀速度较大，最终形成数据线两个侧面的斜坡状。调节 刻蚀液酸碱值的原理是，对于湿法刻蚀中溶液的电化学反应，影响被刻蚀物 质和刻蚀溶液之间电子交换的关键因素之一就是刻蚀溶液的酸碱度，也就是通常说的PH值，调节刻蚀液酸碱值可以改变氧化或者还原的速度。实际应用 中，数据线两个侧面的斜坡状可以是一个整体斜面，斜面与水平面的夹角大 于或等于45。，也可以由多个斜面组成，还可以是倾斜的弧面。
在完成上述图形的基板上，采用化学气相沉积或其它成膜方法沉积钝化 层。使用普通掩模板通过构图工艺对钝化层进行构图，在漏电极位置形成钝 化层过孔图形。
最后，在完成上述图形的基板上，采用磁控賊射、热蒸发或其它成膜方 法沉积透明导电薄膜，透明导电薄膜的材料可以使用氧化铟锡(ITO)或氧化 铟锌(IZO)，或其它高分子透明材料。使用普通掩模板通过构图工艺在像素 区域形成像素电极图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。
图8为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例第二种实施方 法的流程图，具体包括
步骤211、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺在基板上形成包括 才册线和4册电才及的结构图形；
步骤212、在完成步骤211的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺 杂半导体层，通过构图工艺在栅电极上方形成包括有源层的结构图形；
步骤213、在完成步骤212的基板上沉积源漏金属薄膜；
步骤214、在完成步骤213的基板上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光 和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；
步骤215、采用干法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀， 形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，然后通过至 少一次的光刻胶灰化、数据线边缘刻蚀工艺，使所述数据线的两侧形成可防 止静电聚集的阶梯状；
步骤216、在完成步骤215的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包 括钝化层过孔的结构图形；
步骤217、在完成步骤216的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极的结构图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。
本实施方法中，形成栅线、栅电极、有源层、钝化层和像素电极图形等 过程与前述第一实施方法相同，不再赘述，不同之处在于形成数据线两侧的
形状和相关的制造工艺，具体说明如下
在完成有源层图形的基板上，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉 积源漏金属薄膜，源漏金属薄膜可以使用钼、铝、铝钕合金、鵠、铬、铜等 金属，或以上金属组成的多层薄膜。在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶后， 使用掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成未曝光区域和完全曝光区域， 未曝光区域对应于数据线、源电极和漏电极图形所在区域，完全曝光区域对 应于其它区域。通过显影处理，去除完全曝光区域的光刻胶，保留未曝光区 域的光刻胶，即数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶。
图9为本发明第二实施例第二种实施方法中形成数据线后的剖面图，首 先采用千法刻蚀工艺对完全曝光区域(未覆盖光刻胶的区域)的源漏金属薄 膜进行第一次刻蚀，在阵列基板10的栅绝缘层上形成包括数据线11、源电 极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形(源电极、漏电极和TFT沟道区域图 形未示出)，并保留光刻胶50,如图9所示；图10为本发明第二实施例第 二种实施方法中灰化工艺后的剖面图，之后进行光刻胶灰化，减少覆盖在数 据线11上的光刻月交50的宽度，暴露出数据线11两侧的边缘区域，如图10 所示；图11为本发明第二实施例第二种实施方法中第二次刻蚀工艺后的剖面 图，随后采用干法刻蚀工艺对暴露出来的数据线11的边缘区域进行第二次刻 蚀，在数据线两侧形成阶梯状，如图ll所示。在上述过程中，通过控制刻蚀 时间可以实现只将凄t据线两侧的边缘区域刻蚀掉一部分。实际应用中，可以 通过重复上述光刻胶灰化和数据线刻蚀工艺，在数据线两侧形成防止静电聚 集的多阶梯的台阶状。最后剥离剩余的光刻胶，完成本阶段构图工艺。
图12为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例的流程图，具 体包括步骤31、在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；
步骤32、在完成步骤31的基板上形成包括数据线、源电极、漏电极和
TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状
或阶梯状；
步骤33、在完成步骤32的基板上形成钝化层图形；
步骤34、在完成步骤33的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。
本实施例提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方法，通过将数据线两侧设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状，有效分散了数据线边角可能引起的静电释放，在形成像素电极图形的同时形成防静电电极，且防静电电极位于封框胶区域，在阵列基板和彩膜基板通过封框胶对盒后，当封框胶中的金球与防静电电极接触时，利用大面积的防静电电极增加了金球表面静电释放的面积，降低了金球表面静电累积的密度。因此本实施例可以避免数据线与金球之间的静电释放，有效防止数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
图13为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例第一种实施方法的流程图，具体包括
步骤301、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺在基板上形成包括栅线和栅电极的结构图形；
步骤302、在完成步骤301的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和摻杂半导体层，通过构图工艺在栅电极上方形成包括有源层的结构图形；
步骤303、在完成步骤302的基板上沉积源漏金属薄膜；
步骤304、在完成步骤303的基板上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；
步骤305、采用湿法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，且刻蚀中，沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向刻蚀速度逐渐增大，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的斜坡状；
步骤306、在完成步骤305的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的结构图形；
步骤307、在完成步骤306的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。
本发明第三实施例的第一种实施方法是前述第一实施例和第二实施例第一种实施方法的组合方案，步骤301 ~步骤306与前述第二实施例第一种实施方法的步骤201 ~步骤206相同，步骤307与前述第一实施例的步骤12相同，这里不再赘述。
图14为本发明第三实施例第一种实施方法形成防静电电极后的平面图，图15为图14中C-C向剖面图。如图14和图15所示，防静电电极40位于钝化层12上，只形成在封框胶区域且与像素电极绝缘。防静电电极40既可以是完全覆盖封框胶区域的块状，也可以是位于封框胶区域的数个条状，每个条状的防静电电极40位于数据线11上方，只覆盖数据线11所对应的区域，形成在阵列基板10栅绝缘层上的数据线11两侧为斜坡状。实际应用中，条状的防静电电极沿着数据线的方向设置，长度要大于封框胶区域的长度，宽度要大于数据线的宽度。
图16为本发明第三实施例第一种实施方法中封框胶区域的平面图，图17为图16中D-D向剖面图。如图16和图17所示，阵列基板10和彩膜基板20通过封框胶对盒后的后续工艺出现静电时，由于数据线11两侧设置成斜坡状，可以防止静电聚集，有效分散了数据线边角可能引起的静电释放；当封框胶区域100内的金球30 —方面与彩膜基板20的公共电极21连接、另一方面与阵列基板10的防静电电极40连接时，可以使防静电电极4G与金球30 —起形成一个大面积的静电累积表面，增加了金球30表面静电释放的面积，当金球30表面有静电累积时，可以充分M静电分布，降低金球30表面静电累积的密度，因此可以避免数据线11与金球30之间的静电释放，有效防止数据线和金球之间静电击穿烧毁钝化层12现象的发生，有效杜绝了由于数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
图18为本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例第二种实施方法的流程图，具体包括
步骤311、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺在基板上形成包括栅线和栅电极的结构图形；
步骤312、在完成步骤311的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺在栅电极上方形成包括有源层的结构图形；
步骤313、在完成步骤312的基板上沉积源漏金属薄膜；
步骤314、在完成步骤313的基板上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；
步骤315、采用千法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，然后通过至少一次的光刻胶灰化、数据线边缘刻蚀工艺，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的阶梯状；
步骤316、在完成步骤315的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔图形的结构图形；
步骤317、在完成步骤316的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成包括像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。
本发明第三实施例的第二种实施方法是前述第一实施例和第二实施例第二种实施方法的组合方案，步骤311 ~步骤316与前述第二实施例第二种实施方法的步骤211 ~步骤216相同，步骤317与前述第一实施例的步骤12相同，这里不再赘述。
图19为本发明第三实施例第二种实施方法形成防静电电极后的结构示意图，为图14中C-C向剖面图。如图19所示，防静电电极40位于钝化层12上，只形成在封框胶区域100且与像素电极绝缘。防静电电极40既可以是完全覆盖封框胶区域100的块状，也可以是位于封框胶区域100的数个条状，每个条状的防静电电极40位于数据线11上方，只覆盖数据线11所对应的区域，形成在阵列基板IO栅绝缘层上的数据线11两侧为阶梯状。
图20为本发明第三实施例第二种实施方法中封框胶区域的结构示意图，为图16中D-D向剖面图。如图20所示，阵列基板10和彩膜基板20通过封框胶对盒后的后续工艺出现静电时，由于数据线11两侧设置成阶梯状，可以防止静电聚集，有效分散了数据线边角可能引起的静电释放；当封框胶区域100内的金球30 —方面与彩膜基板20的公共电极21连接、另一方面与阵列基板10的防静电电极40连接时，可以使防静电电极40与金球30 —起形成一个大面积的静电累积表面，增加了金球30表面静电释放的面积，当金球30表面有静电累积时，可以充分分散静电分布，降低金球30表面静电累积的密度，因此可以避免数据线11与金球30之间的静电释放，有效防止数据线和金球之间静电击穿烧毁钝化层12现象的发生，有效杜绝了由于数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
在本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第一实施例技术方案基础上，本发明提供了一种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，同时在封框胶区域内还形成有防静电电极，防静电电极形成在钝化层上，与像素电极同层且绝缘，用于在阵列基板和彩膜基板通过封框胶对盒后，使防静电电极位于封框胶区域。防静电电极既可以是完全覆盖封框胶区域的块状，也可以是位于封框胶区域的数个条状，每个条状的防静电电极位于数据线上方，只覆盖数据线所对应的区域。实际应用中，条状的防静电电极沿着数据线的方向设置，长度要大于封框胶区域的长度，宽度要大于数据线的宽度。本实施例液晶显示器阵列基板由前述本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第一实施例制备，其结构形式已经在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
在本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例技术方案基础上，
19本发明还提供了 一种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，在封框胶区域，数据线的两侧设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状。本实施例液晶显示器阵列基板由前述本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第二实施例制备，其结构形式已经在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
在本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例技术方案基础上，本发明又提供了 一种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，同时在封框胶区域内还形成有防静电电极，防静电电极形成在钝化层上，与像素电极同层且绝缘，用于在阵列基板和彩膜基板通过封框胶对盒后，使防静电电极位于封框胶区域，此外，位于封框胶区域的数据线的两侧为斜坡状或阶梯状，用于防止静电聚集。防静电电极既可以是完全覆盖封框胶区域的块状，也可以是位于封框胶区域的数个条状，每个条状的防静电电极位于数据线上方，只覆盖数据线所对应的区域。实际应用中，条状的防静电电极沿着数据线的方向设置，长度要大于封框胶区域的长度，宽度要大于数据线的宽度。本实施例液晶显示器阵列基板由前述本发明液晶显示器阵列基板的制造方法第三实施例制备，其结构形式已经在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
权利要求
1.一种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤11、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化层的结构图形；步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤12具体包括在完成步骤11的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的结构图形，同时在封框胶区域内形成防静电电极图形，所述防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。
3. —种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤21、在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；步骤22、在完成步骤21的基板上形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状或阶梯状；步骤23、在完成步骤22的基板上形成包括钝化层和像素电极的结构图形。
4. 根据权利要求3所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤22具体包括在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用湿法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，且刻蚀中，沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向刻蚀速度逐渐增大，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的斜坡状；剥离剩余的光刻胶。
5. 根据权利要求3所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述步骤22具体包括在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩^^、曝光和显影处理， 使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用干法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括 数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，然后通过至少一次的 光刻胶灰化、数据线边缘刻蚀工艺，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚 集的阶梯状；剥离剩余的光刻胶。
6. 根据权利要求5所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述光刻胶灰化、数据线边缘刻蚀工艺具体包括进行光刻胶灰化，减少覆盖在数据线上光刻胶的宽度，暴露出数据线两 侧的边缘区域；采用干法刻蚀工艺对暴露出来的数据线的边缘区域进行刻蚀，在数据线 两侧形成阶梯状。
7. 根据权利要求3~6中任一权利要求所述的液晶显示器阵列基板的制 造方法，其特征在于，所述步骤23具体包括在完成步骤22的基板上形成 钝化层图形；在形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极 图形，所述防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。
8. —种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、 像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，还包括与所述像素电极同层且绝缘的 防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶区域，并位于数据线上方。
9. 一种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、 像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，在封框胶区域，所述数据线的两侧设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状。
10. 根据权利要求9所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，还包括与所述像素电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶区域，并位于数据线上方。
全文摘要
本发明涉及一种液晶显示器阵列基板及其制造方法。制造方法包括在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状或阶梯状；形成钝化层图形；形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。本发明通过将数据线两侧设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状，有效分散了数据线边角可能引起的静电释放，同时在封框胶区域形成防静电电极，降低了金球表面静电累积的密度，因此可以避免数据线与金球之间的静电释放，有效防止数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。
文档编号G02F1/13GK101661198SQ20081011889
公开日2010年3月3日 申请日期2008年8月26日 优先权日2008年8月26日
发明者王章涛, 邱海军, 闵泰烨 申请人:北京京东方光电科技有限公司