元件基板及其制造方法

元件基板及其制造方法
【专利摘要】一种元件基板及其制造方法。元件基板包含基底以及图案化遮光层。图案化遮光层位于基底上，图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。
【专利说明】元件基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种元件基板及其制造方法，且特别涉及一种具有曝光开口的元件基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用，为了达到更便利、体积更轻巧化以及更人性化的目的，许多信息产品已由传统的键盘或鼠标等输入装置，转变为使用触控显示面板作为输入装置，其中触控显示面板更为现今最流行的产品。
[0003]现有的触控显示面板主要是由主动元件阵列基板、对向基板(例如彩色滤光基板)以及配置于上述二基板之间的显示介质所组成。再者，多个主间隙物以及多个次间隙物位于主动元件阵列基板与对向基板之间，且例如是可配置于对向基板或主动元件阵列基板上。在现有的触控显示面板的元件基板(例如对向基板、彩色滤光基板或主动元件阵列基板等)的制造方法中，需要藉由相转移光罩(phase shift mask)、半调式光罩(half tonemask)或灰阶光罩(gray tone mask)来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物。然而，间隙物的材料一般为透明材料且UV透光率高，因此曝光量要很低才能达到高段差(即高度差大)的需求，但此段差的控制能力受限于相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩在低穿透时的稳定度。再者，由于相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩在出厂后透光率已为固定值，因此会使得曝光量的可调整范围亦受限。此外，相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩还具有成本昂贵以及备料时间较长等问题。因此，如何可用一般的光罩(亦即，不使用相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩)来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力，实为目前显示面板的生产技术上亟待克服的课题。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于提供一种元件基板及其制造方法，可用一般的光罩来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差控制能力。
[0005]本发明提出一种元件基板，包含基底以及图案化遮光层。图案化遮光层位于基底上，图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。
[0006]本发明另提出一种元件基板，具有多个次像素区，且元件基板包含基底以及多个间隙物。多个间隙物配置于基底上，间隙物的材料包含光敏材料。各间隙物具有顶部、连接部以及底部，连接部位于顶部与底部之间，其中连接部的光敏材料的交联密度小于或等于顶部及底部中至少一个的光敏材料的交联密度，或者是连接部的光敏材料的分解强度大于或等于顶部及底部中至少一个的光敏材料的分解强度。
[0007]本发明又提出一种元件基板的制造方法，其包含以下步骤。提供基底。形成图案化遮光层于基底上，图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。形成光阻材料层于图案化遮光层上。对光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物于基底上，其中第一间隙物的垂直投影分别与第一曝光开口重叠。
[0008]基于上述，除了可用一般的光罩为遮罩对光阻材料层进行正曝之外，还可以图案化遮光层为遮罩对光阻材料层进行背曝，其中光阻材料层可为负型光阻或正型光阻。如此一来，可藉由正曝、背曝、不曝光及显影等步骤的搭配使用不同曝光剂量(饱和曝光/非饱和曝光)或不同波长组成的控制，以制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力，故根据本发明的元件基板及其制造方法具有成本较低以及工艺简易等优点。
[0009]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【专利附图】

【附图说明】
[0010]图1A为依照本发明的第一实施例的元件基板的俯视示意图；
[0011]图1B为图1A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图；
[0012]图2A至图2D为图1B的元件基板的制造方法的剖视示意图；
[0013]图3A为依照本发明的第二实施例的元件基板的俯视示意图；
[0014]图3B为图3A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图；
[0015]图4A至图4D为图3B的元件基板的制造方法的剖视示意图；
[0016]图5A及图5B为依照本发明的其他实施例的元件基板的剖视示意图；
[0017]图6A为依照本发明的第三实施例的元件基板的俯视示意图；
[0018]图6B为图6A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图；
[0019]图7A至图7D为图6B的元件基板的制造方法的剖视示意图；
[0020]图8A为依照本发明的第四实施例的元件基板的俯视示意图；
[0021]图8B为图8A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图；
[0022]图9A至图9D为图8B的元件基板的制造方法的剖视示意图；
[0023]图1OA为依照本发明的第五实施例的元件基板的俯视示意图；
[0024]图1OB为图1OA的元件基板沿线1_1’的剖视示意图；
[0025]图1lA至图1lD为图1OB的元件基板的制造方法的剖视示意图；
[0026]图12A为依照本发明的第六实施例的元件基板的俯视示意图；
[0027]图12B为图12A的元件基板沿线1_1’的剖视示意图；
[0028]图13A至图13D为图12B的元件基板的制造方法的剖视示意图；
[0029]图14A为依照本发明的第七实施例的元件基板的俯视示意图；
[0030]图14B为图14A的元件基板沿线1_1’的剖视示意图；
[0031]图15A至图1?为图14B的元件基板的制造方法的剖视示意图；
[0032]图16A为依照本发明的第八实施例的元件基板的俯视示意图；
[0033]图16B为图16A的元件基板沿线1_1’的剖视示意图；
[0034]图17A至图17D为图16B的元件基板的制造方法的剖视示意图。
[0035]其中，附图标记
[0036]100A ?100D、200A ?200D:元件基板
[0037]110:基底[0038]110a:第一侧
[0039]110b:第二侧
[0040]120:图案化遮光层
[0041]122:像素开口
[0042]124:第一曝光开口
[0043]126:第二曝光开口
[0044]128:透光图案
[0045]130:彩色滤光图案
[0046]140:透明层
[0047]150、150’、250、250’、250”、250’ ”:光阻材料层
[0048]160、260、360、460、560、660、760、860:光罩
[0049]170,270:第一间隙物
[0050]170a、280a:第一部分
[0051]170b、280b:第二部分
[0052]172、172a、172b、182、192、272、282、282a、282b、292:顶部
[0053]174、174a、174b、184、194、274、284、284a、284b、294:连接部
[0054]176、176a、176b、186、196、276、286、286a、286b、296:底部
[0055]180,280:第二间隙物
[0056]190、290:第三间隙物
[0057]H1、H1，、H2、H2，、H3:高度
[0058]Ι-1':线
[0059]PR:次像素区
[0060]UV1、UV2:曝光
[0061]W1、W2、W3:宽度
【具体实施方式】
[0062]下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
[0063]图1A为依照本发明的第一实施例的元件基板的俯视示意图，而图1B为图1A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。在本实施例中，元件基板100A例如是彩色滤光基板、对向基板、主动元件阵列基板或其他合适的元件基板。在下文中，本发明的实施例将以元件基板100A为触控显示面板的彩色滤光基板为例来说明，但并非用以限定本发明，其中所述触控显示面板的显示面板例如是液晶显示面板、有机发光二极管显示面板、电泳显示面板或等离子显示面板等。
[0064]请同时参照图1A及图1B，元件基板100A具有多个次像素区PR，且所述次像素区PR以矩阵方式排列。再者，元件基板100A包括基底110、图案化遮光层120、多个彩色滤光图案130、透明层140、多个第一间隙物170以及多个第二间隙物180。
[0065] 基底110具有相对设置的第一侧IlOa以及第二侧110b，其中第一侧IlOa例如是朝向主动元件阵列基板(未绘示)的一侧。基底110的材料例如是玻璃或塑胶等无机或有机的透明材料。[0066]图案化遮光层120位于基底110的第一侧IlOa上。图案化遮光层120具有多个像素开口 122以及多个第一曝光开口 124。像素开口 122位于元件基板100A的次像素区PR中，且所述像素开口 122以矩阵方式排列。任一第一曝光开口 124位于两相邻的像素开口 122之间。在本实施例中，像素开口 122的形状例如是矩形且其宽度Wl例如是12微米至120微米，而第一曝光开口 124的形状例如是圆形且其宽度W2 (即直径)例如是4微米至40微米，但本发明不限于此。在其他实施例中，只要每一第一曝光开口 124与每一像素开口 122的面积或/且形状不同即落入本发明的范畴中。在图1A中的第一曝光开口 124或像素开口 122的形状包括圆形、椭圆形、矩形、正方形、三角形、菱形、多边形或其他合适的形状。图案化遮光层120例如是黑矩阵，其材料例如是黑色树脂或其他合适的材料。另夕卜，在其他实施例中，例如在多域垂直配向式(Mult1-domain Vertical Alignment, MVA)液晶显示面板中，图案化遮光层120可更包括配向突起，以使液晶层中的液晶分子往不同方向倾倒而形成多个配向区域并可达到广视角的显示效果。
[0067]多个彩色滤光图案130分别位于像素开口 122内，而不位于第一曝光开口 124内，彩色滤光图案130即为彩色滤光膜层。在本实施例中，彩色滤光图案130例如是由多个红色滤光图案、多个绿色滤光图案以及多个蓝色滤光图案所组成，但本发明不限于此。在其他实施例中，彩色滤光图案130亦可以是包括红色滤光图案、绿色滤光图案、蓝色滤光图案、白色滤光图案、黄色滤光图案、其他合适颜色的滤光图案、或上述颜色的滤光图案的任意组合。再者，彩色滤光图案130在基底110上的排列方式例如是包括条纹型态、三角型态、马赛克型态、四像素型态或其他合适的型态。换句话说，本发明不特别限定彩色滤光图案130的颜色组合、数量以及排列方式。另外，在其他实施例中，例如在彩色滤光图案于阵列上(color filter on array, COA)的显示面板中，元件基板100A例如是对向基板且不包括彩色滤光图案130。
[0068]透明层140位于图案化遮光层120及彩色滤光图案130上。换句话说，透明层140覆盖基底110、图案化遮光层120及彩色滤光图案130，并填入第一曝光开口 124内。透明层140可为透明电极层、透明平坦/绝缘层或是上述两者的组合。透明电极层为单层或多层的透明材料所构成，例如为铟锡氧化物(IndiumTin Oxide, ΙΤ0)、铟锌氧化物(IndiumZinc Oxide, ΙΖ0)、招锋氧化物(Aluminum Zinc Oxide, ΑΖ0)、招锡氧化物(Aluminum Tinoxide, ΑΤ0)、氧化鎗(HfO)、铟错锋氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)或其他合适的材料。透明平坦/绝缘层为单层或多层的透明材料所构成，例如为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、娃氧烧(siloxane)、氮化娃(silicon nitride)与氧化娃(silicon oxide)或其他合适的材料。
[0069]多个第一间隙物170位于基底110上，第一间隙物170的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠。更详细来说，第一间隙物170位于透明层140上且对应第一曝光开口 124设置，以覆盖第一曝光开口 124。在本实施例中，当元件基板100A为触控显示面板的彩色滤光基板时，第一间隙物170例如是主间隙物，以维持彩色滤光基板与主动元件阵列基板之间的间隙。每一第一间隙物170的高度Hl例如是介于I微米至6微米，且较佳的范围是介于2.5微米至4微米。在本实施例中，第一间隙物170的高度Hl (亦即，最大高度)例如是第一间隙物170的顶面(未标示)与透明层140的顶面(未标示)之间的最大距离。第一间隙物170的材料例如是光敏材料。光敏材料的主体结构例如是包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)、硅氧烷或其他合适的主体结构，且包括丙烯酰基(Acryl)、环氧树脂(Epoxy)、酚醛树脂(Novolak)或其他合适的官能基与多种具有不同吸收波长的光起始剂(Photo initiator)。
[0070]值得一提的是，第一间隙物170可以是完全覆盖或部分覆盖第一曝光开口 124。换句话说，第一间隙物170的尺寸可以是大于、等于或小于第一曝光开口 124的尺寸。举例来说，当第一曝光开口 124与主动元件阵列基板上的遮光元件(例如主动元件、扫描线或资料线等)未重叠或部分重叠时，第一间隙物170可以是黑色光敏材料，且第一间隙物170的尺寸可大于或等于第一曝光开口 124的尺寸，以避免第一曝光开口 124未被完全遮蔽而导致漏光的问题。再举例来说，当第一曝光开口 124与主动元件阵列基板上的遮光元件(例如主动元件、扫描线或资料线等)完全重叠时，第一间隙物170可以是透明光敏材料或其他合适颜色的光敏材料，且第一间隙物170的尺寸可大于、等于或小于第一曝光开口 124的尺寸，因第一曝光开口 124已被完全遮蔽而不会有漏光的问题。第一间隙物170在基底110上的数量端视实际情况(例如基底、像素的尺寸或其他设计规格)而定。在图1A中的第一间隙物170的形状例如是包括圆形、椭圆形、矩形、正方形、三角形、菱形、多边形或其他合适的形状。在图1B中的第一间隙物170的截面形状例如是矩形，本发明不限于此。在其他实施例中，第一间隙物170的截面形状亦可以是正方形、梯形或其他合适的形状。换句话说，本发明不特别限定第一间隙物170的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0071]还值得一提的是，每一第一间隙物170具有顶部172、连接部174以及底部176。底部176为邻近于第一曝光开口 124的部分，顶部172为远离于第一曝光开口 124的部分，而连接部174位于顶部172与底部176之间。在本实施例中，第一间隙物170的光敏材料的交联密度(或交联强度)为底部176〉顶部172〉连接部174。再者，由于第一间隙物170为负型光阻，因此第一间隙物170的光敏材料的交联的官能基包括丙烯酰基以及环氧树脂，其中交联密度较高的部分(例如底部176)相较于交联密度较低的部分(例如顶部172或连接部174)具有较多交联的丙烯酰基。换句话说，交联密度较高的部分的碳含量会大于氧含量较多。
[0072]多个第二间隙物180位于基底110上，第二间隙物180的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。更详细来说，第二间隙物180位于透明层140上且不与第一曝光开口124重叠。在本实施例中，当元件基板100A为触控显示面板的彩色滤光基板时，第二间隙物180例如是次间隙物。再者，在本实施例中，第一间隙物170以及第二间隙物180的材料为负型光阻，且第一间隙物170的高度Hl大于第二间隙物180的高度H2。第一间隙物170与第二间隙物180之间的高度差(H1-H2)例如是大于0.2微米。第二间隙物180的材料例如是光敏材料。
[0073]值得一提的是，第二间隙物180在基底110上的数量端视实际情况(例如基底、像素的尺寸或其他设计规格)而定。在图1A中的第二间隙物180的形状例如是包括圆形、椭圆形、矩形、正方形、三角形、菱形、多边形或其他合适的形状。在图1B中的第二间隙物180的截面形状例如是矩形，本发明不限于此。在其他实施例中，第二间隙物180的截面形状亦可以是正方形、梯形或其他合适的形状。换句话说，本发明不特别限定第二间隙物180的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0074]还值得一提的是，每一第二间隙物180具有顶部182、连接部184以及底部186。底部186为邻近于图案化遮光层120的部分，顶部182为远离于图案化遮光层120的部分，而连接部184位于顶部182与底部186之间。在本实施例中，第二间隙物180的光敏材料的交联密度为顶部182〉连接部184 =底部186。如上所述，在本实施例中，当间隙物的顶部、连接部以及底部之间所经受的曝光强度有差异时，则用实线表示其界面。当间隙物的顶部、连接部以及底部之间所经受的曝光强度无明显差异时，则用虚线表示无界面或者是不易分层。再者，本实施例所绘示的间隙物的顶部、连接部以及底部的高度比例仅为例示性的，并非用以限制实际上的高度比例。
[0075]此外，在透明层140、第一间隙物170及第二间隙物180上可更包括设置有配向层(未绘示)。也就是说，配向层覆盖元件基板100A邻近于显示介质的一侧，以使显示介质呈特定的排列方向。
[0076]图2A至图2D为图1B的元件基板100A的制造方法的剖视示意图。
[0077]请参照图2A，提供基底110，基底110具有相对设置的第一侧IlOa以及第二侧IlOb0接着，形成图案化遮光层120于基底110的第一侧IlOa上，图案化遮光层120具有多个像素开口 122(如图1A所示)以及多个第一曝光开口 124，且每一第一曝光开口 124与每一像素开口 122的面积或/且形状系不同。图案化遮光层120的形成方法例如是先于基底110上形成遮光层(未绘示)，再进行微影蚀刻工艺以图案化所述遮光层。分别形成彩色滤光图案130 (如图1A所示)于像素开口 122内。彩色滤光图案130的形成方法例如是以旋转涂布法(spin coating)、喷嘴涂布法(slit coating)或非旋转涂布法(spin-lesscoating)将一树脂材料层(未绘示)涂布于基底110上，接着再图案化树脂材料层。上述图案化此树脂材料层的步骤包括对此树脂材料层进行软烤、曝光、显影及硬烤等步骤。然后，形成透明层140以覆盖基底110、图案化遮光层120及彩色滤光图案130，并填入第一曝光开口 124内。透明层140的形成方法例如是物理气相沉积法或化学气相沉积法。之后，形成光阻材料层150于透明层140上。光阻材料层150的形成方法例如是旋转涂布法。在本实施例中，光阻材料层150的材料包括光敏材料，且光阻材料层150为负型光阻。举例来说，光阻材料层150可以是黑色光敏材料的负型光阻，其OD值大于1，且在曝光后因材料分子间交联强度增加，使其较未曝光或是低剂量曝光的部分，经硬烤后具有相对较高的膜厚，故可藉由不同的曝光剂量来制作出高度不同的间隙物。更详细来说，所述负型光阻的材料在曝光后会交联产生2D或3D的结构，因此可能使其膜厚增加且经硬烤成膜后也不易塌陷。如此一来，在本实施例中，所述负型光阻的材料的交联密度(或交联强度)越高，则经硬烤后可具有相对较高的膜厚。然而，因材料特性与工艺的影响，在其他实施例中，有曝光的负型光阻在经硬烤后膜厚的绝对高度也不一定会高于硬烤前的绝对高度，只是相较于未曝光或是低剂量曝光的负型光阻，有曝光的负型光阻会具有相对较高的膜厚。
[0078]接着，如图2B至图2D所示，对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物170及多个第二间隙物180于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0079]请参照图2B，步骤(a)为提供光罩160于光阻材料层150上，以光罩160为遮罩对光阻材料层150进行曝光UVl。此步骤(a)又可称为正曝，亦即，由基底110的第一侧IlOa进行曝光UVl。在本实施例中，步骤(a)为非饱和曝光(曝光剂量例如是6mJ至30mJ)，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可形成耐显影(亦即，在显影步骤中不会被移除)的顶部172及顶部182。顶部172的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，顶部182的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。
[0080]请参照图2C，步骤(b)为对曝光UVl后的光阻材料层150进行显影。此步骤(b)又可称为显影。在本实施例中，由于耐显影的顶部172及顶部182覆盖了部分光阻材料层150，因此被顶部172及顶部182所覆盖的部分光阻材料层150在此步骤(b)中不会被移除，而其他未被覆盖的光阻材料层150则会被移除。藉由步骤(a)与(b)可形成多个第二间隙物180，第二间隙物180的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。
[0081]请参照图2D，步骤(C)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层150进行曝光UV2。此步骤(c)又可称为背曝，亦即，由基底110的第二侧IlOb进行曝光UV2。此外，曝光UVl及曝光UV2举例系具有不同的曝光剂量或具有不同的波长。在本实施例中，步骤(c)为饱和曝光(曝光剂量例如是300mJ)，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UV2的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可形成底部176。在步骤
(c)中，未受到曝光UV2的部分光阻材料层150会形成连接部174，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是连接部174及底部176皆受到曝光UV2。如此一来，藉由步骤(a)、
(b)、(c)可形成多个第一间隙物170，第一间隙物170的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠。再者，每一第一间隙物170具有顶部172、连接部174以及底部176。
[0082]在本实施例中，由于第二间隙物180仅受到非饱和正曝，因此第二间隙物180的光敏材料的交联密度为顶部182〉连接部184 =底部186。再者，由于第一间隙物170受到非饱和正曝及饱和背曝，因此第一间隙物170的光敏材料的交联密度为底部176〉顶部172〉连接部174。如此一来，硬烤后的第一间隙物170的高度Hl大于第二间隙物180的高度H2。
[0083]在上述图2A至图2D的实施例中是以对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)(亦即，步骤(a)先于步骤(b)，且步骤(C)位于步骤
(a)以及(b)之后)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(c)/(b)/(a)、步骤(a)/(c)/
(b)、或步骤(c)/(a)/(b)，只要步骤(a)先于步骤(C)、或步骤(C)先于步骤(a)即可。由于本领域的技术人员可藉由上述图2A至图2D的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、
(c)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。另外，上述形成间隙物的步骤可更包括对此光阻材料层150进行软烤或硬烤等步骤。
[0084]图3A为依照本发明的第二实施例的元件基板的俯视示意图，而图3B为图3A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。图3A至图3B的实施例与上述图1A至图1B的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。请同时参照图3A及图3B，图3A至图3B的实施例与上述图1A至图1B的实施例的不同之处在于，在元件基板200A中，第一间隙物270以及第二间隙物280的材料为正型光阻，且第二间隙物280的高度H2大于第一间隙物270的高度Hl。
[0085]多个第一间隙物270位于基底110上，第一间隙物270的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠。更详细来说，第一间隙物270位于透明层140上且对应第一曝光开口 124设置，以覆盖第一曝光开口 124。在本实施例中，当元件基板200A为触控显示面板的彩色滤光基板时，第一间隙物270例如是次间隙物。第一间隙物270的材料例如是光敏材料。再者，本发明不特别限定第一间隙物270的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0086]值得一提的是，每一第一间隙物270具有顶部272、连接部274以及底部276。底部276为邻近于第一曝光开口 124的部分，顶部272为远离于第一曝光开口 124的部分，而连接部274位于顶部272与底部276之间。在本实施例中，第一间隙物270的光敏材料的可被分解强度为底部276〉连接部274〉顶部272 (等同于交联密度是底部276〈连接部274〈顶部272)。换句话说，第一间隙物270的顶部272的弱显影层可被部分移除，而连接部274与底部276则因顶部272的保护而仅发生侧向显影蚀刻。
[0087]多个第二间隙物280位于基底110上，第二间隙物280的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。更详细来说，第二间隙物280位于透明层140上且不与第一曝光开口124重叠。在本实施例中，当元件基板200A为触控显示面板的彩色滤光基板时，第二间隙物280例如是主间隙物，以维持彩色滤光基板与主动元件阵列基板之间的间隙。每一第二间隙物280的高度H2例如是介于I微米至6微米，且较佳的范围是介于2.5微米至4微米。再者，在本实施例中，第一间隙物270以及第二间隙物280的材料为正型光阻，且第二间隙物280的高度H2大于第一间隙物270的高度H1。第一间隙物270与第二间隙物280之间的高度差(H2-H1)例如是大于0.2微米。第二间隙物280的材料例如是光敏材料。此外，本发明不特别限定第二间隙物280的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0088]值得一提的是，每一第二间隙物280具有顶部282、连接部284以及底部286。底部286为邻近于图案化遮光层120的部分，顶部282为远离于图案化遮光层120的部分，而连接部284位于顶部282与底部286之间。在本实施例中，第二间隙物280的光敏材料的分解强度为底部286 =连接部284 =顶部282 (等同于交联密度为底部286 =连接部284=顶部282)。
[0089]图4A至图4D为图3B的元件基板200A的制造方法的剖视示意图。图4A至图4D的实施例与上述图2A至图2D的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。
[0090]请参照图4A，形成光阻材料层250于透明层140上。光阻材料层250的形成方法例如是旋转涂布法。在本实施例中，光阻材料层250的材料包括光敏材料，且光阻材料层250为正型光阻。
[0091]接着，如图4B至图4D所示，对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物270及多个第二间隙物280于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0092]请参照图4B，步骤(a)为提供光罩260于光阻材料层250上，以光罩260为遮罩对光阻材料层250进行曝光UVl。此步骤(a)又可称为正曝。在本实施例中，步骤(a)为饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度提高(亦即，可被显影剂反应的官能基增加)，进而可形成不耐显影(亦即，在显影步骤中会被移除)的光阻材料层250’。再者，未受到曝光UVl的光阻材料层250有一部分的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，而另一部分的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。
[0093]请参照图4C，步骤(b)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层250进行曝光UV2。此步骤(b)又可称为背曝。在本实施例中，步骤(b)为非饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得受到曝光UV2的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度略微提高(亦即，可被显影剂反应的官能基略微增加)，进而可形成弱耐显影(亦即，在显影步骤中会被部分移除)的光阻材料层250”。
[0094]请参照图4D，步骤(C)为对曝光UV2后的光阻材料层250进行显影。此步骤(C)又可称为显影。在本实施例中，不耐显影的光阻材料层250’会被完全移除，弱耐显影的光阻材料层250”会被部分移除，而未受到曝光UVl及UV2的光阻材料层250不会被移除。因此，在步骤(c)中，未被移除的光阻材料层250”会形成第一间隙物270，而未被移除的光阻材料层250会形成第二间隙物280。如此一来，藉由步骤(a)、(b)、(c)可形成多个第一间隙物270，第一间隙物270的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠。藉由步骤(a)与(c)可形成多个第二间隙物280，第二间隙物180的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。再者，每一第一间隙物270具有顶部272、连接部274以及底部276，每一第二间隙物280具有顶部282、连接部284以及底部286。
[0095]在本实施例中，由于第一间隙物270仅受到非饱和背曝，因此第一间隙物270的光敏材料的分解强度为底部276〉连接部274〉顶部272。再者，由于第二间隙物280未受到正曝或背曝，因此第二间隙物280的光敏材料的分解强度为底部286 =连接部284 =顶部282。换句话说，第二间隙物280因为没 有曝光，所以皆为耐显影层。如此一来，硬烤后的第二间隙物280的高度H2大于第一间隙物270的高度Hl。
[0096]在上述图4A至图4D的实施例中是以对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)(亦即，步骤(a)先于步骤(b)，且步骤(C)位于步骤(a)以及(b)之后)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(b)/(a)/(c)(亦即，步骤(b)先于步骤(a)，且步骤(C)位于步骤(a)以及(b)之后)。由于本领域的技术人员可藉由上述图4A至图4D的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、(c)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。
[0097]在上述图1A至图4D的实施例中是以图案化遮光层120位于基底110的第一侧IlOa上为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是图案化遮光层120位于基底110的第二侧IlOb上。举例来说，如图5A所示，第一间隙物170以及第二间隙物180的材料为负型光阻，且图案化遮光层120位于基底110的第二侧IlOb上。如图5B所示，第一间隙物270以及第二间隙物280的材料为正型光阻，且图案化遮光层120位于基底110的第二侧IlOb上。图5A及图5B的实施例分别与上述图1A至图2D以及图3A至图4D的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。换句话说，本发明不特别限定图案化遮光层120是位于基底110的第一侧IlOa或第二侧IlOb上，只要可以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层150或250进行背曝即可。
[0098]图6A为依照本发明的第三实施例的元件基板的俯视示意图，而图6B为图6A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。图6A至图6B的实施例与上述图1A至图1B的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。请同时参照图6A及图6B，图6A至图6B的实施例与上述图1A至图1B的实施例的不同之处在于，在元件基板100B中，每一第一间隙物170具有第一部分170a以及连接于第一部分170a外围的第二部分170b，第一部分170a的高度Hl大于第二部分170b的高度Η1'。[0099]多个第一间隙物170及多个第二间隙物180位于基底110上。每一第一间隙物170具有第一部分170a以及连接于第一部分170a外围的第二部分170b。换句话说，每一第一间隙物170具有第一部分170a以及第二部分170b，其中第二部分170b围绕第一部分170a设置且彼此连接。第一部分170a在图案化遮光层120上的垂直投影分别与相应的第一曝光开口 124重叠，第二部分170b在图案化遮光层120上的垂直投影位于相应的第一曝光开口 124之外。第二间隙物180的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。更详细来说，第一间隙物170及第二间隙物180位于透明层140上。第一部分170a对应第一曝光开口 124设置以覆盖第一曝光开口 124，而第二部分170b及第二间隙物180不与第一曝光开口 124重叠。在本实施例中，当元件基板100B为触控显示面板的彩色滤光基板时，第一间隙物170例如是主间隙物以维持彩色滤光基板与主动元件阵列基板之间的间隙，而第二间隙物180例如是次间隙物。每一第一间隙物170的第一部分170a的高度Hl例如是介于I微米至6微米，且较佳的范围是介于2.5微米至4微米。再者，在本实施例中，第一间隙物170以及第二间隙物180的材料为负型光阻，且第一部分170a的高度Hl大于第二部分170b的高度H1’，第二部分170b的高度Η1'等于第二间隙物180的高度H2。第一部分170a与第二部分170b之间的高度差(Η1-Η1')例如是大于0.2微米。换句话说，在图6B中的第一间隙物170的截面形状例如是阶梯形。第一间隙物170及第二间隙物180的材料例如是光敏材料。此外，本发明不特别限定第一间隙物170或第二间隙物180的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0100]值得一提的是，每一第一部分170a具有顶部172a、连接部174a以及底部176a，而每一第二部分170b具有顶部172b、连接部174b以及底部176b。在本实施例中，第一部分170a的光敏材料的交联密度(或交联强度)为底部176a>顶部172a>连接部174a，而第二部分170b的光敏材料的交联密度为顶部172b>连接部174b =底部176b。再者，每一第二间隙物180具有顶部182、连接部184以及底部186。在本实施例中，第二间隙物180的光敏材料的交联密度为顶部182〉连接部184 =底部186。换句话说，在本实施例中，第二部分170b与第二间隙物180的光敏材料的交联密度的分布相同。
[0101]图7A至图7D为图6B的元件基板100B的制造方法的剖视示意图。图7A至图7D的实施例与上述图2A至图2D的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。
[0102]请参照图7A，图7A与图2A的结构及制造方法相同，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。在本实施例中，光阻材料层150的材料包括光敏材料，且光阻材料层150为负型光阻。
[0103]接着，如图7B至图7D所示，对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物170及多个第二间隙物180于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0104]请参照图7B， 步骤(a)为提供光罩360于光阻材料层150上，以光罩360为遮罩对光阻材料层150进行曝光UV1。此步骤(a)又可称为正曝。在本实施例中，步骤(a)为非饱和曝光，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可形成耐显影(亦即，在显影步骤中不会被移除)的顶部172及顶部182。顶部172的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠且顶部172的尺寸大于第一曝光开口 124的尺寸,顶部182的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。
[0105]请参照图7C，步骤(b)为对曝光UVl后的光阻材料层150进行显影。此步骤(b)又可称为显影。在本实施例中，由于耐显影的顶部172及顶部182覆盖了部分光阻材料层150，因此被顶部172及顶部182所覆盖的部分光阻材料层150在此步骤(b)中不会被移除，而其他未被覆盖的光阻材料层150则会被移除。藉由步骤(a)与(b)可形成多个第二间隙物180，第二间隙物180的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。
[0106]请参照图7D，步骤(C)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层150进行曝光UV2。此步骤(c)又可称为背曝。在本实施例中，步骤(c)为饱和曝光，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UV2的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可形成底部176a。在步骤(c)中，未受到曝光UV2的部分光阻材料层150会形成连接部174a、连接部174b及底部176b。如此一来，藉由步骤(a)、(b)、(c)可形成多个第一间隙物170，每一第一间隙物170具有第一部分170a以及连接于第一部分170a外围的第二部分170b。第一部分170a在图案化遮光层120上的垂直投影分别与相应的第一曝光开口124重叠，第二部分170b在图案化遮光层120上的垂直投影位于相应的第一曝光开口 124之外。再者，每一第一部分170a具有顶部172a、连接部174a以及底部176a,而每一第二部分170b具有顶部172b、连接部174b以及底部176b。
[0107]在本实施例中，由于第二间隙物180仅受到非饱和正曝，因此第二间隙物180的光敏材料的交联密度为顶部182〉连接部184 =底部186。再者，由于第一间隙物170的第一部分170a受到非饱和正曝及饱和背曝，因此第一部分170a的光敏材料的交联密度为底部176a>顶部172a>连接部174a。由于第一间隙物170的第二部分170b仅受到非饱和正曝，因此第二部分170b的光敏材料的交联密度为顶部172b>连接部174b =底部176b。如此一来，硬烤后的第一部分170a的高度Hl大于第二部分170b的高度H1’，第二部分170b的高度Η1‘等于第二间隙物180的高度H2。换句话说，硬烤后的第一间隙物170的第一部分170a的高度Hl大于第二间隙物180的高度H2。
[0108]在上述图7A至图7D的实施例中是以对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(c)/(b)/(a)、步骤(a)/(c)/(b)、或步骤(c)/(a)/(b)，只要步骤(a)先于步骤(C)、或步骤(C)先于步骤(a)即可。由于本领域的技术人员可藉由上述图7A至图7D的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、(C)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。
[0109]图8A为依照本发明的第四实施例的元件基板的俯视示意图，而图SB为图8A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。图8A至图8B的实施例与上述图3A至图3B的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。请同时参照图8A及图8B，图8A至图8B的实施例与上述图3A至图3B的实施例的不同之处在于，在元件基板200B中，每一第二间隙物280具有第一部分280a以及连接于第一部分280a外围的第二部分280b，第一部分280a的高度H2大于第二部分280b的高度H2’。再者，图案化遮光层120更具有多个第二曝光开口 126。
[0110]任一第二曝光开口 126位于两相邻的像素开口 122之间。在本实施例中，第二曝光开口 126的形状例如是圆形环状开口，但本发明不限于此。在其他实施例中，在图8A中的第二曝光开口 126的形状包括圆形、椭圆形、矩形、正方形、三角形、菱形、多边形或其他合适的形状的环状开口。
[0111]多个第一间隙物270及多个第二间隙物280位于基底110上。第一间隙物270的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠。每一第二间隙物280具有第一部分280a以及连接于第一部分280a外围的第二部分280b。第一部分280a在图案化遮光层120上的垂直投影位于相应的第一曝光开口 124及第二曝光开口 126之外，第二部分280b在图案化遮光层120上的垂直投影与相应的第二曝光开口 126重叠。更详细来说，第一间隙物270及第二间隙物280位于透明层140上。第一间隙物270对应第一曝光开口 124设置，以覆盖第一曝光开口 124。第二部分280b对应第二曝光开口 126设置以覆盖第二曝光开口 126，而第一部分280a不与第一曝光开口 124及第二曝光开口 126重叠。在本实施例中，当元件基板200B为触控显示面板的彩色滤光基板时，第一间隙物270例如是次间隙物，而第二间隙物280例如是主间隙物以维持彩色滤光基板与主动元件阵列基板之间的间隙。每一第二间隙物280的第一部分280a的高度H2例如是介于I微米至6微米，且较佳的范围是介于2.5微米至4微米。再者，在本实施例中，第一间隙物270以及第二间隙物280的材料为正型光阻，且第一部分280a的高度H2大于第二部分280b的高度H2’，第二部分280b的高度H2’等于第一间隙物270的高度Hl。第一部分280a与第二部分280b之间的高度差(H2-H2’ )例如是大于0.2微米。换句话说，在图SB中的第二间隙物280的截面形状例如是阶梯形。第一间隙物270及第二间隙物280的材料例如是光敏材料。此外，本发明不特别限定第一间隙物270或第二间隙物280的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0112]值得一提的是，每一第一间隙物270具有顶部272、连接部274以及底部276。在本实施例中，第一间隙物270的光敏材料的分解强度为底部276〉连接部274〉顶部272，每一第一部分280a具有顶部282a、连接部284a以及底部286a，而每一第二部分280b具有顶部282b、连接部284b以及底部286b。在本实施例中，第一部分280a的光敏材料的分解强度为底部286a =连接部284a =顶部282a (亦即无曝光，皆为耐显影层)，而第二部分280b的光敏材料的分解强度为底部286b>连接部284b>顶部282b (亦即，可被显影剂反应的官能基增加)。换句话说，在本实施例中，第二部分280b与第一间隙物270的光敏材料的交联密度的分布相同。
[0113]图9A至图9D为图8B的元件基板的制造方法的剖视示意图。图9A至图9D的实施例与上述图4A至图4D的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。
[0114]请参照图9A，图9A与图4A的结构及制造方法相同或相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。在本实施例中，光阻材料层250的材料包括光敏材料，且光阻材料层250为正型光阻。再者，图案化遮光层120更具有多个第二曝光开口126，且透明层140亦填入第二曝光开口 126内。
[0115]接着，如图9B至图9D所示，对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物270及多个第二间隙物280于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0116]请参照图9B，步骤(a)为提供光罩460于光阻材料层250上，以光罩460为遮罩对光阻材料层250进行曝光UVl。此步骤(a)又可称为正曝。在本实施例中，步骤(a)为饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度提高(亦即，可被显影剂反应的官能基增加)，进而可形成不耐显影(亦即，在显影步骤中会被移除)的光阻材料层250’。再者，未受到曝光UVl的光阻材料层250有一部分的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，一部分的垂直投影分别与第二曝光开口 126重叠，而其他部分的垂直投影分别位于第一曝光开口 124及第二曝光开口126之外。
[0117]请参照图9C，步骤(b)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层250进行曝光UV2。此步骤(b)又可称为背曝。在本实施例中，步骤(b)为非饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得受到曝光UV2的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度略微提高(亦即，可被显影剂反应的官能基略微增加)，进而可形成弱耐显影(亦即，在显影步骤中会被部分移除)的光阻材料层250”。
[0118]请参照图9D，步骤(C)为对曝光UV2后的光阻材料层250进行显影。此步骤(C)又可称为显影。在本实施例中，不耐显影的光阻材料层250’会被完全移除，弱耐显影的光阻材料层250”会被部分移除，而未受到曝光UVl及UV2的光阻材料层250不会被移除。因此，在步骤(c)中，未被移除的光阻材料层250”会形成第一间隙物270及第二间隙物280的第二部分280b，而未被移除的光阻材料层250会形成第二间隙物280的第一部分280a。如此一来，藉由步骤(a)、(b)、(c)可形成多个第一间隙物270以及多个第二间隙物280。第一间隙物270的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠。每一第二间隙物280具有第一部分280a以及连接于第一部分280a外围的第二部分280b。第一部分280a在图案化遮光层120上的垂直投影位于相应的第一曝光开口 124及第二曝光开口 126之外，第二部分280b在图案化遮光层120上的垂直投影与相应的第二曝光开口 126重叠。再者，每一第一间隙物270具有顶部272、连接部274以及底部276，每一第一部分280a具有顶部282a、连接部284a以及底部286a，而每一第二部分280b具有顶部282b、连接部284b以及底部286b。
[0119]在本实施例中，由于第一间隙物270仅受到非饱和背曝，因此第一间隙物270的光敏材料的分解强度为底部276〉连接部274〉顶部272。再者，由于第二间隙物280的第一部分280a未受到正曝或背曝，因此第一部分280a的光敏材料的分解强度为底部286a =连接部284a =顶部282a。由于第二间隙物280的第二部分280b仅受到非饱和背曝，因此第二部分280b的光敏材料的分解强度为底部286b>连接部284b>顶部282b。如此一来，硬烤后的第一部分280a的高度H2大于第二部分280b的高度H2’，第二部分280b的高度H2’等于第一间隙物270的高度Hl。换句话说，硬烤后的第二间隙物280的第一部分280a的高度H2大于第一间隙物270的高度Hl。
[0120]在上述图9A至图9D的实施例中是以对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)(亦即，步骤(a)先于步骤(b)，且步骤(C)位于步骤
(a)以及(b)之后)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(b)/(a)/(c)(亦即，步骤(b)先于步骤(a)，且步骤(C)位于步骤(a)以及(b)之后)。由于本领域的技术人员可藉由上述图9A至图9D的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、(c)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。
[0121]图1OA为依照本发明的第五实施例的元件基板的俯视示意图，而图1OB为图1OA的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。图1OA至图1OB的实施例与上述图1A至图1B的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。请同时参照图1OA及图10B，图1OA至图1OB的实施例与上述图1A至图1B的实施例的不同之处在于，元件基板100C更包括多个第三间隙物190，第三间隙物190的高度H3介于第一间隙物170的高度Hl与第二间隙物180的高度H2之间。再者，图案化遮光层120更具有多个透光图案 128。
[0122]任一透光图案128位于两相邻的像素开口 122之间。在本实施例中，透光图案128的形状例如是圆形且其宽度W3(即直径)例如是4微米至40微米，但本发明不限于此。在其他实施例中，只要每一透光图案128(或第一曝光开口 124)与每一像素开口 122的面积或/且形状不同即落入本发明的范畴中。在图1OA中的透光图案128的形状包括圆形、椭圆形、矩形、正方形、三角形、菱形、多边形或其他合适的形状。在本实施例中，透光图案128的材料例如是与其中一个彩色滤光图案130的材料相同，且可属于同一膜层，即透光图案128为红色滤光膜、绿色滤光膜或蓝色滤光膜，但本发明不限于此。在其他实施例中，透光图案128的材料亦可以是与彩色滤光图案130的材料不同，或属于不同膜层。透光图案128的透光率低于第一曝光开口 124的透光率。
[0123]多个第三间隙物190位于基底110上，第三间隙物190在图案化遮光层120上的垂直投影分别与透光图案128重叠。更详细来说，第三间隙物190位于透明层140上且对应透光图案128设置，以覆盖透光图案128。在本实施例中，当元件基板100C为触控显示面板的彩色滤光基板时，第三间隙物190例如是主间隙物或次间隙物。再者，在本实施例中，第一间隙物170、第二间隙物180以及第三间隙物190的材料为负型光阻，且第一间隙物170的高度Hl大于第二间隙物180的高度H2，第三间隙物190的高度H3介于第一间隙物170的高度Hl与第二间隙物180的高度H2之间。第三间隙物190的材料例如是光敏材料。此夕卜，本发明不特别限定第三间隙物190的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0124]值得一提的是，每一第三间隙物190具有顶部192、连接部194以及底部196。底部196为邻近于透光图案128的部分，顶部192为远离于透光图案128的部分，而连接部194位于顶部192与底部196之间。在本实施例中，第三间隙物190的光敏材料的交联密度(或交联强度)为底部196〉顶部192〉连接部194。
[0125]图1lA至图1lD为图1OB的元件基板的制造方法的剖视示意图。图1lA至图1lD的实施例与上述图2A至图2D的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。
[0126]请参照图11A，图1lA与图2A的结构及制造方法相同或相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。在本实施例中，光阻材料层150的材料包括光敏材料，且光阻材料层150为负型光阻。再者，图案化遮光层120更具有多个透光图案128，且每一透光图案128 (或第一曝光开口 124)与每一像素开口 122的面积或/且形状系不同。在本实施例中，透光图案128例如是与其中一个彩色滤光图案130于同一工艺步骤中形成，但本发明不限于此。在其他实施例中，透光图案128亦可以是另外形成的膜层。此夕卜，透明层140亦覆盖透光图案128。
[0127]接着，如图1lB至图1lD所示，对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物170、多个第二间隙物180及多个第三间隙物190于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0128]请参照图11B，步骤(a)为提供光罩560于光阻材料层150上，以光罩560为遮罩对光阻材料层150进行曝光UV1。此步骤(a)又可称为正曝。在本实施例中，步骤(a)为非饱和曝光，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可形成耐显影(亦即，在显影步骤中不会被移除)的顶部172、顶部182及顶部192。顶部172的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，顶部182的垂直投影分别位于第一曝光开口 124及透光图案128之外，顶部192的垂直投影分别与透光图案128重叠。
[0129]请参照图11C，步骤(b)为对曝光UVl后的光阻材料层150进行显影。此步骤(b)又可称为显影。在本实施例中，由于耐显影的顶部172、顶部182及顶部192覆盖了部分光阻材料层150，因此被顶部172、顶部182及顶部192所覆盖的部分光阻材料层150在此步骤(b)中不会被移除，而其他未被覆盖的光阻材料层150则会被移除。在步骤(b)中，未被移除的部分光阻材料层150会形成连接部184以及底部186。如此一来，藉由步骤(a)与(b)可形成多个第二间隙物180，第二间隙物180的垂直投影分别位于第一曝光开口 124以及透光图案128之外。再者，每一第二间隙物180具有顶部182、连接部184以及底部186。
[0130]请参照图11D，步骤(C)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层150进行曝光UV2。此步骤(c)又可称为背曝。在本实施例中，步骤(c)为饱和曝光，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UV2的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可通过第一曝光开口 124及透光图案128以分别形成底部176以及底部196。在步骤(c)中，未受到曝光UV2的部分光阻材料层150会形成连接部174及连接部194，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是连接部174、底部176、连接部194以及底部196皆受到曝光UV2。如此一来，藉由步骤(a)、(b)、(c)可形成多个第一间隙物170以及多个第三间隙物190。第一间隙物170的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，第三间隙物190在图案化遮光层120上的垂直投影分别与透光图案128重叠。再者，每一第一间隙物170具有顶部172、连接部174以及底部176，每一第三间隙物190具有顶部192、连接部194以及底部196。
[0131]在本实施例中，由于第二间隙物180仅受到非饱和正曝，因此第二间隙物180的光敏材料的交联密度为顶部182〉连接部184 =底部186。再者，由于第一间隙物170受到非饱和正曝及饱和背曝，因此第一间隙物170的光敏材料的交联密度为底部176〉顶部172〉连接部174。由于第三间隙物190受到非饱和正曝及饱和背曝，因此第三间隙物190的光敏材料的交联密度为底部196〉顶部192〉连接部194。此外，由于底部176及底部196分别是通过第一曝光开口 124以及透光图案128曝光UV2形成，且透光图案128的透光率低于第一曝光开口 124的透光率，因此第三间隙物190的高度H3小于第一间隙物170的高度Hl。如此一来，硬烤后的第一间隙物170的高度Hl大于第二间隙物180的高度H2，且第三间隙物190的高度H3介于第一间隙物170的高度Hl与第二间隙物180的高度H2之间。
[0132]在上述图1lA至图1lD的实施例中是以对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(C)/(b)/(a)、步骤(a)/(c)/(b)、或步骤(c)/(a)/(b)，只要步骤(a)先于步骤(C)、或步骤(C)先于步骤(a)即可。由于本领域的技术人员可藉由上述图1lA至图1lD的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、(C)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。
[0133]图12A为依照本发明的第六实施例的元件基板的俯视示意图，而图12B为图12A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。图12A至图12B的实施例与上述图3A至图3B的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。请同时参照图12A及图12B，图12A至图12B的实施例与上述图3A至图3B的实施例的不同之处在于，元件基板200C更包括多个第三间隙物290，第三间隙物290的高度H3介于第一间隙物270的高度Hl与第二间隙物280的高度H2之间。再者，图案化遮光层120更具有多个透光图案128。关于透光图案128的详细地描述请参照图1OA至图1lD的实施例，在此则不再重复说明。
[0134]多个第三间隙物290位于基底110上，第三间隙物290在图案化遮光层120上的垂直投影分别与透光图案128重叠。更详细来说，第三间隙物290位于透明层140上且对应透光图案128设置，以覆盖透光图案128。在本实施例中，当元件基板200C为触控显示面板的彩色滤光基板时，第三间隙物290例如是主间隙物或次间隙物。再者，在本实施例中，第一间隙物270、第二间隙物280以及第三间隙物290的材料为正型光阻，且第二间隙物280的高度H2大于第一间隙物270的高度H1，第三间隙物290的高度H3介于第一间隙物270的高度Hl与第二间隙物280的高度H2之间。第三间隙物290的材料例如是光敏材料。此夕卜，本发明不特别限定第三间隙物290的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。
[0135]值得一提的是，每一第三间隙物290具有顶部292、连接部294以及底部296。底部296为邻近于透光图案128的部分，顶部292为远离于透光图案128的部分，而连接部294位于顶部292与底部296之间。在本实施例中，第三间隙物290的光敏材料的分解强度为底部296〉连接部294〉顶部292 (等同于交联密度为顶部292〉连接部294〉底部296)。
[0136]图13A至图13D为图12B的元件基板的制造方法的剖视示意图。图13A至图13D的实施例与上述图4A至图4D的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。
[0137]请参照图13A，图13A与图4A的结构及制造方法相同或相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。在本实施例中，光阻材料层250的材料包括光敏材料，且光阻材料层250为正型光阻。再者，图案化遮光层120更具有多个透光图案128。关于透光图案128的详细地描述请参照图1OA至图1lD的实施例，在此则不再重复说明。
[0138]接着，如图13B至图13D所示，对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物270、多个第二间隙物280及多个第三间隙物290于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0139]请参照图13B，步骤(a)为提供光罩660于光阻材料层250上，以光罩660为遮罩对光阻材料层250进行曝光UVl。此步骤(a)又可称为正曝。在本实施例中，步骤(a)为饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度提高(亦即，可被显影剂反应的官能基增加)，进而可形成不耐显影(亦即，在显影步骤中会被移除)的光阻材料层250’。再者，未受到曝光UVl的光阻材料层250有一部分的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，一部分的垂直投影分别与透光图案128重叠，而其他部分的垂直投影分别位于第一曝光开口 124及透光图案128之外。
[0140]请参照图13C，步骤(b)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层250进行曝光UV2。此步骤(b)又可称为背曝。在本实施例中，步骤(b)为非饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得通过第一曝光开口 124受到曝光UV2的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度略微提高(亦即，可被显影剂反应的官能基略微增加)，进而可形成弱耐显影(亦即，在显影步骤中会被部分移除)的光阻材料层250”。再者，通过透光图案128受到曝光UV2的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度亦略微提高，进而可形成弱耐显影的光阻材料层250’”。由于透光图案128的透光率低于第一曝光开口 124的透光率，因此光阻材料层250’ ”的光敏材料的分解强度小于光阻材料层250”的光敏材料的分解强度。
[0141]请参照图13D，步骤(C)为对曝光UV2后的光阻材料层250进行显影。此步骤(C)又可称为显影。在本实施例中，不耐显影的光阻材料层250’会被完全移除，弱耐显影的光阻材料层250”及光阻材料层250’ ”会被部分移除，而未受到曝光UVl及UV2的光阻材料层250不会被移除。由于光阻材料层250’ ”的光敏材料的分解强度小于光阻材料层250”的光敏材料的分解强度，因此光阻材料层250’ ”被移除的部分小于光阻材料层250”被移除的部分。因此，在步骤(c)中，未被移除的光阻材料层250”会形成第一间隙物270，未被移除的光阻材料层250会形成第二间隙物280，而未被移除的光阻材料层250’ ”会形成第三间隙物290。如此一来，藉由步骤(a)、(b)、(c)可形成多个第一间隙物270及多个第三间隙物290。第一间隙物270的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，第三间隙物290在图案化遮光层120上的垂直投影分别与透光图案128重叠。藉由步骤(a)与(c)可形成多个第二间隙物280，第二间隙物280的垂直投影分别位于第一曝光开口 124之外。再者，每一第一间隙物270具有顶部272、连接部274以及底部276，每一第二间隙物280具有顶部282、连接部284以及底部286，每一第三间隙物290具有顶部292、连接部294以及底部296。
[0142]在本实施例中，由于第一间隙物270仅受到非饱和背曝，因此第一间隙物270的光敏材料的分解强度为底部276〉连接部274〉顶部272。再者，由于第二间隙物280未受到正曝或背曝，因此第二间隙物280的光敏材料的分解强度为底部286 =连接部284 =顶部282。由于第三间隙物290仅受到非饱和背曝，因此第三间隙物290的光敏材料的分解强度为底部296〉连接部294〉顶部292。此外，由于第一间隙物270及第三间隙物290分别是通过第一曝光开口 124以及透光图案128曝光UV2形成，且透光图案128的透光率低于第一曝光开口 124的透光率，因此第三间隙物290的高度H3大于第一间隙物270的高度Hl。如此一来，硬烤后的第二间隙物280的高度H2大于第一间隙物270的高度H1，且第三间隙物290的高度H3介于第一间隙物270的高度Hl与第二间隙物280的高度H2之间。
[0143]在上述图13A至图13D的实施例中是以对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)(亦即，步骤(a)先于步骤(b)，且步骤(C)位于步骤(a)以及(b)的后)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(b)/(a)/(c)(亦即，步骤(b)先于步骤(a)，且步骤(C)位于步骤(a)以及(b)之后)。由于本领域的技术人员可藉由上述图13A至图13D的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、(c)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。[0144]图14A为依照本发明的第七实施例的元件基板的俯视示意图，而图14B为图14A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。图14A至图14B的实施例与上述图1OA至图1OB的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。请同时参照图14A及图14B，图14A至图14B的实施例与上述图1OA至图1OB的实施例的不同之处在于，在元件基板100D中，第二间隙物180与第一间隙物170以及第三间隙物190连接。
[0145]关于第一间隙物170、第二间隙物180及第三间隙物190的详细地描述请参照上述实施例，相同的元件以相同的符号表示且不再重复说明，以下仅说明不同之处。在本实施例中，第二间隙物180与第一间隙物170以及第三间隙物190连接。在图14A中的第二间隙物180的形状例如是具有两个圆形开口(未标示)的矩形区块，而第一间隙物170及第三间隙物190的形状例如是圆形且分别位于所述圆形开口中。然而，本发明不限于此，只要第二间隙物180与第一间隙物170以及第三间隙物190连接即可。举例来说，如图14B所示，第一间隙物170以及第三间隙物190可嵌入第二间隙物180中。再者，本发明不特别限定第一间隙物170、第二间隙物180或第三间隙物190的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。在其他实施例中，第一间隙物170、第二间隙物180或第三间隙物190的形状例如是包括圆形、椭圆形、矩形、正方形、三角形、菱形、多边形或其他合适的形状。
[0146]图15A至图15D为图14B的元件基板的制造方法的剖视示意图。图15A至图15D的实施例与上述图1lA至图1lD的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。
[0147]请参照图15A，图15A与图1lA的结构及制造方法相同，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。在本实施例中，光阻材料层150的材料包括光敏材料，且光阻材料层150为负型光阻。
[0148]接着，如图15B至图MD所示，对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物170、多个第二间隙物180及多个第三间隙物190于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0149]请参照图15B，步骤(a)为提供光罩760于光阻材料层150上，以光罩760为遮罩对光阻材料层150进行曝光UV1。此步骤(a)又可称为正曝。在本实施例中，步骤(a)为非饱和曝光，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可形成耐显影(亦即，在显影步骤中不会被移除)的光阻材料层150’ (包括顶部172、顶部182及顶部192)。光阻材料层150’的一部分(例如顶部172)的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，一部分(例如顶部192)的垂直投影分别与透光图案128重叠，而其他部分(例如顶部182)的垂直投影分别位于第一曝光开口124及透光图案128之外。
[0150]请参照图15C，步骤(b)为对曝光UVl后的光阻材料层150进行显影。此步骤(b)又可称为显影。在本实施例中，由于耐显影的光阻材料层150’覆盖了部分光阻材料层150，因此被光阻材料层150’所覆盖的部分光阻材料层150在此步骤(b)中不会被移除，而其他未被覆盖的光阻材料层150则会被移除。
[0151]请参照图15D，步骤(C)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层150进行曝光UV2。此步骤(c)又可称为背曝。在本实施例中，步骤(c)为饱和曝光，且由于光阻材料层150为负型光阻，因此可使得受到曝光UV2的部分光阻材料层150的光敏材料的交联密度提高，进而可通过第一曝光开口 124及透光图案128以分别形成底部176以及底部196。在步骤(c)中，未受到曝光UV2的部分光阻材料层150会形成连接部174、连接部194、连接部184及底部186。如此一来，藉由步骤(a)、(b)、(c)可形成多个第一间隙物170以及多个第三间隙物190。第一间隙物170的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，第三间隙物190在图案化遮光层120上的垂直投影分别与透光图案128重叠。藉由步骤(a)与(b)可形成多个第二间隙物180，第二间隙物180的垂直投影分别位于第一曝光开口 124以及透光图案128之外。再者，每一第一间隙物170具有顶部172、连接部174以及底部176，每一第二间隙物180具有顶部182、连接部184以及底部186，每一第三间隙物190具有顶部192、连接部194以及底部196。此外，硬烤后的第一间隙物170的高度Hl大于第二间隙物180的高度H2，且第三间隙物190的高度H3介于第一间隙物170的高度Hl与第二间隙物180的高度H2之间。
[0152]在上述图15A至图15D的实施例中是以对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层150进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(C)/(b)/(a)、步骤(a)/(c)/(b)、或步骤(c)/(a)/(b)，只要步骤(a)先于步骤(C)、或步骤(C)先于步骤(a)即可。由于本领域的技术人员可藉由上述图15A至图15D的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、(C)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。
[0153]图16A为依照本发明的第八实施例的元件基板的俯视示意图，而图16B为图16A的元件基板沿线1-1’的剖视示意图。图16A至图16B的实施例与上述图12A至图12B的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。请同时参照图16A及图16B，图16A至图16B的实施例与上述图12A至图12B的实施例的不同之处在于，在元件基板200D中，第一间隙物270与第二间隙物280以及第三间隙物290连接。
[0154]关于第一间隙物270、第二间隙物280及第三间隙物290的详细地描述请参照上述实施例，相同的元件以相同的符号表示且不再重复说明，以下仅说明不同之处。在本实施例中，第一间隙物270与第二间隙物280以及第三间隙物290连接。在图16A中的第一间隙物270的形状例如是具有两个圆形开口(未标示)的矩形区块，而第二间隙物280及第三间隙物290的形状例如是圆形且分别位于所述圆形开口中。然而，本发明不限于此，只要第一间隙物270与第二间隙物280以及第三间隙物290连接即可。举例来说，如图16B所示，第二间隙物280以及第三间隙物290可嵌入第一间隙物270中。再者，本发明不特别限定第一间隙物270、第二间隙物280或第三间隙物290的颜色、尺寸、数量、形状以及截面形状。在其他实施例中，第一间隙物270、第二间隙物280或第三间隙物290的形状例如是包括圆形、椭圆形、矩形、正方形、三角形、菱形、多边形或其他合适的形状。
[0155]图17A至图17D为图16B的元件基板的制造方法的剖视示意图。图17A至图17D的实施例与上述图13A至图13D的实施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。
[0156]请参照图17A，图17A与图13A的结构及制造方法相同或相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且不再重复说明。在本实施例中，光阻材料层250的材料包括光敏材料，且光阻材料层250为正型光阻。再者，透光图案128以及部分图案化遮光层120位于第一曝光开口 124内。[0157]接着，如图17B至图17D所示，对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物270、多个第二间隙物280及多个第三间隙物290于基底110上。在下文中，将详细地描述对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤(a)、(b)、(c)。
[0158]请参照图17B，步骤(a)为提供光罩860于光阻材料层250上，以光罩860为遮罩对光阻材料层250进行曝光UVl。此步骤(a)又可称为正曝。在本实施例中，步骤(a)为饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得受到曝光UVl的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度提高(亦即，可被显影剂反应的官能基增加)，进而可形成不耐显影(亦即，在显影步骤中会被移除)的光阻材料层250’。再者，未受到曝光UVl的光阻材料层250有一部分的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，一部分的垂直投影分别与透光图案128重叠，而其他部分的垂直投影分别位于第一曝光开口 124及透光图案128之外。
[0159]请参照图17C，步骤(b)为以图案化遮光层120为遮罩对光阻材料层250进行曝光UV2。此步骤(b)又可称为背曝。在本实施例中，步骤(b)为非饱和曝光，且由于光阻材料层250为正型光阻，因此可使得通过第一曝光开口 124受到曝光UV2的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度略微提高(亦即，可被显影剂反应的官能基略微增加)，进而可形成弱耐显影(亦即，在显影步骤中会被部分移除)的光阻材料层250”。再者，通过透光图案128受到曝光UV2的部分光阻材料层250的光敏材料的分解强度亦略微提高，进而可形成弱耐显影的光阻材料层250’”。由于透光图案128的透光率低于第一曝光开口 124的透光率，因此光阻材料层250’ ”的光敏材料的分解强度小于光阻材料层250”的光敏材料的分解强度。
[0160]请参照图17D，步骤(C)为对曝光UV2后的光阻材料层250进行显影。此步骤(C)又可称为显影。在本实施例中，不耐显影的光阻材料层250’会被完全移除，弱耐显影的光阻材料层250”及光阻材料层250’ ”会被部分移除，而未受到曝光UVl及UV2的光阻材料层250不会被移除。由于光阻材料层250’ ”的光敏材料的分解强度小于光阻材料层250”的光敏材料的分解强度，因此光阻材料层250’ ”被移除的部分小于光阻材料层250”被移除的部分。因此，在步骤(c)中，未被移除的光阻材料层250”会形成第一间隙物270，未被移除的光阻材料层250会形成第二间隙物280，而未被移除的光阻材料层250’ ”会形成第三间隙物290。如此一来，藉由步骤(a)、(b)、(c)可形成多个第一间隙物270及多个第三间隙物290。第一间隙物270的垂直投影分别与第一曝光开口 124重叠，第三间隙物290在图案化遮光层120上的垂直投影分别与透光图案128重叠。藉由步骤(a)与(c)可形成多个第二间隙物280，第二间隙物280的垂直投影分别位于第一曝光开口 124及透光图案128之外。再者，每一第一间隙物270具有顶部272、连接部274以及底部276，每一第二间隙物280具有顶部282、连接部284以及底部286，每一第三间隙物290具有顶部292、连接部294以及底部296。此外，硬烤后的第二间隙物280的高度H2大于第一间隙物270的高度H1，且第三间隙物290的高度H3介于第一间隙物270的高度Hl与第二间隙物280的高度H2之间。
[0161]在上述图17A至图17D的实施例中是以对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(a)/(b)/(c)(亦即，步骤(a)先于步骤(b)，且步骤(C)位于步骤(a)以及(b)之后)为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是对光阻材料层250进行曝光工艺与显影工艺所包括的步骤依序为步骤(b)/(a)/(c)(亦即，步骤
(b)先于步骤(a)，且步骤(C)位于步骤(a)以及(b)之后)。由于本领域的技术人员可藉由上述图17A至图17D的实施例的教示推得上述的步骤(a)、(b)、(c)的顺序交换的各种情形，故此处不再绘图示之。
[0162]在上述任一实施例中，是以元件基板包括第一及第二间隙物为例来说明、或者是以元件基板包括第一、第二及第三间隙物为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是元件基板包括第二及第三间隙物、或者是元件基板包括第一及第三间隙物等，且本发明不特别限定这些间隙物的数量。再者，上述任一实施例是以间隙物与一个第一曝光开口、第二曝光开口或透光图案重叠为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是间隙物与至少一个第一曝光开口、第二曝光开口或透光图案重叠。亦即，本发明不特别限定每一间隙物所重叠的曝光开口或透光图案的数量。此外，多个透光图案128亦可以是包括至少一种颜色，以形成高度不同的第三间隙物。举例来说，当间隙物为负型光阻时，可藉由蓝色透光图案来制作高度较高的第三间隙物，并藉由绿色透光图案来制作高度较低的第三间隙物。
[0163]在上述任一实施例中，当间隙物(例如第一间隙物170、第二间隙物180、第三间隙物190、第一间隙物270、第二间隙物280或第三间隙物290)为负型光阻或正型光阻时，间隙物的光敏材料的交联密度在顶部、连接部及底部会有所不同，但本发明不限于此。在其他实施例中，只要连接部的光敏材料的交联密度小于顶部及底部中至少一个的光敏材料的交联密度即落入本发明的范畴中。另外，上述任一实施例是以一般的光罩(例如光罩160、260、360、460、560、660、760或860)为遮罩对光阻材料层进行正曝为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，亦可以是使用相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩为遮罩对光阻材料层进行正曝。
[0164]综上所述，在本发明的元件基板及其制造方法中，图案化遮光层具有曝光开口(或透光图案)，且曝光开口与像素开口的面积或/且形状不同。因此，除了可用一般的光罩为遮罩对光阻材料层进行正曝之外，还可以图案化遮光层为遮罩对光阻材料层进行背曝，其中光阻材料层可为负型光阻或正型光阻。如此一来，可藉由正曝、背曝、不曝光及显影等步骤的搭配使用以及不同曝光剂量(饱和曝光或非饱和曝光)的控制，以制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力，故根据本发明的元件基板及其制造方法具有成本较低以及工艺简易等优点。再者，根据本发明的元件基板及其制造方法亦可用于制作结构不同的间隙物(例如具有矩形或阶梯形等截面形状的间隙物)。
[0165]当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种元件基板，其特征在于，包含: 一基底；以及 一图案化遮光层，位于该基底上，该图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状为不同。
2.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，任意一第一曝光开口位于两相邻的像素开口之间，该第一曝光开口的宽度为4微米至40微米，该像素开口的宽度为12微米至120微米。
3.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，更包含多个第一间隙物位于该基底上，该些第一间隙物的垂直投影分别与该些第一曝光开口重叠，其中每一该第一间隙物的高度为介于I微 米至6微米。
4.根据权利要求3所述的元件基板，其特征在于，更包含多个彩色滤光图案分别位于该些像素开口内，而不位于该些第一曝光开口内。
5.根据权利要求3所述的元件基板，其特征在于，更包含多个第二间隙物位于该基底上，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，其中(a)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为负型光阻时，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度；(b)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为正型光阻时，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度。
6.根据权利要求3所述的元件基板，其特征在于，更包含多个第二间隙物位于该基底上，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，其中(a)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为负型光阻时，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度，其中各该第一间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分，该第一部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第一曝光开口重叠，该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影位于相应的该第一曝光开口之外，该第一部分的高度大于该第二部分的高度；(b)当该些第一间隙物以及该些第二间隙物的材料为正型光阻时，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度，该图案化遮光层更具有多个第二曝光开口，其中各该第二间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分，该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第二曝光开口重叠，该第一部分的高度大于该第二部分的高度。
7.根据权利要求3所述的元件基板，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个透光图案，该元件基板更包含多个第二间隙物以及多个第三间隙物位于该基底上，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠，该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间，其中(a)当该些第一间隙物、该些第二间隙物以及该些第三间隙物的材料为负型光阻时，该些第二间隙物的高度小于该些第一间隙物的高度；(b)当该些第一间隙物、该些第二间隙物以及该些第三间隙物的材料为正型光阻时，该些第一间隙物的高度小于该些第二间隙物的高度。
8.根据权利要求3所述的元件基板，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个透光图案，该些透光图案的透光率低于该些第一曝光开口的透光率，该元件基板更包含多个第二间隙物以及多个第三间隙物位于该基底上，该些第二间隙物的垂直投影位于该些第一曝光开口之外，该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠，该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间，该些第二间隙物与该些第一间隙物以及该些第三间隙物连接，其中该些第一间隙物、该些第二间隙物以及该些第三间隙物的材料为负型光阻，该些第二间隙物的高度小于该些第一间隙物的高度。
9.根据权利要求3所述的兀件基板,该些第一间隙物的材料包含一光敏材料,各该第一间隙物具有一顶部、一连接部以及一底部，该连接部位于该顶部与该底部之间，其中该连接部的该光敏材料的交联密度小于或等于该顶部及该底部中至少一个的该光敏材料的交联密度，或者是该连接部的该光敏材料的分解强度大于或等于该顶部及该底部中至少一个的该光敏材料的分解强度。
10.根据权利要求3所述的元件基板，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个透光图案，该些透光图案的透光率低于该些第一曝光开口的透光率，该元件基板更包含多个第二间隙物以及多个第三间隙物位于该基底上，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠，该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间，该些第一间隙物与该些第二间隙物以及该些第三间隙物连接，其中该些第一间隙物、该些第二间隙物以及该些第三间隙物的材料为正型光阻，该些第一间隙物的高度小于该些第二间隙物的高度。
11.一种元件基板，具有多个次像素区其特征在于，且该元件基板包含: 一基底；以及 多个间隙物，配置于该基底上，该些间隙物的材料包含一光敏材料，各该间隙物具有一顶部、一连接部以及一底部，该连接部位于该顶部与该底部之间，其中该连接部的该光敏材料的交联密度小于或等于该顶部及该底部中至少一个的该光敏材料的交联密度，或者是该连接部的该光敏材料的分解强度大于或等于该顶部及该底部中至少一个的该光敏材料的分解强度。
12.根据权利要求11所述的元件基板，其特征在于，该光敏材料包含: (a)聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺或硅氧烷；以及 (b)丙烯酰基、环氧树脂、酚醛树脂或多种具有不同吸收波长的光起始剂。
13.—种元件基板的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基底； 形成一图案化遮光层于该基底上，该图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状为不同； 形成一光阻材料层于该图案化遮光层上；以及 对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物于该基底上，其中该些第一间隙物的垂直投影分别与该些第一曝光开口重叠。
14.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该光阻材料层为负型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含: (a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)对该曝光后的光阻材料层进行显影；以及(C)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光； 其中藉由步骤(a)与(b)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度，其中步骤(a)与(C)中的曝光具有不同的曝光剂量或具有不同的波长。
15.根据权利要求14所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(C)。
16.根据权利要求14所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(c)先于该步骤(a)。
17.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该光阻材料层为正型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含: (a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；以及 (C)对该曝光后的光阻材料层进行显影； 其中藉由步骤(a)与 (C)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度。
18.根据权利要求17所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(b)，且该步骤(C)位于该步骤(a)以及(b)之后。
19.根据权利要求17所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(b)先于该步骤(a)，且该步骤(C)位于该步骤(a)以及(b)之后。
20.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该光阻材料层为负型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含: (a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)对该曝光后的光阻材料层进行显影；以及 (c)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光； 其中藉由步骤(a)与(b)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，其中各该第一间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分，该第一部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第一曝光开口重叠，该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影位于相应的该第一曝光开口的外，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度，且该第一部分的高度大于该第二部分的高度。
21.根据权利要求20所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(C)。
22.根据权利要求20所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(c)先于该步骤(a)。
23.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个第二曝光开口，该光阻材料层为正型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含:(a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；以及 (C)对该曝光后的光阻材料层进行显影； 其中藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物以及多个第二间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，各该第二间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分，该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第二曝光开口重叠，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度，且该第一部分的高度大于该第二部分的高度。
24.根据权利要求23所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(b)，且该步骤(C)位于该步骤(a)以及(b)之后。
25.根据权利要求23所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(b)先于该步骤(a)，且该步骤(C)位于该步骤(a)以及(b)之后。
26.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个透光图案，该光阻材料层为负型光阻，其中对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含: (a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)对该曝光后的光阻 材料层进行显影；以及 (c)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光； 其中藉由步骤(a)与(b)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物与多个第三间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口以及该些透光图案之外，该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度，且该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间。
27.根据权利要求26所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(C)。
28.根据权利要求26所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(c)先于该步骤(a)。
29.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个透光图案，该光阻材料层为正型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含: (a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；以及 (C)对该曝光后的光阻材料层进行显影； 其中藉由步骤(a)与(C)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物以及多个第三间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度，且该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间。
30.根据权利要求29所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(b)，且该步骤(c)位于该步骤(a)以及(b)之后。
31.根据权利要求29所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(b)先于该步骤(a)，且该步骤(C)位于该步骤(a)以及(b)之后。
32.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个透光图案，该光阻材料层为负型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含: (a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)对该曝光后的光阻材料层进行显影；以及 (c)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光； 其中藉由步骤(a)与(b)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物与多个第三间隙物，该些第二间隙物的垂直投影位于该些第一曝光开口以及该些透光图案之外，该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度，且该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间，该些第二间隙物与该些第一间隙物以及该些第三间隙物连接。
33.根据权利要求32所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(C)。
34.根据权利要求32所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(c)先于该步骤(a)。
35.根据权利要求13所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个透光图案，该光阻材料层为正型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含: (a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光； (b)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；以及 (C)对该曝光后的光阻材料层进行显影； 其中藉由步骤(a)与(C)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(C)形成该些第一间隙物以及多个第三间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第三间隙物在该图案化遮光层上的垂直投影分别与该些透光图案重叠，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度，且该些第三间隙物的高度介于该些第一间隙物的高度与该些第二间隙物的高度之间，该些第一间隙物与该些第二间隙物以及该些第三间隙物连接。
36.根据权利要求35所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(b)，且该步骤(C)位于该步骤 (a)以及(b)之后。
37.根据权利要求35所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(b)先于该步骤(a)，且该步骤(C)位于该步骤(a)以及(b)之后。
【文档编号】G03F7/20GK104007621SQ201410208389
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年5月16日 优先权日:2014年4月10日
【发明者】裴锴 申请人:友达光电股份有限公司