显示基板及其制造方法以及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明的实施例提供了一种显示基板及其制造方法，以及包括显示基板的显示装置。显示基板可以包括衬底和设置在衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括依次设置在衬底上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体活性层以及源电极和漏电极；显示基板还可以包括紫外光阻挡层，该紫外光阻挡层包括第一部分，该第一部分设置在衬底和氧化物半导体活性层之间。通过设置紫外光阻挡层，能够减轻或避免紫外光对氧化物半导体活性层的影响。
【专利说明】显示基板及其制造方法以及显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术，尤其涉及一种显示基板及其制造方法以及显示装置。
【背景技术】
[0002]诸如液晶显示装置的显示装置广泛应用于各个领域。对于液晶显示装置而言，其一般包括显示基板(比如阵列基板和彩膜基板)以及设置在显示基板之间的液晶层。随着显示技术的发展，可以在显示基板中应用包括氧化物半导体活性层的薄膜晶体管。这样的薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率和较低的漏电流，因而有利于实现显示装置的集成化、轻薄化、高画质以及低功耗。
[0003]然而，氧化物半导体通常对光、特别是紫外光比较敏感。因此，在将包括氧化物半导体活性层的薄膜晶体管应用于比如阵列基板的显示基板时，该活性层中的氧化物半导体的性质容易在紫外光(例如，背光中所含有的紫外光)的照射下发生变化，产生不良，从而使得显示基板以及包括该显示基板的显示装置发生故障。
【发明内容】
[0004]因此，所期望的是提供一种改进的显示基板以及显示装置，其能够减轻或避免上述问题。
[0005]根据本发明的一个方面，提供了一种显示基板，其可以包括衬底和设置在衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括依次设置在衬底上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体活性层以及源电极和漏电极。显示基板还可以包括紫外光阻挡层，该紫外光阻挡层包括设置在衬底和氧化物半导体活性层之间的第一部分。
[0006]如上文中所提到的，在将包括氧化物半导体活性层的薄膜晶体管应用于比如阵列基板的显示基板时，活性层中氧化物半导体的性质容易在紫外光(例如，背光中所含有的紫外光)的照射下发生变化，产生不良。为此，已经提出将位于活性层下方的栅极的面积制造得比活性层的面积稍大，以用于避免紫外光对活性层的影响。
[0007]发明人已经认识到，尽管以上方案能够在一定程度上减轻背光中的紫外光成分对氧化物半导体活性层造成的不良影响，但是由于背光的光线是散乱的，还是会有一些光不可避免地到达活性层从而使活性层劣化。因此，发明人提出在显示基板中设置紫外光阻挡层，该紫外光阻挡层可以包括设置在衬底和氧化物半导体活性层之间的部分。利用这样的紫外光阻挡层，能够至少部分地或完全阻挡紫外光，从而减轻或避免紫外光对活性层的影响，提闻广品的良率。
[0008]根据本发明的一个实施例，紫外光阻挡层可以包括氧化铟锡(110)或氧化铟锌(咖。
[0009]为了阻止紫外光到达氧化物半导体活性层，用于形成紫外光阻挡层的材料应当能够有效地阻挡紫外光。发明人通过研究发现，110或120对紫外波段的光具有良好的吸收性能。因此，通过使紫外光阻挡层包括110或120，能够通过对紫外光的吸收而达到良好的阻挡紫外光的效果。
[0010]根据本发明的另一实施例，紫外光阻挡层的第一部分可以设置在衬底与栅极之间。
[0011]根据本发明的另一实施例，紫外光阻挡层的第一部分与氧化物半导体活性层在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。这样，可以使得氧化物半导体活性层在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域部分地或全部位于紫外光阻挡层的第一部分的周界之内，从而能够实现更好的阻挡紫外光的效果。
[0012]根据本发明的另一实施例，显示基板还可以包括设置在衬底上的栅线和位于栅线上方并且与薄膜晶体管的源电极和漏电极之一电连接的数据线。在栅线和数据线交叠处的栅线和数据线之间设置有氧化物半导体活性层隔垫，并且紫外光阻挡层还可以包括设置在衬底和氧化物半导体活性层隔垫之间的第二部分。
[0013]一般而言，在用于显示装置的显示基板上可以存在多个像素区域以用于实现显示功能，所述多个像素区域可以通过显示基板所包括的多条栅线和多条数据线所限定。在这样的显示基板中，有非常多的栅线和数据线交叠的地方。通过在栅线和数据线交叠处的栅线和数据线之间设置氧化物半导体活性层隔垫，可以降低栅线和数据线之间的电容，还可以进一步改善横截面坡度角以减少断线。
[0014]然而，由于氧化物半导体对紫外光的敏感性，所以这样的氧化物半导体活性层隔垫会受到紫外光、例如背光中的紫外光成分的影响。因此，发明人提出使上述紫外光阻挡层进一步包括设置在衬底和氧化物半导体活性层隔垫之间的第二部分。即，该紫外光阻挡层的第二部分设置于栅线和数据线交叠处的氧化物半导体活性层隔垫下方。利用这样的紫外光阻挡层，能够至少部分地或完全阻挡紫外光，从而减轻或避免紫外光对活性层隔垫的影响，提闻广品的良率。
[0015]根据本发明的又一实施例，紫外光阻挡层的第二部分可以设置在衬底与栅线之间。
[0016]根据本发明的又一实施例，显示基板还可以包括设置在衬底上的透明导电层，该透明导电层位于显示基板的像素区域并且与紫外光阻挡层处于同一层。这样的显示基板在应用于工作在ADS显示模式下的液晶显示装置时是尤为有利的。
[0017]对于液晶显示装置而言，存在ADS、TN、IPS、VA等显示模式。其中，ADS显示模式具有良好的视角、响应速度和色彩表现力。为了使液晶显示装置工作于ADS显示模式下，在制作液晶显示装置所包括的显示基板(例如阵列基板)时，一般会首先在衬底上形成位于显示基板的像素区域中的透明导电层(例如ITO或IZO层)。如下文所提到的，通过在同一工艺步骤中形成透明导电层与根据本发明实施例的紫外光阻挡层以使得透明导电层与紫外光阻挡层处于同一层，能够减轻或避免紫外光对氧化物半导体活性层的影响而不会增加任何制造成本。
[0018]根据本发明的又一实施例，紫外光阻挡层的第二部分与氧化物半导体活性层隔垫在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。这样，可以使得氧化物半导体活性层隔垫在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域部分地或全部位于紫外光阻挡层的第二部分的周界之内，从而能够实现更好的阻挡紫外光的效果。
[0019]根据本发明的另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，该方法可以包括:在衬底上依次形成栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体活性层以及源电极和漏电极，以形成薄膜晶体管。该方法还可以包括:在形成氧化物半导体活性层之前，形成紫外光阻挡层，使得该紫外光阻挡层包括设置在衬底和氧化物半导体活性层之间的第一部分。
[0020]根据本发明的一个实施例，紫外光阻挡层可以包括ITO或ΙΖ0。
[0021]根据本发明的另一实施例，可以在形成栅极之前形成紫外光阻挡层，使得紫外光阻挡层的第一部分设置在衬底与栅极之间。
[0022]根据本发明的另一实施例，紫外光阻挡层的第一部分的面积可以大于或等于所述氧化物半导体活性层的面积。
[0023]根据本发明的另一实施例，形成栅极的步骤还可以包括形成栅线；形成氧化物半导体活性层的步骤还可以包括形成位于栅线上方的氧化物半导体活性层隔垫；以及，形成源电极和漏电极的步骤还可以包括形成与源电极和漏电极之一电连接的数据线。并且，紫外光阻挡层还可以包括设置在衬底和氧化物半导体活性层隔垫之间的第二部分。
[0024]根据本发明的又一个实施例，紫外光阻挡层的第二部分可以设置在衬底与栅线之间。
[0025]根据本发明的又一个实施例，形成紫外光阻挡层的步骤还可以包括在衬底上形成透明导电层。
[0026]根据本发明的又一实施例，紫外光阻挡层的第二部分的面积可以大于或等于所述氧化物半导体活性层隔垫的面积。
[0027]根据本发明的又一方面，提供了一种显示装置，其可以包括上述显示基板。该显示装置例如可以为液晶显示装置。该液晶显示装置可以工作于ADS显示模式下。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]现在，将通过非限制性实施例的方式参照附图描述本发明的构思和另外的优点。
[0029]图1以俯视图和剖面图的形式示意性地示出了根据本发明实施例的显示基板。
[0030]图2A至2E以俯视图和剖面图的形式示意性地示出了根据本发明实施例的显示基板的制造方法。
【具体实施方式】
[0031]下面，参照附图通过举例的方式来说明根据本发明实施例的显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法的具体实例。附图是示意性的，并未按比例绘制，且只是为了说明本发明的实施例而并不意图限制本发明的保护范围。
[0032]应当理解，当称一个元件或一层在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦合到”另一元件或层时，它可以直接在、连接到或I禹合到另一元件或层上，或者还可以存在插入的元件或层。相反，当称一个元件“直接在”、“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件或层上时，不存在插入元件或层。
[0033]图1示意性地示出了根据本发明实施例的显示基板。其中，图1的左侧示出了该显示基板的俯视图，图1的右侧分别示出了该显示基板延A-A’’方向和B-B’’方向的局部剖面图。局部剖面图中向上的箭头表示光线，其例如可以是背光。
[0034]如图1所示，显示基板10可以包括衬底100和设置在衬底100上的薄膜晶体管110。薄膜晶体管110可以包括依次设置在衬底100上的栅极103^栅极绝缘层104、氧化物半导体活性层1053以及源电极1063和漏电极106匕显示基板10还可以包括紫外光阻挡层101，该紫外光阻挡层101可以包括设置在衬底100和氧化物半导体活性层105&之间的第一部分1013。
[0035]为了清楚起见，在图1左侧的俯视图中，并未示出衬底100和栅极绝缘层104。
[0036]通过设置紫外光阻挡层101，能够至少部分地或完全阻挡紫外光，从而减轻或避免紫外光、例如背光中的紫外光成分对活性层的影响，提高产品的良率。
[0037]根据本发明的示例性实施例，衬底100例如可以为玻璃衬底。栅极1033可以包括金属材料，所述金属材料例如选择由钨、铝、铜、银、钥及其合金所构成的组。栅极绝缘层104例如可以由氮化硅(31队〉、氧化硅(31(?)或氮氧化硅(31顯)的单层形成，或者由这些材料构成的多层结构形成。氧化物半导体活性层1053包括氧化物半导体，该氧化物半导体例如可以是氧化锌(2110^氧化铟镓锌(1(^20)或氧化铟锡锌(1120)等等。源电极1063和漏电极1066可以包括金属材料，所述金属材料例如选择由钨、铝、铜、银、钥及其合金所构成的组。
[0038]紫外光阻挡层101例如可以包括氧化铟锡(110)或氧化铟锌(120)0如上文所提到的，为了阻止紫外光到达氧化物半导体活性层，用于形成紫外光阻挡层的材料应当能够有效地阻挡紫外光。由于110或120对紫外波段的光具有良好的吸收性能，因此，通过使紫外光阻挡层101包括110或120，能够通过对紫外光的吸收而达到良好的阻挡紫外光的效果。当然，形成紫外光阻挡层101的材料并不限于110或120。可以根据具体应用和需求来选择形成紫外光阻挡层的材料，只要其具有阻挡紫外光的效果即可。
[0039]尽管在图1中没有示出，但可以在图1中所示的结构上进一步形成钝化层，并且在该钝化层上形成像素电极以使得所述像素电极通过设置在钝化层中的通孔与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。钝化层可以由氮化硅(31队〉、氧化硅(31(?)或氮氧化硅(31勵)的单层形成，或者由这些材料构成的多层结构形成。像素电极可以由110或120形成。由于钝化层和像素电极的结构为本领域技术人员所熟知，所以在此不再赘述。
[0040]如图1所示，紫外光阻挡层的第一部分10匕例如可以设置在衬底100与栅极1033之间。进一步地，紫外光阻挡层的第一部分10匕例如可以与衬底100和栅极1033直接接触。然而，紫外光阻挡层的位置不限于此。可以根据具体应用和需求来选择紫外光阻挡层的具体位置，只要其位于氧化物半导体活性层1053下方即可。
[0041]进一步地，紫外光阻挡层的第一部分10匕可以与氧化物半导体活性层1053在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。这样，可以使得氧化物半导体活性层1053在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域部分地或全部位于紫外光阻挡层的第一部分10匕的周界之内，从而能够实现更好的阻挡紫外光的效果。
[0042]根据本发明的示例性实施例，显示基板10例如还可以包括设置在衬底100上的栅线103)3和位于栅线103)3上方并且与薄膜晶体管110的源电极106&和漏电极106)3之一电连接的数据线106匕在图1所示的显示基板中，以与漏电极电连接的数据线为例。此外，还可以在栅线1036和数据线106(3交叠处的栅线和数据线之间设置氧化物半导体活性层隔垫105匕紫外光阻挡层101例如还可以包括设置在衬底100和氧化物半导体活性层隔垫1056之间的第二部分101匕
[0043]根据本发明的示例性实施例，栅线1036例如可以包括金属材料，所述金属材料例如选择由钨、铝、铜、银、钥及其合金所构成的组。氧化物半导体活性层隔垫105b包括氧化物半导体，该氧化物半导体例如可以是氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锡锌(ITZO)等等。数据线106c可以包括金属材料，所述金属材料例如选择由钨、铝、铜、银、钥及其合金所构成的组。
[0044]如上文所提到的，通过在栅线103b和数据线106c交叠处的栅线和数据线之间设置氧化物半导体活性层隔垫105b，可以降低栅线和数据线之间的电容，还可以进一步改善横截面坡度角以减少断线。
[0045]为了减轻或消除紫外光对氧化物半导体活性层隔垫105b的影响，可以使紫外光阻挡层101进一步包括设置在衬底100和氧化物半导体活性层隔垫105b之间的第二部分1lb0当然，在不设置氧化物半导体活性层隔垫的情况下，紫外光阻挡层101不必包括所述第二部分101b。
[0046]如图1所示，紫外光阻挡层101的第二部分1lb例如可以设置在衬底100与栅线103b之间。进一步地，紫外光阻挡层101的第二部分1lb例如可以与衬底100和栅线103b直接接触。然而，紫外光阻挡层的位置不限于此。可以根据具体应用和需求来选择紫外光阻挡层的具体位置，只要其位于氧化物半导体活性层隔垫105b下方即可。
[0047]进一步地，紫外光阻挡层的第二部分1lb可以与氧化物半导体活性层隔垫105b在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。这样，可以使得氧化物半导体活性层隔垫105b在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域部分地或全部位于紫外光阻挡层的第二部分1lb的周界之内，从而能够实现更好的阻挡紫外光的效果。
[0048]根据本发明的示例性实施例，显示基板10例如还可以包括设置在衬底100上的透明导电层102，如图1所示。透明导电层102位于显示基板10的像素区域并且与紫外光阻挡层101处于同一层。透明导电层102可以由与用于形成紫外光阻挡层101的材料相同的材料形成。例如，透明导电层102可以由ITO或IZO形成。这样的显示基板在应用于工作在ADS显示模式下的液晶显示装置时是尤为有利的。
[0049]对于液晶显示装置而言，存在ADS、TN、IPS、VA等显示模式。其中，ADS显示模式具有良好的视角、响应速度和色彩表现力。为了使显示基板10能够用于在ADS显示模式下工作的液晶显示装置，可以在衬底100上形成位于显示基板10的像素区域中的透明导电层102并且使该透明导电层102与紫外光阻挡层101处于同一层。显示基板的这种配置允许在同一工艺步骤中同时形成透明导电层与紫外光阻挡层。因此，能够减轻或避免紫外光对氧化物半导体活性层的影响而不会增加任何制造成本。
[0050]需要注意的是，根据本发明实施例的显示基板不仅可以应用于在ADS显示模式下工作的液晶显示装置，其还可以应用于在其它显示模式(例如TN、IPS、VA)下工作的液晶显示装置。在应用于在TN、IPS、VA等显示模式下工作的液晶显示装置的情况下，可以不形成透明导电层102。
[0051]为了简明起见，在图1中仅示出了一个薄膜晶体管以及栅线和数据线所交叠的一个位置。但应当注意的是，显示基板可以包括多个薄膜晶体管以及多条栅线和多条数据线。因此，显示基板中可以存在多个栅线和数据线所交叠的位置。
[0052]根据本发明的实施例，还提供了一种显示装置，其可以包括上述的显示基板10。
[0053]所述显示装置例如可以是液晶显示装置。在这种情况下，显示基板10可以为该液晶显示装置的阵列基板。进一步地，该液晶显示装置例如可以工作于仙3显示模式下。
[0054]图2八至22以俯视图和剖面图的形式示出了根据本发明实施例的显示基板的制造方法。根据本发明实施例的显示基板的制造方法可以包括:在衬底上依次形成栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体活性层以及源电极和漏电极，以形成薄膜晶体管；该方法还可以包括:在形成氧化物半导体活性层之前，形成紫外光阻挡层，使得该紫外光阻挡层包括设置在衬底和氧化物半导体活性层之间的第一部分。
[0055]下面，针对显示基板制造方法的一个具体实例，参照图2八至22来举例说明根据本发明实施例的显示基板的制造方法。应当注意的是，图2八至22中示出的各个步骤仅仅是示例性的，而并非是对本发明的限制。
[0056]如图2八所示，在衬底100上形成紫外光阻挡层101。该紫外光阻挡层101可以包括设置在衬底100上的第一部分10匕。通过设置紫外光阻挡层101，能够减轻或避免紫外光、例如背光中的紫外光成分对后续形成的氧化物半导体活性层的影响。
[0057]进一步地，紫外光阻挡层101例如还可以包括设置在衬底100上的第二部分10讣，从而能够进一步减轻或避免紫外光对后续形成的位于栅线和数据线之间的氧化物半导体活性层隔垫的影响。当然，在不设置氧化物半导体活性层隔垫的情况下，紫外光阻挡层101不必包括所述第二部分101匕
[0058]尽管在图2八中，紫外光阻挡层的第一部分10匕和第二部分1016被示出为设置在衬底100上，但紫外光阻挡层的位置不限于此。可以根据具体应用和需求来选择紫外光阻挡层的具体位置，只要其第一部分和第二部分分别位于后续形成的氧化物半导体活性层和氧化物半导体活性层隔垫的下方即可。
[0059]根据本发明的示例性实施例，衬底100例如可以为玻璃衬底。紫外光阻挡层101例如可以包括氧化铟锡(110)或氧化铟锌(120)0
[0060]根据本发明的示例性实施例，形成紫外光阻挡层101的步骤还可以包括在衬底上形成透明导电层102。即，可以在衬底100上同时形成紫外光阻挡层101和透明导电层102，使得透明导电层102位于显示基板10的像素区域并且与紫外光阻挡层101处于同一层，如图2八所示。如上文所述，这样的显示基板在应用于工作在八03显示模式下的液晶显示装置时是尤为有利的。
[0061]当然，根据本发明实施例的显示基板不仅可以应用于在八03显示模式下工作的液晶显示装置，其还可以应用于在其它显示模式(例如1？3、下工作的液晶显示装置。在应用于在1？3、#等显示模式下工作的液晶显示装置的情况下，可以不形成透明导电层 102。
[0062]作为具体工艺步骤的一个实例，可以在玻璃衬底上沉积一层110或120，然后通过曝光、显影、刻蚀形成所需要的图案，该图案包括上述紫外光阻挡层以及透明导电层。当然，该具体工艺步骤并非是对本发明的限制，本领域技术人员也可以根据具体应用和需求来选择形成紫外光阻挡层以及透明导电层的其它材料和方式。
[0063]如图28所示，在紫外光阻挡层101的第一部分10匕上形成栅极1033。
[0064]根据本发明的示例性实施例，形成栅极的步骤还可以包括形成栅线103匕即，可以在图2八所示的结构上同时形成栅极1033和栅线103^如图28所示。
[0065]由于在形成栅极和栅线之前形成了紫外光阻挡层101，所以紫外光阻挡层101的第一部分10匕可以设置在衬底100和栅极1033之间并且紫外光阻挡层101的第二部分101?可以设置在衬底100和栅线1036之间。
[0066]作为具体工艺步骤的一个实例，可以在图2八所示的结构上沉积栅极及栅线材料，然后通过曝光、显影、刻蚀形成所需要的图案，该图案包括上述栅极和栅线。栅极和栅线可以包括金属材料，该金属材料例如选择由钨、铝、铜、银、钥及其合金所构成的组。当然，该具体工艺步骤并非是对本发明的限制，本领域技术人员也可以根据具体应用和需求来选择形成栅极和栅线的其它材料和方式。
[0067]如图2(:所示，在图28所示的结构上形成栅极绝缘层104。栅极绝缘层104例如可以覆盖栅极1033和栅线1036以及部分紫外光阻挡层101和透明导电层102。为了清楚起见，在图2(:左侧的俯视图中，并未示出栅极绝缘层104。
[0068]作为具体工艺步骤的一个实例，可以在图28所示的结构上通过沉积形成栅极绝缘层。栅极绝缘层例如可以由氮化硅(31队〉、氧化硅(31(?)或氮氧化硅(31勵)的单层形成，或者由这些材料构成的多层结构形成。当然，该具体工艺步骤并非是对本发明的限制，本领域技术人员也可以根据具体应用和需求来选择形成栅极绝缘层的其它材料和方式。
[0069]如图20所示，在栅极绝缘层104上形成氧化物半导体活性层1053。
[0070]根据本发明的示例性实施例，形成氧化物半导体活性层的步骤还可以包括形成位于栅线1036上方的氧化物半导体活性层隔垫105匕即，可以在栅极绝缘层104上同时形成氧化物半导体活性层1053和氧化物半导体活性层隔垫1056，如图20所示。
[0071]作为具体工艺步骤的一个实例，可以在栅极绝缘层上沉积活性材料，然后通过曝光、显影、刻蚀形成所需要的图案，该图案包括上述氧化物半导体活性层和氧化物半导体活性层隔垫。所述活性材料包括氧化物半导体，该氧化物半导体例如可以是氧化锌口沾)、氧化铟镓锌(1(^20)或氧化铟锡锌(1120)等等。当然，该具体工艺步骤并非是对本发明的限制，本领域技术人员也可以根据具体应用和需求来选择形成氧化物半导体活性层和氧化物半导体活性层隔垫的其它材料和方式。
[0072]如图22所示，形成源电极1063和漏电极1066，以形成薄膜晶体管110。源电极1068和漏电极1066可以设置在氧化物半导体活性层1053上和部分栅极绝缘层104上。
[0073]根据本发明的示例性实施例，形成源电极和漏电极的步骤还可以包括形成与源电极1063和漏电极1066之一电连接的数据线106(3。即，可以同时形成源电极1063、漏电极106?以及数据线106匕数据线106(3可以设置在氧化物半导体活性层隔垫1056上以及部分栅极绝缘层104上。在图22中，以数据线106。与漏电极1066电连接为例。
[0074]作为具体工艺步骤的一个实例，可以在图20所示的结构上沉积用于形成源电极和漏电极以及数据线的材料，然后通过曝光、显影、刻蚀形成所需要的图案，该图案包括上述源电极和漏电极以及数据线。源电极和漏电极以及数据线可以包括金属材料，所述金属材料例如选择由钨、铝、铜、银、钥及其合金所构成的组。当然，该具体工艺步骤并非是对本发明的限制，本领域技术人员也可以根据具体应用和需求来选择形成源电极和漏电极以及数据线的其它材料和方式。
[0075]进一步地，可以在图22所示的结构上形成钝化层，并且在该钝化层上形成像素电极以使得所述像素电极通过设置在钝化层中的通孔与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。例如，可以在图22所示的结构上形成钝化材料层，然后通过曝光、显影、刻蚀形成所需要的图案，该图案包括包含通孔的钝化层；之后，在钝化层上沉积像素电极材料，然后通过曝光、显影、刻蚀形成所需要的图案，该图案包括像素电极。所述像素电极可以通过设置在钝化层中的通孔与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。钝化层可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(S12)或氮氧化硅(SiNO)的单层形成，或者由这些材料构成的多层结构形成。像素电极可以由ITO或IZO形成。由于钝化层和像素电极的结构以及制造工艺为本领域技术人员所熟知，所以在此不再赘述。
[0076]尽管已经参照附图详细地描述了本发明的示例性实施例，但是这样的描述应当被认为是说明性或示例性的，而不是限制性的。本发明并不限于所公开的实施例。上面以及权利要求中描述的不同实施例也可以加以组合。本领域技术人员在实施所要求保护的本发明时，根据对于附图、说明书以及权利要求的研究，能够理解并实施所公开的实施例的其他变型，这些变型也落入本发明的保护范围内。
[0077]在权利要求中，词语“包括”并不排除其他部件或步骤的存在。在相互不同的从属权利要求中陈述了若干技术手段的事实并不意味着这些技术手段的组合不能有利地加以利用。
【权利要求】
1.一种显示基板，包括衬底和设置在所述衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体活性层以及源电极和漏电极， 其中，所述显示基板还包括紫外光阻挡层，该紫外光阻挡层包括第一部分，所述第一部分设置在所述衬底和所述氧化物半导体活性层之间。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述紫外光阻挡层包括ITO或ΙΖ0。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述紫外光阻挡层的第一部分设置在所述衬底与所述栅极之间。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述紫外光阻挡层的第一部分与所述氧化物半导体活性层在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。
5.根据权利要求1所述的显示基板，还包括设置在所述衬底上的栅线和位于所述栅线上方并且与所述薄膜晶体管的源电极和漏电极之一电连接的数据线，其中，在所述栅线和所述数据线交叠处的栅线和数据线之间设置有氧化物半导体活性层隔垫，并且所述紫外光阻挡层还包括第二部分，所述第二部分设置在所述衬底和所述氧化物半导体活性层隔垫之间。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述紫外光阻挡层的第二部分设置在所述衬底与所述栅线之间。
7.根据权利要求5所述的显示基板，还包括设置在所述衬底上的透明导电层，该透明导电层位于所述显示基板的像素区域并且与所述紫外光阻挡层处于同一层。
8.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述紫外光阻挡层的第二部分与所述氧化物半导体活性层隔垫在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。
9.一种显示装置，包括根据权利要求1-8中任一项所述的显示基板。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述显示装置为液晶显示装置。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述液晶显示装置工作于ADS显示模式下。
12.—种显示基板的制造方法，包括: 在衬底上依次形成栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体活性层以及源电极和漏电极，以形成薄膜晶体管， 其中，所述方法还包括:在形成所述氧化物半导体活性层之前，形成紫外光阻挡层，使得该紫外光阻挡层包括第一部分，所述第一部分设置在所述衬底和所述氧化物半导体活性层之间。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述紫外光阻挡层包括ITO或ΙΖ0。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述栅极之前形成所述紫外光阻挡层，使得所述紫外光阻挡层的第一部分设置在所述衬底与所述栅极之间。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述紫外光阻挡层的第一部分与所述氧化物半导体活性层在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。
16.根据权利要求12所述的方法，其中:形成栅极的步骤还包括形成栅线；形成氧化物半导体活性层的步骤还包括形成位于所述栅线上方的氧化物半导体活性层隔垫；以及，形成源电极和漏电极的步骤还包括形成与所述源电极和漏电极之一电连接的数据线，并且 其中，所述紫外光阻挡层还包括第二部分，所述第二部分设置在所述衬底和所述氧化物半导体活性层隔垫之间。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述紫外光阻挡层的第二部分设置在所述衬底与所述栅线之间。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，形成紫外光阻挡层的步骤还包括在所述衬底上形成透明导电层。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述紫外光阻挡层的第二部分与所述氧化物半导体活性层隔垫在紫外光阻挡层所在平面上的投影区域至少部分地重叠。
【文档编号】G02F1/1333GK104377208SQ201410656213
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年11月18日 优先权日:2014年11月18日
【发明者】彭宽军 申请人:京东方科技集团股份有限公司