所述第一表面21的方向上的最大的尺寸值。此时，所述Η与所述h的差值也即为所述短路棒4与所述周边平面的相对高度值，本实施例中所述阵列基板限定所述Η和所述h满足:2/3H使得所述短路棒4与周边平面的相对高度值较小，进一步保障了所述跨越线6可以高质量地搭设在所述短路棒4和所述支撑块3上，并且避免出现脆弱处或者断裂处，保障了所述阵列基板在阵列检测中的准确度和高效率。
[0031 ] 作为本发明的一种优选实施例，请参阅图2，所述短路棒4包括与所述第一表面21平行且间隔Η的第一面41，所述支撑块3包括与所述第一表面21平行且间隔h的第一面31，相邻的所述短路棒4的第一面41与所述支撑块3的第一面31共面且相连接，此时所述跨接线6始终处于同一平面上，不存在脆弱处或者容易断裂处，最好地保障了所述阵列基板在阵列检测中的准确度和高效率。
[0032]进一步的，如图2所示，所述短路棒4横截面的形状为倒梯形，所述支撑块的3的横截面的形状为梯形。由于本实施例中所述短路棒4和所述支撑块3均呈条状，定义所述“横截面”为垂直于所述第一方向X的平面。所述“倒梯形”是指所述短路棒41的上底长度比下底长度长，也即所述短路棒4的第一面41为长度较长的一条底边。同理，所述“梯形”指所述支撑块3的第一面31为长度较短的一条底边。应当理解的是，本实施例中所述支撑块3和所述短路棒4的横截面形状均由于其制作工艺的原因而形成的。具体而言，所述制作工艺通常是由:涂光刻胶(PR COAT)——前烘烤(PREBREAK)——曝光(DEVELOP)——显影(MAIN⑶RE)——蚀刻(ETCHING)——去膜(STRIP CLEAN)这几步工序组成，由于在曝光工序中，在光罩遮挡下的光源光线具有一定的扩散程度，因此蚀刻后留下的结构的侧边通常具有一定倾斜度，也因此所述支撑块3会形成梯形的结构。而所述短路棒4是在支撑块3形成后再制作的，因此可以通过调节照射光源和光罩的相对位置等来实现所述短路棒4的第一面41与所述支撑块3的第一面31共面且相连接，也因此，所述短路棒4的横截面呈倒梯形。
[0033]作为本发明的另一种优选实施例，请一并参阅图3和图4，在本实施例中，所述短路棒4包括与所述第一表面21平行且间隔Η的第一面41，所述支撑块3包括与所述第一表面21平行且间隔h的第一面31，相邻的所述短路棒4的第一面41与所述支撑块3的第一面31之间形成有一连接部7 (如图3中加粗的线条部分所示)，所述连接部7的底部与所述短路棒4的第一面41之间的间距为t，且满足:t ( 1/3H。所述“底部”是指所述连接部7距离所述短路棒4的第一面41距离最远的位置。如图3所示，在本实施例中，所述绝缘层5和所述跨接线6依次覆盖在所述短路棒4的第一面41、所述支撑块3的第一面31和所述连接部7上，此时，所述间距t即为所述短路棒4与周边平面的相对高度，t < 1/3H进一步保障了所述跨越线6和所述绝缘层5可以高质量地搭设在所述短路棒4和所述支撑块3上，并且避免出现脆弱处或者断裂处，保障了所述阵列基板在阵列检测中的准确度和高效率。
[0034]在本实施例中，所述短路棒4的横截面的形状为六边形，所述支撑块3的横截面的形状为梯形，且所述h与所述Η大致相同，也因此，所述连接部7为一 “V”型平面。由于本实施例中所述短路棒4和所述支撑块3均呈条状，定义所述“横截面”为垂直于所述第一方向X的平面。所述短路棒4和所述支撑块3的形成原理与上述实施例大致相同，此处不再累述。
[0035]作为本发明的再一种优选实施例，请一并参阅图5和图6，在本实施例中，所述短路棒4包括与所述第一表面21平行且间隔Η的第一面41，所述支撑块3包括与所述第一表面21平行且间隔h的第一面31，相邻的所述短路棒4的第一面41与所述支撑块3的第一面31之间形成有一连接部7 (如图3中加粗的线条部分所示)，所述连接部7的底部与所述短路棒4的第一面41之间的间距为t，且满足:t ( 1/3H。所述“底部”是指所述连接部7距离所述短路棒4的第一面41距离最远的位置。如图5所示，在本实施例中，所述绝缘层5和所述跨接线6依次覆盖在所述短路棒4的第一面41、所述支撑块3的第一面31和所述连接部7上，此时，所述间距t即为所述短路棒4与周边平面的相对高度，t < 1/3H进一步保障了所述跨越线6和所述绝缘层5可以高质量地搭设在所述短路棒4和所述支撑块3上，并且避免出现脆弱处或者断裂处，保障了所述阵列基板在阵列检测中的准确度和高效率。
[0036]在本实施例中，所述短路棒4的横截面的形状为六边形，所述支撑块3的横截面的形状为梯形，所述Η明显大于所述h，所述连接部7为一连接所述短路棒4的第一面41和所述支撑块3的第一面31的倾斜平面。由于本实施例中所述短路棒4和所述支撑块3均呈条状，定义所述“横截面”为垂直于所述第一方向X的平面。所述短路棒4和所述支撑块3的形成原理与上述实施例大致相同，此处不再累述。
[0037]进一步的，所述短路棒4可以包括依次层叠的Mo层、A1层和Mo层。
[0038]进一步的，所述支撑块3为非晶硅材质。
[0039]进一步的，所述跨接线6的材质可以为氧化铟锡。
[0040]进一步的，所述绝缘层5可以选自光阻材料，包括正光阻材料与负光阻材料，例如是聚酰亚胺(Polyimide，PI)，也可以由其他透明电绝缘材料制造。
[0041]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和设置在所述显示区外围的短路棒区域，所述短路棒区域包括多个短路棒、多个支撑块和至少一条跨接线，相邻的两个所述短路棒之间均设有所述支撑块，且相邻的所述短路棒和所述支撑块相互接触，所述跨接线搭设在所述多个短路棒和所述多个支撑块上，所述跨接线与所述短路棒之间以及所述跨接线与所述支撑块之间均设置绝缘层。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括层叠设置的玻璃基板和栅极绝缘层，所述短路棒和所述支撑块均贴合在所述栅极绝缘层背离所述玻璃基板的第一表面上，所述短路棒相对所述第一表面的垂直高度为H，所述支撑块相对所述第一表面的垂直高度为h，所述Η和所述h满足:2/3H ^h^Ho3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒包括与所述第一表面平行且间隔Η的第一面，所述支撑块包括与所述第一表面平行且间隔h的第一面，相邻的所述短路棒的第一面与所述支撑块的第一面之间形成有一连接部，所述连接部的底部与所述短路棒的第一面之间的间距为t，且满足:t彡1/3H。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒的横截面的形状为六边形，所述支撑块的横截面的形状为梯形。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层和所述跨接线覆盖所述短路棒的第一面、所述连接部和所述支撑块的第一面。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部为“V”型平面或者倾斜平面。7.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒包括与所述第一表面平行且间隔Η的第一面，所述支撑块包括与所述第一表面平行且间隔h的第一面，相邻的所述短路棒的第一面与所述支撑块的第一面共面且相连接。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒的横截面的形状为倒梯形，所述支撑块的横截面的形状为梯形。9.如权利要求1-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述短路棒包括依次层叠的Mo层、A1层和Mo层ο10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述支撑块采用非晶硅材质。
【专利摘要】本发明公开一种阵列基板，包括显示区和设置在所述显示区外围的短路棒区域，所述短路棒区域包括多个短路棒、多个支撑块和至少一条跨接线，相邻的两个所述短路棒之间均设有所述支撑块，且相邻的所述短路棒和所述支撑块相互接触，所述跨接线搭设在所述多个短路棒和所述多个支撑块上，所述跨接线与所述短路棒之间以及所述跨接线与所述支撑块之间均设置绝缘层。本发明所述阵列基板能够保证其在阵列检测中的准确度。
【IPC分类】G02F1/1362
【公开号】CN105278195
【申请号】CN201510851930
【发明人】叶江波
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月27日