的96孔基材（图7A)和共价固定c(RGDfK)肤后的相同表面（图7B)上L929细胞粘附的 代表性图像。
[0090] 图8A和图8B示出了如实施例10的C部分所述，在用10% AA UV接枝共聚物涂覆 的MicroHex?基材（图8A)和共价固定C (RGMK)肤后的相同表面（图8B)上L929细胞粘 附的代表性图像。
[00川图9为示出了根据实施例12的C部分中的描述，响应于使用两种不同UV方法制 备的涂层的细胞粘附随聚合物涂层的组成而变化的图表。
[0092] 图10为比较不同细胞类型对基于丙帰酸（AA)和丙帰醜胺（AAM)的共聚物涂层的 响应的图表，所述基于丙帰酸（AA)和丙帰醜胺（AAM)的共聚物涂层如实施例12的C部分 所述通过基于无引发剂的UV涂覆方法使用间歇UV来制备。
[009引图11为示出如实施例14的B部分所阐述，由接枝聚合物涂层的XPS分析获得的 元素比（elemental ratio)与UV通过次数的图表。
[0094] 图12为示出W纳米计的40% AA-CO-AAM层的厚度随UV通过次数变化的图表。 [009引图13 ;A、B和C为如实施例15的B部分所述的不同百分比UVA、UVB和UVC的高 分辨C Is光谱。
[009引 实施例
[0097] 实施例1
[0098] 从组织培养聚苯己帰基材开始的UV接枝聚合
[0099] 使用到货时的96孔组织培养聚苯己帰（TCP巧板（Nunclon? A，Nunc)，并放入 手套箱（glove box)中。在手套箱中（在含有<0.2%氧的氮气氛下），将250mg的丙帰 醜胺（AAM)、聚（己二醇）甲基丙帰酸醋牌GMA-OH)、甲氧基聚（己二醇）甲基丙帰酸醋 (阳GMA-OMe)或N-异丙基丙帰醜胺（NIPAM)溶于5cm 3Mi 11 i-Q?水，并用氮吹扫该溶液 lOmin W除去残留的氧。然后，给96孔板的各孔中填入0. 15cm3的单体溶液。在手套箱中将 板真空密封进聚合物袋（Sunbeam化odSaver)后，将板放置在传送带上，该传送带在UV灯 (入?200nm-450nm，最大强度360nm-390nm，灯长度为15cm，输出为1. 8kW，即SION系统） 下运行。平均带速度保持在1.8m-mirTi，W给予每次通过约4砂的照射时间。在UV灯下 通过30次的期间内，将真空密封的板暴露于UV照射。在NIPAM接枝聚合物涂层的情况中， 在UV灯下通过20次的期间内使板暴露。每次通过后，将板的方向旋转90度。然后，使用 洗板机（Thermo Wellwash 4MK 2)将孔用Milli-Q?水彻底洗涂，最后空气干燥。对于XPS 分析，使用切削工具移除感兴趣的孔的底部。
[0100] 表1中呈现的是在组织培养聚苯己帰板上UV接枝聚合之前和之后，通过XI^S分 析获得的元素比。与TCPS基材聚合物获得的0/C比和N/C比相比，观察到的各单体的0/ C比的显著变化W及观察到的用AAM和NIPAM单体溶液接枝聚合后的N/C比的变化表明各 单体均成功接枝聚合。此外，在图1A和图1B中呈现的是从AAM UV接枝聚合之前和之后 的组织培养聚苯己帰板中获得的XI^S高分辨率C Is光谱。同样，该些光谱之间的显著差 异表明AAM单体的成功接枝。图1AA中呈现的高分辨率XPS光谱含有；285. 0-285. 5eV主 峰，对应于中性碳类C1和C2(C-C/C-H) ; W及在较高结合能的两个较小峰，对应于巧组分 (0-C = 0) W及C6组分，所述巧组分由起源于表面处理过程的氧化物质而来，所述C6组 分对应于在大约292. OeV的芳香碳振起峰（shake-up peak)。相比较而言，图1B中光谱含 有；285. 0-285. 5eV的峰，对应于脂肪族碳类C1和C2 (C-C/C-H) ; W及较高结合能的峰，对 应于醜胺类C4(0 = C-N)。图1B中芳香族振起峰的完全衰减（attenuation)也表明大于 10皿Off S取样深度）的涂层厚度。
[010。 表1 ;由在UV接枝聚合之前和之后的组织培养聚苯己帰板（Nunclon? A，Nunc)上 获得的XI^S测量光谱计算的元素比。
[0102]
【主权项】
1. 一种用于修饰聚合物表面的方法，所述方法包括： 将所述聚合物表面与含有至少一种烯属不饱和单体的溶液接触；以及 将与所述溶液接触的所述聚合物表面暴露于紫外光下，以提供涂覆在所述聚合物表面 上的所述单体的接枝聚合物。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，暴露所述聚合物表面的步骤包括：将所述聚合物 表面间歇地暴露于紫外光。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中，间歇暴露所述表面包括至少三个0. 5秒至3分钟 的UV暴露时间段。
4. 根据权利要求2所述的方法，其中，间歇暴露所述表面包括至少三个1秒至60秒的 UV暴露时间段。
5. 根据权利要求2或3所述的方法，其中，间歇暴露所述表面包括处于两次暴露之间的 5秒至60分钟的时间段。
6. 根据权利要求2或3所述的方法，其中，间歇暴露所述表面包括处于两次暴露之间的 10秒至5分钟的时间段。
7. 根据权利要求2-6中任一项所述的方法，其中，间歇暴露所述表面包括至少三个1秒 至15秒的UV暴露时间段、以及处于两次暴露之间的1秒至60秒的时间段。
8. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述聚合物表面和所述溶液均基本 上不含引发剂。
9. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述溶液是水性的。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中，所述溶液进一步包含水混溶性溶剂。
11. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法在非活性气体气氛下进行。
12. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述聚合物表面由无杂原子的饱和 聚合物形成。
13. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述聚合物表面由选自于由以下聚 合物所组成的组中的至少一种聚合物形成：聚乙烯、聚丙烯、聚异丁烯、乙烯_a_烯烃共聚 物、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、聚异戊二烯、聚丁二烯、聚氯丁二烯橡胶、聚异丁烯橡胶、乙丙 二烯橡胶和异丁烯-异戊二烯共聚物。
14. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述聚合物表面由聚苯乙烯形成， 并将所述表面间歇地暴露于紫外光，间歇暴露所述表面包括至少三个1秒到15秒的紫外光 暴露、以及处于两次暴露之间的1秒到60秒的间隔。
15. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一种烯属不饱和单体包括 含有羧酸官能团的第一单体和具有低生物污染特性的第二单体。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一单体包括选自于由丙烯酸、甲基丙烯 酸和丙烯酸2-羧基乙酯所组成的组中的至少一种物质；并且，所述第二单体包括选自于由 丙烯酰胺、聚（乙二醇）（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚（乙二醇）（甲基）丙烯酸酯、N-(2-羟 丙基）甲基丙烯酰胺和2-甲基丙烯酰氧基乙基磷酸胆碱所组成的组中的至少一种物质。
17. 根据权利要求15所述的方法，所述方法包含丙烯酸作为第一单体，包含丙烯酰胺 作为第二单体。
18. 根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中，在所述溶液中，所述第一单体与 所述第二单体的摩尔比为20:80至90:10。
19. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将聚合物涂层用于细胞培养。
20. -种细胞培养板，所述细胞培养板包含根据权利要求1-19中任一项所述的方法修 饰的聚合物表面。
【专利摘要】用于修饰聚合物表面的方法，所述方法包括：将所述聚合物表面与含有至少一种烯属不饱和单体的溶液接触；以及将与所述溶液接触的所述聚合物表面暴露于紫外光下，以提供涂覆在所述聚合物表面上的所述单体的接枝聚合物。
【IPC分类】C08J7-18, A61L27-34
【公开号】CN104603189
【申请号】CN201380045590
【发明人】托马斯·阿梅林杰, 劳伦斯·马尔, 赫尔穆特·西森, 保罗·帕西克, 凯蒂·斯泰恩
【申请人】聚合物Crc有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年6月28日
【公告号】CA2877757A1, EP2867285A1, US20150191693, WO2014000052A1