1.一种有机电致发光化合物,其特征在于,其结构为通式(Ⅰ)所示的化合物:
其中,X为N,S,O,Si元素,R1、R2为芳香性基团,R1、R2可以为相同或不同基团;其中,当X为N时,其结构为通式(Ⅱ)所示的化合物:
2.根据权利要求1所述化合物,其特征在于,所述R1、R2为至少含有C或至少含有C、N的芳香性基团。
3.根据权利要求2所述化合物,其特征在于,所述R1、R2为至少含有3-20个C或至少含有3-20个C且含有N的芳香性基团。
4.根据权利要求3所述化合物,其特征在于,所述R1、R2选自C6-C20的芳香基、C6-C20的芳香乙烯基、C6-C20的稠环芳香基、C6-C20的稠环芳香乙烯基、C6-C20的芳胺基、C6-C20的含N的稠环基、C6-C20的含N的杂环基、C6-C20的含O的稠环基、C6-C20的含O的杂环基中的任意一种。
5.根据权利要求4所述化合物,其特征在于,所述R1、R2选自如下基团中的任一种:
6.根据权利要求5所述化合物,其特征在于,所述通式(Ⅰ)或(Ⅱ)所示的化合物为如下化合物中的任意一种:
7.一种含有权利要求1-6任一项所述化合物的OLED电子传输层材料。
8.一种含有权利要求1-6任一项所述化合物的OLED发光层材料。
9.一种含有权利要求1-6任一项所述化合物的OLED空穴传输层材料。
10.一种含有权利要求1-6任一项所述化合物的OLED器件。
11.一种如权利要求10所述OLED器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
1)将透明阳极电极ITO基板在异丙醇中超声清洗5-10分钟,并暴露在紫外光下20-30分钟,随后用plasma处理5-10分钟;
2)将处理后的ITO基板放入蒸镀设备,首先蒸镀空穴传输层材料作为空穴传输层;
3)然后蒸镀发光层,混合蒸镀发光层材料,以及5--10%的Ir(ppy)3;
4)随后采用电子传输层材料,蒸镀一层电子传输层,随后再蒸镀 0.5-2nmLiF,随后蒸镀100-200nm的金属Al;
其中,所述空穴传输层材料、发光层材料、电子传输层材料其中之一为通式(Ⅰ)或(Ⅱ)所示的化合物。
12.根据权利要求11所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,
所述空穴传输层材料可选为NPB;
所述发光层材料可选为CBP;
所述电子传输层材料可选为Alq3;
其中,CBP、NPB分别为如下结构:
13.根据权利要求11或12所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,
所述空穴传输层的厚度为30-50nm;
所述发光层的厚度为10-120nm;
所述电子传输层的厚度为20-40nm。