介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂及其制备方法。该催化剂包括二氧化硅载体，二氧化硅载体表面负载有活性组分钴和选择性助剂锆，活性组分钴和选择性助剂锆外面包覆有介孔材料壳层。其制备方法包括：制取负载锆的二氧化硅载体；以该载体为基础制得初始钴基费托合成催化剂；配制介孔材料前驱溶液；通过浸渍、晶化、洗涤、干燥和焙烧，获得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂。本发明通过介孔材料壳层包裹保护催化剂活性成分，壳层厚度可控，使用寿命长，反应活性较高，稳定性好，介孔材料的孔道结构提供了可供CO和H2扩散的通道，C5+选择性高、甲烷选择性低。特别适用于鼓泡浆态床反应器或者连续搅拌浆态床反应器。
【专利说明】介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于工业催化费托合成领域，具体地指一种介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002]煤、石油和天然气是人类文明赖以生存和发展的重要能源基础，是一个国家经济可持续发展和安全稳定的保障。随着人类的不断开采，人类将面临严重的能源危机，所以寻找可再生的新能源是科学家们急需解决的问题。我国是一个农业大国，拥有大量的可再生的各种生物质，将可再生的生物能源代替化石能源将是解决能源危机的重要途径。
[0003]将生物质气化制合成气，再将合成气(CCHH2)在催化剂的作用下转变成碳氢化合物(一CH2+)的过程称作费托合成反应(FTS)。将生物质转化成合成气再经费托合成生产各种油品能够有效地解决能源危机。
[0004]费托合成的基本反应为:C0+2H2 — (—CH2—) +H2O0由这个反应式我们可以看到产物水是伴随着碳氢化合物一起产生的，而且在某些反应器中，比如浆态床反应器中，由于后混合，水的浓度会达到很高。目前应用最广泛的工业化的费托催化剂活性物种主要是铁和钴。对于钴基催化的费托合成反应，催化剂活性物种为金属钴，很可能被重量占总产物50%的产物水氧化,从而使催化剂失活,而且CO的转化率越高,失活越严重。例如,Bertole等(J.Catal.，2002，210:84-96)报道水会造成非负载钴基催化剂的失活，因为高的水分压(>0.4MPa)极易造成催化剂的烧结，从而减小了钴的比表面，导致金属位活性的降低或催化剂表面CO吸附量的减少。Batholomew (App1.Catal.A，2001，212.17-60)也认为水蒸汽可以增加负载型催化剂的烧结速率。由于钴基催化剂的成本相对较高，因此催化剂的稳定性、活性和选择性要求都会比较高，制备对水不敏感的催化剂就显得非常有必要。
[0005]中国专利CN101203304A中公开了一种氧化载体负载钴基催化剂，该氧化载体包括铝和0.01?20%的锂，其中锂主要是以铝酸锂的形式存在，这种含铝酸锂的载体具有改善的耐水性，并且减少铝酸钴的形成，该催化剂具有高活性和高C5+的选择性。但是该载体的制备方法苛刻，需要在700?1000°C的高温下长时间煅烧。
[0006]中国专利CN1785515A报道了一种用合成气合成中间馏分油的催化剂，该催化剂以介孔二氧化锆为载体，该催化剂金属钴的含量为5?35wt%，贵金属含量O?2wt%，非贵金属氧化物O?IOwt %,该催化剂具有活性高,稳定性好，C11?C2tl烃的选择性高以及良好的机械性能，但是载体介孔氧化锆的制备方法复杂，成本高。
【发明内容】
[0007]本发明的目的就是要克服现有技术所存在的不足，提供一种寿命长、稳定性好、壳层厚度可控的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂及其制备方法。
[0008]为实现上述目的，本发明所提供的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，包括二氧化硅载体，其特殊之处在于:所述二氧化硅载体表面负载有活性组分钴和选择性助剂锆，所述活性组分钴和选择性助剂锆外面包覆有介孔材料壳层。
[0009]本发明的催化剂是先将活性组分通过浸溃法负载在二氧化硅载体表面，然后在活性组分外面包覆具有规整孔道的介孔材料，介孔材料的壳层厚度可通过改变参数加以控制。所述介孔材料壳层的厚度设计为1.8?13 μ m,优选的厚度为2.0?6.0 μ m。这样,介孔材料壳层将活性成分包覆在孔道内部，避免了活性成分的团聚和脱落，同时介孔材料的规整孔道提供了 CO和H2的传质通道，保证了催化剂的高反应活性。
[0010]为了防止催化剂在反应过程中或运输转移过程中由于活性组分脱落而减少催化剂的活性，避免活性金属Co被反应过程中生成的水氧化而失活，所述介孔材料壳层外面还覆盖有疏水性有机化合物层。
[0011]本发明中，所述二氧化硅载体采用无机硅胶。
[0012]优选地,所述无机娃胶的比表面积为150?350m2/g、平均孔径为3?50nm、孔容为 0.7 ?1.7mL/g、粒径为 20 ?200 μ m。
[0013]最佳地,所述无机娃胶的比表面积为200?300m2/g、平均孔径为8?13nm、孔容为 0.75 ?1.3mL/g、粒径 40 ?150 μ m。
[0014]本发明中，所述活性组分钴的含量占催化剂总重量的10?25%，所述选择性助剂锆的含量占催化剂总重量的5?10%。
[0015]优选地，所述活性组分钴的含量占催化剂总重量的15?20%，所述选择性助剂锆的含量占催化剂总重量的5?8%。
[0016]最佳地，所述活性组分钴的含量占催化剂总重量的20?25%，所述选择性助剂锆的含量占催化剂总重量的8?10%。
[0017]本发明中，所述催化剂的比表面积为150?400m2/g，平均孔径为2?40nm，孔容为 0.5 ?1.4mL/g。
[0018]进一步地，所述催化剂的比表面积为250?350m2/g，平均孔径为3?9nm、孔容为
0.6 ?1.0mL/g。
[0019]上述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，包括以下步骤:
[0020]I)将二氧化硅载体浸溃在锆盐的水溶液中，陈化12?24h后，在70?120°C下干燥8?24h，再在400?500°C下焙烧3?12h，获得负载锆的二氧化硅载体；
[0021]2)将所得负载锆的二氧化硅载体浸溃在钴盐的水溶液中，陈化12?24h后，在70?120°C下干燥8?24h，再在400?500°C下焙烧3?12h，获得初始钴基费托合成催化剂；
[0022]3)将模板剂P123溶解到硝酸溶液中，搅拌使其混合均匀，再加入正硅酸乙酯，继续搅拌12?30h，获得介孔材料前驱溶液；
[0023]4)将所得初始钴基费托合成催化剂浸溃在所得介孔材料前驱溶液中，然后进行晶化、洗涤、干燥和焙烧，即可获得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂。
[0024]进一步地，它还包括如下步骤:
[0025]5)将所得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂浸溃在疏水性有机溶液中，密封3?12h后取出，再选择清洗用有机溶剂漂洗干净，最后在60?90°C条件下干燥3?8h，即可获得疏水性介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂。
[0026]进一步地，所述步骤I)中，锆盐为硝酸锆或硝酸氧锆中的一种，优选硝酸氧锆。[0027]进一步地，所述步骤2)中，钴盐为碳酸钴或硝酸钴中的一种，优选硝酸钴。
[0028]进一步地，所述步骤3)中，硝酸溶液的浓度为I?2mol/L，搅拌温度为25?45°C，搅拌至溶液变澄清，再加入正硅酸乙酯，继续搅拌12?24h，获得介孔材料前驱溶液。
[0029]所述模板剂P123采用已知的三嵌段共聚物，全称为聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯，其分子式为ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0，其通式为EO2ciPO7ciEO2q。
[0030]更进一步地，所述步骤4)中，晶化条件为温度80?130°C、时间20?100h、转速7?20r/min ;洗涤条件为去离子水洗涤至中性；干燥条件为80?120°C干燥10?20h ;焙烧条件为400?550°C保持5?12h。
[0031]优选地，晶化条件为温度90?120°C、时间30?80h、转速7?15r/min。
[0032]更进一步地，所述步骤5)中，疏水性有机溶液为聚甲基三乙氧基硅烷、Y-氨丙基二乙氧基娃烧或二甲基氯娃烧中的一种。
[0033]更进一步地，所述步骤5)中，清洗用有机溶剂为正己烷、丙酮或乙醇中的一种。
[0034]再进一步地，所述步骤5)中，所得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂浸溃在疏水性有机溶液中的密封时间为3?8h，再选择清洗用有机溶剂漂洗2?3次。
[0035]本发明的有益效果在于:所研制的钴基费托合成催化剂，打破了传统的钴基催化剂和蛋壳型催化剂的局限性，通过先将介孔材料壳层包裹在催化剂的表面，壳层厚度可通过工艺参数控制，在保护了催化剂活性成分的同时，介孔材料的孔道结构提供了可供CO和H2扩散的通道。进一步地，在介孔材料壳层上引入超疏水有机分子，可有效地将水分子阻挡在通道之外。
[0036]这样，不仅避免了反应过程中由于催化剂的磨损或者催化剂在活化和转移过程中活性组分的脱落，而且防止了反应过程中水蒸汽对催化剂的影响，从而大幅提高了催化剂的稳定性，有效地延长了催化剂的使用寿命，具有良好的工业应用前景。本发明的Co基催化剂具有使用寿命长、反应活性高、稳定性好、C5+选择性高、甲烷选择性低的特点，特别适于鼓泡浆态床反应器或者连续搅拌浆态床反应器。
【专利附图】
【附图说明】
[0037]图1为本发明催化剂的制备工艺流程示意图。
[0038]图2为本发明催化剂B的壳层厚度TEM照片显微结构示意图。
[0039]图3为本发明催化剂C的壳层厚度TEM照片显微结构示意图。
[0040]图4为本发明催化剂D的壳层厚度TEM照片显微结构示意图。
[0041]图5为本发明催化剂E的壳层厚度TEM照片显微结构示意图。
[0042]图6为本发明催化剂F的壳层厚度TEM照片显微结构示意图。
[0043]图7为本发明催化剂G的壳层厚度TEM照片显微结构示意图。
【具体实施方式】
[0044]为了更好地解释本发明，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明，但它们不对本发明构成限定。
[0045]实施例1:制备催化剂B
[0046]催化剂B的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr和介孔材料壳层。Zr元素的含量为5wt%, Co元素的含量为20wt%。
[0047]催化剂B的制备方法如下:
[0048]I)将30g比表面积280m2/g、孔容1.25mL/g、平均孔径13.6nm、粒径40 μ m的无机硅胶载体浸溃在45mL含5.07g的ZrO(NO3)2的水溶液中，空气中陈化16h后，将其放置于110°C下干燥8h，再于马弗炉中450°C下焙烧10h，获得负载锆的无机硅胶载体；
[0049]2)将负载锆的无机硅胶载体浸溃在63mL含39.43g的Co (NO3) 3.6Η20的水溶液中，空气中陈化16h，将其放置于110°C下干燥8h，再在马弗炉中450°C下焙烧10h，获得初始钴基费托合成催化剂；
[0050]3)将4g模板剂P123加入到140mL的2mol/L的硝酸溶液中溶解，35°C下搅拌至溶液变澄清，再加入8.4g正硅酸乙脂，继续搅拌24h后，获得介孔材料前驱溶液；
[0051]4)将介孔材料前驱溶液转移到干净的聚四氟反应釜内，取初始钴基费托合成催化剂IOg浸溃在介孔材料前驱溶液中，然后固定在水热合成装置中，在130°C下晶化20h，转速为7rpm/min ;取出用去离子水洗涤至中性，在100°C下干燥12h，550°C下焙烧5h，即可获得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂B。
[0052]经检测，所得催化剂B的比表面积为291m2/g，孔容1.16mL/g,平均孔径10.6nm,壳层厚度较薄，厚度为1.8 μ m，催化剂B的壳层厚度TEM照片如图2所示。
[0053]实施例2:制备催化剂C
[0054]催化剂C的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr和和实施例1所述的介孔材料壳层。Zr元素的含量为5wt%, Co元素的含量为20wt%。
[0055]催化剂C的制备方法与实施例1基本相同，所不同的是晶化时间60h代替实施例1中步骤3)的晶化时间。
[0056]经检测，所得催化剂C的比表面积为301m2/g,孔容0.98mL/g,平均孔径9.5nm,壳层厚度较厚，厚度为5 μ m。催化剂C的壳层厚度TEM照片如图3所示。
[0057]实施例3:制备催化剂D
[0058]催化剂D的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr和实施例1所述的介孔材料结构的壳层。Zr元素的含量为5wt%，Co元素的含量为20wt%。催化剂的比表面积为320m2/g,孔容1.02mL/g,平均孔径8.9nm,壳层厚度为13 μ m。
[0059]催化剂D的制备方法与实施例1基本相同，所不同的是晶化时间IOOh代替实施例1中步骤3)的晶化时间。催化剂D的壳层厚度TEM照片如图4所示。
[0060]实施例4:制备催化剂E
[0061]催化剂E的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr、介孔材料壳层以及三甲基氯硅烷疏水性有机化合物层。Zr元素的含量为5wt%，Co元素的含量为20wt%。
[0062]催化剂E的制备方法如下:
[0063]I)将30g比表面积280m2/g、孔容1.25mL/g、平均孔径13.6nm、粒径40 μ m的无机硅胶载体浸溃在45mL含5.07g的ZrO(NO3)2的水溶液中，空气中陈化16h后，将其放置于110°C下干燥8h，再于马弗炉中450°C下焙烧10h，获得负载锆的无机硅胶载体；
[0064]2)将负载锆的无机硅胶载体浸溃在63mL含39.43g的Co (NO3) 3.6Η20的水溶液中，空气中陈化16h，将其放置于110°C下干燥8h，再在马弗炉中450°C下焙烧10h，获得初始钴基费托合成催化剂；[0065]3)介孔材料壳层的包覆:将4g模板剂P123加入到140mL的2mol/L的硝酸溶液中溶解，35°C下搅拌至澄清，再加入8.4g正硅酸乙脂，继续搅拌24h后，获得介孔材料前驱溶液；
[0066]4)将介孔材料前驱溶液转移到干净的聚四氟反应釜内，取初始钴基费托合成催化剂IOg浸溃在介孔材料前驱溶液中，然后固定在水热合成装置中，在130°C下晶化20h，转速为7rpm/min ;取出催化剂用去离子水洗涤至中性，在100°C下干燥12h，550°C下焙烧5h，获得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂；
[0067]5)将所得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂浸溃在200mL的三甲基氯硅烷溶液中，密封浸溃8h后取出，再用无水乙醇漂洗2次，最后在80°C下干燥8h，即可获得疏水性介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂E。
[0068]经检测，所得催化剂E的比表面积为279m2/g，孔容0.86mL/g,平均孔径8.2nm,壳层厚度为2.5 μ m，催化剂E的壳层厚度TEM照片如图5所示。
[0069]实施例5:制备催化剂F
[0070]催化剂F的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr、介孔材料壳层以及聚甲基三乙氧基硅烷疏水性有机化合物层。Zr元素的含量为5wt%，Co元素的含量为20wt%。
[0071]催化剂F的制备方法与实施例4基本相同，所不同的是用聚甲基三乙氧基硅烷代替实施例4中的三甲基氯硅烷。
[0072]经检测，催化剂F的比表面积为282m2/g，孔容0.91mL/g,平均孔径7.9nm,壳层厚度为2.1 μ m,催化剂F的壳层厚度TEM照片如图6所示。
[0073]实施例6:制备催化剂G
[0074]催化剂G的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr、介孔材料壳层以及Y-氨丙基三乙氧基硅烷疏水性有机化合物层。Zr元素的含量为5wt%，Co元素的含量为20wt %。
[0075]催化剂G的制备方法与实施例4基本相同，所不同的是用Y -氨丙基三乙氧基硅烷代替实施例4中的三甲基氯硅烷。
[0076]经检测，催化剂G的比表面积为280m2/g，孔容0.83mL/g,平均孔径8.5nm,壳层厚度为2.3 μ m,催化剂G的壳层厚度TEM照片如图7所示。
[0077]实施例7:制备催化剂H
[0078]催化剂H的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr、介孔材料壳层以及Y-氨丙基三乙氧基硅烷疏水性有机化合物层。Zr元素的含量为8wt%，Co元素的含量为25wt %。
[0079]催化剂H的制备方法如下:
[0080]I)将30g比表面150m2/g、孔容1.3mL/g、平均孔径8nm、平均粒径90 μ m的无机娃胶载体浸溃在45mL含16.74g的Zr(NO3)4.5H20的水溶液中，空气中陈化24h后，将其放置于120°C下干燥10h，再于马弗炉中500°C下焙烧3h，获得负载锆的无机硅胶载体；
[0081]2)将负载锆的无机硅胶载体浸溃在63mL含22.5g的CoCO3的水溶液中，空气中陈化24h，将其放置于120°C下干燥10h，再在马弗炉中500°C下焙烧3h，获得初始钴基费托合成催化剂；
[0082]3)介孔材料壳层的包覆:将4g模板剂P123加入到140mL的lmol/L的硝酸溶液中溶解，45°C下搅拌至澄清，再加入8.4g正硅酸乙脂，继续搅拌12h后，获得介孔材料前驱溶液；
[0083]4)将介孔材料前驱溶液转移到干净的聚四氟反应釜内，取初始钴基费托合成催化剂IOg浸溃在介孔材料前驱溶液中，然后固定在水热合成装置中，在100°C下晶化24h，转速为10rpm/min ;取出催化剂用去离子水洗涤至中性，在80°C下干燥20h，400°C下焙烧12h，获得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂；
[0084]5)将所得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂浸溃在200mL的Y -氨丙基三乙氧基硅烷溶液中，密封浸溃3h后取出，并用正己烷漂洗3次，再在60°C下干燥3h，即可获得疏水性介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂H。
[0085]经检测，催化剂H的比表面积为200m2/g，孔容1.0mL/g,平均孔径4.0nm,壳层厚度为 2.0 μ m。
[0086]实施例8:制备催化剂I
[0087]催化剂I的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr、介孔材料壳层以及Y-氨丙基三乙氧基硅烷疏水性有机化合物层。Zr元素的含量为10wt%，CO元素的含量为IOwt % ο
[0088]催化剂I的制备方法如下:
[0089]I)将30g比表面300m2/g、孔容0.75mL/g、平均孔径13nm，平均粒径150 μ m的无机硅胶载体浸溃在45mL含9.5g硝酸氧锆的水溶液中，空气中陈化12h后，将其放置于70°C下干燥24h，再于马弗炉中400°C下焙烧12h，获得负载锆的无机硅胶载体；
[0090]2)将负载锆的无机硅胶载体浸溃在63mL含7.55g的CoCO3的水溶液中，空气中陈化12h，将其放置于70°C下干燥24h，再在马弗炉中400°C下焙烧12h，获得初始钴基费托合成催化剂；
[0091]3)介孔材料壳层的包覆:将4g模板剂P123加入到140mL的2mol/L的硝酸溶液中溶解，25°C下搅拌至澄清，再加入8.4g正硅酸乙脂，继续搅拌30h后，获得介孔材料前驱溶液；
[0092]4)将介孔材料前驱溶液转移到干净的聚四氟反应釜内，取初始钴基费托合成催化剂IOg浸溃在介孔材料前驱溶液中，然后固定在水热合成装置中，在80°C下晶化70h，转速为15rpm/min ；取出催化剂用蒸馏水洗涤至中性，在120 °C下干燥IOh，500 °C下焙烧8h，获得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂；
[0093]5)将所得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂浸溃在200mL的Y -氨丙基三乙氧基硅烷溶液中，密封浸溃15h后取出，再用丙酮漂洗2次，然后在90°C下干燥5h，即可获得疏水性介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂I。
[0094]经检测，催化剂I的比表面积为350m2/g，孔容0.6mL/g,平均孔径9nm，壳层厚度为6 μ m0
[0095]对比例1:传统催化剂A
[0096]传统催化剂A的组成包括无机硅胶载体、活性组分Co、助剂Zr。Zr元素的含量为5wt%, Co元素的含量为20wt%。
[0097]催化剂A的制备方法如下:
[0098]I)将30g比表面积280m2/g、孔容1.25mL/g、平均孔径13.6nm、粒径40 μ m的无机硅胶载体浸溃在45mL含5.07g的ZrO(NO3)2的水溶液中，空气中陈化16h后，将其放置于110°C下干燥8h，再于马弗炉中450°C下焙烧10h，获得负载锆的无机硅胶载体；
[0099]2)将负载锆的无机硅胶载体浸溃在63mL含39.43g的Co (NO3) 3.6Η20的水溶液中，空气中陈化16h，将其放置于110°C下干燥8h，再在马弗炉中450°C下焙烧10h，得到钴基费托合成催化剂A。
[0100]上述各实施例所制得催化剂B~I与对比例所制得传统催化剂A用于生物质制合成气合成液态烃的评价结果参见下面的表1。
[0101]由表1可以看出在传统催化剂上包裹一层介孔材料壳层后，CO的转化率变化不大，均在55~65%之间，主要是因为虽然介孔材料的壳层有一定的厚度，但是催化剂的粒径较小，传质阻力也比较小，而且介孔材料壳层为H2和CO提供了传质通道。而液态烃的选择性会稍微有所增大，甲烷的选择性会稍微降低，可能是由于介孔材料的壳层能够避免活性组分在活化和转移过程中因摩擦而脱落。另外，介孔材料壳层能够阻挡体相的水分直接接触活性中心。当在壳层表面进行疏水性有机修饰后，液态烃的选择性会增大，甲烷的选择性也明显下降很多，说明在介孔材料壳层引入疏水性物质后，能有效地防止催化剂被水氧化而失活，当小分子的水分一旦生成即被合成气顺着疏水性有机化合物层吹到壳层外面。由此可见，本发明制备所得的Co基催化剂具有较高的反应活性，C5+选择性高，甲烷选择性低。
[0102]特别是在介孔材料壳层上面引入疏水性物质后，液态烃的选择性提高得更大，由于修饰催化剂F的有机物分子结构比较小，疏水性表现得比催化剂E、G要稍微差一点。修饰催化剂E的有机物价格要比修饰催化剂G的贵，而且易挥发，腐蚀性大。催化剂H的比表面积和孔径较小，其活性和液态烃的选择性会稍有降低，催化剂I的粒径较大，壳层较厚，存在一定的传质阻力，CO的转化率下降了，而催化剂I的晶化时间较长，故催化剂G要优于催化剂E、F、H、I。
[0103]表1催化剂A~I的活性及选择性对比
[0104]
【权利要求】
1.一种介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，包括二氧化硅载体，其特征在于:所述二氧化硅载体表面负载有活性组分钴和选择性助剂锆，所述活性组分钴和选择性助剂锆外面包覆有介孔材料壳层。
2.根据权利要求1所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述介孔材料壳层外面还覆盖有疏水性有机化合物层。
3.根据权利要求1或2所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述二氧化硅载体为无机硅胶。
4.根据权利要求3所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述无机硅胶的比表面积为150~350m2/g、平均孔径为3~50nm、孔容为0.7~1.7mL/g、粒径为20 ~200 μ m。
5.根据权利要求4所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述无机硅胶的比表面积为200~300m2/g、平均孔径为8~13nm、孔容为0.75~1.3mL/g、粒径40 ~150 μ m。
6.根据权利要求1或2所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述活性组分钴的含量占催化剂总重量的10~25%，所述选择性助剂锆的含量占催化剂总重量的5~10%。
7.根据权利要求6所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述活性组分钴的含量占催化剂总重量的15~20%，所述选择性助剂锆的含量占催化剂总重量的5~8%。
8.根据权利要求6所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述活性组分钴的含量占催化剂总重量的20~25%，所述选择性助剂锆的含量占催化剂总重量的8~10%。
9.根据权利要求1或2所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述介孔材料壳层的厚度为1.8~13 μ m。
10.根据权利要求9所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述介孔材料壳层的厚度为2.0~6.0 μ m。
11.根据权利要求1或2所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述催化剂的比表面积为15 0~400m2/g,平均孔径为2~40nm,孔容为0.5~1.4mL/g。
12.根据权利要求11所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂，其特征在于:所述催化剂的比表面积为250~350m2/g,平均孔径为3~9nm、孔容为0.6~1.0mL/g。
13.一种根据权利要求1所述的介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤: 1)将二氧化硅载体浸溃在锆盐的水溶液中，陈化12~24h后，在70~120°C下干燥8~24h，再在400~500°C下焙烧3~12h，获得负载锆的二氧化硅载体； 2)将所得负载锆的二氧化硅载体浸溃在钴盐的水溶液中，陈化12~24h后，在70~120°C下干燥8~24h，再在400~500°C下焙烧3~12h，获得初始钴基费托合成催化剂； 3)将模板剂P123溶解到硝酸溶液中，搅拌使其混合均匀，再加入正硅酸乙酯，继续搅拌12~30h，获得介孔材料前驱溶液； 4)将所得初始钴基费托合成催化剂浸溃在所得介孔材料前驱溶液中，然后进行晶化、洗涤、干燥和焙烧，即可获得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂。
14.根据权利要求13所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:它还包括如下步骤: 5)将所得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂浸溃在疏水性有机溶液中，密封3~12h后取出，再选择清洗用有机溶剂漂洗干净，最后在60~90°C条件下干燥3~8h，即可获得疏水性介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂。
15.根据权利要求13或14所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤1)中，锆盐为硝酸锆或硝酸氧锆中的一种。
16.根据权利要求13或14所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤2)中，所述钴盐为碳酸钴或硝酸钴中的一种。
17.根据权利要求13或14所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤3)中，硝酸溶液的浓度为1~2mol/L，搅拌温度为25~45°C，搅拌至溶液变澄清，再加入正硅酸乙酯，继续搅拌12~24h，获得介孔材料前驱溶液。
18.根据权利要求13或14所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤4)中，晶化条件为温度80~130°C、时间20~100h、转速7~20r/min ;洗涤条件为去离子水洗涤至中性；干燥条件为80~120°C干燥10~20h ;焙烧条件为400 ~550°C 保持 5 ~12h。
19.根据权利要求18所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤4)中，晶化条件为温度90~120°C、时间30~80h、转速7~15r/min。
20.根据权利要求14所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤5)中，疏水性有机溶液为聚甲基三乙氧基硅烷、Y-氨丙基三乙氧基硅烷或三甲基氯硅烷中的一种。
21.根据权利要求14所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤5)中，清洗用有机溶剂为正己烷、丙酮或乙醇中的一种。
22.根据权利要求20所述介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂的制备方法，其特征在于:所述步骤5)中，所得介孔材料包覆式钴基费托合成催化剂浸溃在疏水性有机溶液中的密封时间为3~8h，再选择清洗用有机溶剂漂洗2~3次。
【文档编号】C10G2/00GK103920496SQ201410162615
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月22日 优先权日:2014年4月22日
【发明者】饶莎莎, 宋德臣, 刘倩倩, 郑申棵 申请人:武汉凯迪工程技术研究总院有限公司