专利名称：常温半导体气体敏感元件的制备的制作方法
技术领域：
本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。
目前用于报警器，检测和排气系统中的气体敏感元件均为加热元件，即在元件上装有加热丝，以便提高元件的灵敏性和响应时间，这样就使元件的结构复杂，工艺繁琐，成本提高，且使用寿命受到影响。
本发明的目的是提供一种在常温下使用检测烟雾和可燃性气体的敏感元件，这一元件结构和工艺简单，成本低，灵敏度高，响应和恢复时间快。
本发明的元件配方如下以SnO2量为基准，Sncl4量为SnO2的0.5-1.5倍，贵金属量为SnO2的0.02-0.06倍，还可用稀土氧化物代替贵金属，其配比不变。
制备方法，把上述原料放入玛瑙乳钵中，研磨1-2小时，呈浆糊状，点入模具内(φ2mm，厚1.5mm)，然后放入两根Pt电极，凉干，脱模，在700°-900℃温度下烧结1小时成型。
本发明提出的常温气敏元件灵敏度用Ix/IO表示，IO为元件在洁净空气中电流(mA)Ix为元件在检测气体中电流(mA)。对0.05%煤气，0.04%的石油液化气，5%-30%的烟雾等气体的灵敏度Ix/IO≥2。响应时间＜15秒，恢复时间＜20秒。烟雾寿命两年以上，煤气，石油液化气寿命为14个月。
本发明的特点是元件本身不需要人为的再行加热，靠元件本身的温度进行工作，且工艺简单，成本低，耗电少，灵敏，无放射性，安全可靠。该元件适用于常温可燃性气体报警器，抽油烟机的自动开关以及感烟探测器上。
本发明提供的实施例如下实施例1SnO21g Sncl40.5g硅胶0.4gPt0.04实施例2SnO20.5g Sncl40.5g硅胶0.2gPd0.015g实施例3SnO21g Sncl41.5g硅酸0.4gPd0.06实施例4SnO21g ClO20.5g硅胶0.4g Shcl30.02g实施例5SnO21g LaO21g硅胶0.4g Shcl30.03g
权利要求
1.一种常温半导体气体敏感元件的制备，其特征是该元件由如下配方组成以SnO2量为基准，SnCl4量为SnO2的0.5-1.5倍，贵金属量为SnO2的0.02-0.06倍，最佳贵金属为Pb，Pt，贵金属可用稀土氧化物代替，最佳稀土氧化物为CeO2，LaO2其配比不变。
全文摘要
本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。该元件在常温下使用，检测烟雾和可燃性气体，其结构和工艺简单，成本低，灵敏度高，响应和恢复时间快。其配方组成为以SnO
文档编号G01N27/12GK1046815SQ8910292
公开日1990年11月7日 申请日期1989年4月29日 优先权日1989年4月29日
发明者李文范, 刘秀英 申请人:中国科学院长春应用化学研究所