技术总结
本发明公开了一种基于FinFET器件的存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管，第一FinFET管、第二FinFET管和第六FinFET管均为P型FinFET管，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第七FinFET管均为N型FinFET管；第一FinFET管和第二FinFET管的鳍的数量均为2，第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管和第七FinFET管的鳍的数量均为1；优点是读操作和写操作分开，读写互不干扰，延时、功耗和功耗延时积均较小。
技术研发人员：邬杨波;张绪强;胡建平
受保护的技术使用者：宁波大学
文档号码：201610836679
技术研发日：2016.09.21
技术公布日：2017.03.08