专利名称：半导体光检测元件和放射线检测装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体光检测元件以及具备该半导体光检测元件的放射线检测装置。
背景技术：
这种半导体光检测元件已知有在半导体基板的一方面侧形成多个光电二极管，以其他方面作为光入射面的背面入射型光电二极管阵列(例如参照文献1日本专利特开平11-74553号公报)。
专利文献1日本专利特开平11-74553号公报发明内容在背面入射型光电二极管阵列的半导体基板的耗尽层以外的区域产生的载流子(carrier)扩散移动的距离(从产生的位置到耗尽层的距离)长。因此，在光电二极管之间的附近产生的载流子因不依存于电场的扩散移动而流入接邻的光电二极管的几率高。其结果，在光电二极管之间容易发生串扰(crosstalk)。
但是，在上述文献1所记载的背面入射型光电二极管阵列中，在接邻的光电二极管之间形成有吸收X射线用的薄层。但是，文献1中的薄层是用以除去散射X射线，并未考虑到上述串扰。
本发明鉴于上述问题作出，以提供可良好地抑制串扰的发生的半导体光检测元件和放射线检测装置为课题。
本发明的半导体光检测元件，其特征在于具备在被检测光的入射面的相反面侧形成有pn结型的多个光电二极管的半导体基板，在半导体基板的入射面的相反面侧的多个光电二极管中接邻的光电二极管之间形成有pn结区域。
在上述半导体光检测元件中，因在半导体基板的入射面的相反面侧的多个光电二极管中接邻的光电二极管之间形成有pn结区域，故在邻接的光电二极管附近产生、通过扩散移动要流入邻接的光电二极管的载流子被从pn结区域吸出。由此，通过扩散移动要流入邻接的光电二极管的载流子被除去，可良好地抑制光电二极管中串扰的发生。
此外，在背面入射型光电二极管阵列中，会发生某光电二极管因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损而变成电浮接状态。在这种情况下，从该光电二极管溢出的载流子流入周围的光电二极管，妨碍周围的光电二极管输出正常的信号。在上述文献1所记载的背面入射型光电二极管阵列中，这种情况完全未叙述。
相对于此，在上述的半导体光检测元件中，即使在因连接点的破损使某光电二极管变成电浮接的状态的情况下，也变成要流入邻接的光电二极管的载流子会从pn结区域被吸出。由此，可良好地抑制载流子流入邻接的光电二极管。
而且，优选pn结区域从相反面侧看，形成为包围光电二极管。在此情况下，要流入邻接的光电二极管的载流子确实地被除去，可更良好地抑制串扰的发生。此外，即使在因连接点的破损使某光电二极管变成电浮接的状态的情况下，也能够更良好地抑制载流子流入邻接的光电二极管。
而且，优选在半导体基板的入射面的相反面侧，在pn结区域与光电二极管之间形成有与半导体基板导电型相同的高浓度杂质半导体区域。在此情况下，高浓度杂质半导体区域变成具有分离邻接的光电二极管的功能，邻接的光电二极管被电分离。其结果，可更进一步降低光电二极管之间的串扰。此外，即使在因连接点的破损使某光电二极管变成电浮接状态的情况下，也能够更进一步降低载流子流入邻接的光电二极管。
而且，优选高浓度杂质半导体区域从入射面的相反面侧看，形成为包围光电二极管。在此情况下，可确实地电分离邻接的光电二极管。
此外，在半导体基板的入射面的相反面侧形成有电连接pn结区域和高浓度杂质半导体区域的电极，优选电极连接接地电位。在此情况下变成可谋求将pn结区域连接接地电位用的电极，和将高浓度杂质半导体区域连接接地电位用的电极的共享化，可防止电极数量增加。被从pn结区域吸出的载流子变成在半导体光检测元件的内部消失。其结果，光电二极管之间的串扰降低。而且，即使在因连接点的破损使某光电二极管变成电浮接的状态时，流入邻接光电二极管的载流子也降低。
而且，在半导体基板的入射面的相反面侧形成有与pn结区域电连接的第一电极和与高浓度杂质半导体区域电连接的第二电极，第一电极与第二电极优选在相互电绝缘的状态下各自连接接地电位。在此情况下，pn结区域与高浓度杂质半导体区域变成在半导体光检测元件的内部中被电分离。由此，没有pn结区域侧的电位变动那样的情况，能够抑制光电二极管与pn结区域侧的电位差造成的电流的流入。其结果，很难对来自光电二极管的输出信号产生电性上的影响，可实现稳定的信号输出。
而且，半导体基板为第一导电型，优选多个光电二极管和pn结区域由第二导电型杂质半导体区域与半导体基板构成。此外，优选高浓度杂质半导体区域为第一导电型。
而且，在半导体基板的入射面的相反面侧具备支承部件，形成有与多个光电二极管的每一个电连接且形成包含凸块电极(bumpelectrode)的电极，同时在半导体基板的相对面侧形成有与多个光电二极管的每一个对应的电极垫(electrode pad)，也可以多个光电二极管的每一个隔着凸块电极，与支承部件的对应电极垫电连接。
本发明的放射线检测装置，其特征在于，包含上述半导体光检测元件；和位于半导体基板的入射面侧，通过放射线的入射发光的闪烁器(scintillator)。
在上述放射线检测装置中，因半导体光检测元件被设计成上述半导体光检测元件，故如上述，可良好地抑制光电二极管之间的串扰的发生。而且，即使在因连接点的破损使某光电二极管变成电浮接的状态的情况下，也能够抑制载流子流入邻接的光电二极管。其结果，可得到高的解析度。
根据本发明，能够提供可良好地抑制串扰的发生的半导体光检测元件和放射线检测装置。此外，能够提供即使在因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损，使某光电二极管变成电浮接状态的情况下，载流子流入邻接的光电二极管也被良好地抑制的半导体光检测元件和放射线检测装置。
图1是表示第一实施方式的半导体光检测元件的概略俯视图。
图2是用于说明沿图1中的II-II线的剖面构成的模式图。
图3是表示第二实施方式的半导体光检测元件的概略俯视图。
图4是用于说明沿图3中的IV-IV线的剖面构成的模式图。
图5是用于说明本实施方式的半导体光检测元件的变形例的剖面构成的模式图。
图6是用于说明本实施方式的半导体光检测元件的变形例的剖面构成的模式图。
图7是用于说明本实施方式的放射线检测装置的剖面构成的模式图。
图8是用于说明图2所示的半导体光检测元件的变形例的剖面构成的模式图。
符号说明3，13pn结区域 5n型半导体基板 7p型区域 9高浓度n型区域(高浓度杂质半导体区域) 11p型区域 15、19、31、41电极 61闪烁器 L光 PD1～PD4光电二极管阵列 RD放射线检测装置具体实施方式
参照
本发明的实施方式的半导体光检测元件和放射线检测装置。其中，在说明中，相同要素或具有相同功能的要素用同一符号表示，省略重复说明。
(第一实施方式)图1是表示第一实施方式的半导体光检测元件的概略俯视图。图2是用于说明沿图1中的II-II线的剖面构成的模式图。此外，在以下的说明中以光L的入射面(图2中的上侧)为背面，以其相反侧的面(图2中的下侧)为表面。
作为半导体光检测元件的光电二极管阵列PD1是在表面侧，由多个pn结区域3二维地有规律的纵横排列成阵列状，pn结区域3的每一个都具有作为光电二极管的光感应像素功能。
光电二极管阵列PD1具备由硅(Si)构成的n型(第一导电型)的半导体基板5。n型半导体基板5是其厚度为30～300μm(优选100μm左右)，其杂质浓度为1×1012～1015/cm3。
在n型半导体基板5的表面侧，p型(第二导电型)区域7二维地有规律的纵横排列成阵列状。通过在该各p型区域7与n型半导体基板5之间形成的pn结区域3，构成有各光电二极管的光感应像素。p型区域7的杂质浓度为1×1013～1020/cm3，深度为0.05～20μm(优选0.2μm左右)。
在邻接的p型区域7彼此之间配置有作为高浓度杂质半导体区域的高浓度n型区域(分离层)9和p型区域11。
高浓度n型区域9从基板5的表面侧扩散n型杂质形成，从表面侧看，包围p型区域7(光电二极管)。该高浓度n型区域9具有电分离邻接的光电二极管的功能。通过设置高浓度n型区域9，使邻接的光电二极管确实地被电分离，可降低光电二极管彼此的串扰，而且也能够控制崩溃电压(breakdown voltage)(逆方向耐压)。高浓度n型区域9的杂质浓度为1×1013～1020/cm3，厚度为0.1～数10μm(优选3μm左右)。
p型区域11从基板5的表面侧扩散p型杂质形成，从表面侧看，包围p型区域7(光电二极管)和高浓度n型区域9。在该各p型区域11与n型半导体基板5之间形成有pn结区域13。而且，在pn结区域13与p型区域7(光电二极管)之间形成有高浓度n型区域9。p型区域11的杂质浓度为1×1013～1020/cm3，深度为0.05～20μm(优选0.2μm左右)。
位于半导体基板5的端部(芯片边缘)的p型区域7因与该芯片边缘侧邻接的p型区域7不存在，故无须在芯片边缘侧形成高浓度n型区域9和p型区域11。
在n型半导体基板5的表面形成有钝化膜和作为电绝缘膜的热氧化膜(未图示)。而且，在n型半导体基板5的背面形成有保护背面，同时抑制光L的反射的AR膜(未图示)。光电二极管阵列PD1中的n型半导体基板5的背面侧作成大致平面。
在n型半导体基板5的表面侧形成有与p型区域7电连接的电极15。电极15包含电极垫、凸块底层金属(Under Bump Metal(UBM))和凸块电极17(其中，省略电极垫和UBM的图示)。电极垫例如由铝膜构成，透过形成于热氧化膜的接触孔(contact hole)，与p型区域7电连接。UBM在电极配线上通过依次电镀例如Ni、Au形成。凸块电极17由焊锡构成，形成于UBM上。
在n型半导体基板5的表面侧形成有与高浓度n型区域9和p型区域11电连接的电极19。电极19包含电极配线21、UBM(未图示)和凸块电极23。电极配线21例如由铝膜构成，透过形成于热氧化膜的接触孔，与高浓度n型区域9和p型区域11电连接。电极配线21也如图2所示，从n型半导体基板5的表面侧看，形成为覆盖高浓度n型区域9和p型区域11。UBM是在电极配线21上通过依次电镀例如Ni、Au形成。凸块电极23由焊锡构成，形成于UBM上。电极19连接接地电位。
在光电二极管阵列PD1中，光电二极管的阳极的电极取出通过电极15实现，光电二极管的阴极的电极取出通过电极19实现。而且，在光电二极管阵列PD1中，变成在pn结区域3、13的边界形成有耗尽层25。
而且，光电二极管阵列PD1若由背面侧入射被检测光L，则各光电二极管生成对应于该入射光的载流子。由所生成的载流子得到的光电流被从连接p型区域7的电极15(凸块电极17)取出。来自该电极15的输出也如图2所示连接差动放大器27的反转输入端子。差动放大器27的非反转输入端子与电极19共通的接地电位连接。
图8是说明图2所示的用于半导体光检测元件的变形例的剖面构成的模式图。此处，作为半导体光检测元件的光电二极管阵列PD5除半导体基板5之外，还具备作为支承半导体基板5的支承部件的配线基板80。
如上所述，在半导体基板5的表面侧，形成有与p型区域7电连接的电极15。电极15在图8所示的例子中通过电极垫15a、UBM15b和凸块电极17构成。而且，在半导体基板5的表面侧形成有与高浓度n型区域9和p型区域11电连接的电极19。电极19在图8所示的例子中通过电极垫19a、UBM19b和凸块电极23构成。
对于这些半导体基板5侧的电极15、19，在配线基板80的半导体基板5的相对面侧，形成有电极垫81，与p型区域7(光电二极管)对应。半导体基板5的p型区域7如图8所示，隔着电极15的凸块电极17与配线基板80的电极垫81电连接。
此外，在配线基板80的半导体基板5的相对面侧形成有电极垫82，与高浓度n型区域9和p型区域11对应。半导体基极5的高浓度n型区域9和p型区域11如图8所示，隔着电极19的凸块电极23与配线基板80的电极垫82电连接。
如上所述，在本第一实施方式中，在n型半导体基板5的表面侧的多个p型区域7(光电二极管)之中邻接的p型区域7之间形成有p型区域11(pn结区域13)。由此，在n型半导体基板5内的耗尽层25以外的区域中，即使在邻接的p型区域7附近产生载流子C的情况下，通过扩散移动要流入邻接的p型区域7的载流子C如图2中的箭头A所示，变成被从p型区域11吸出。其结果，通过扩散移动要流入邻接的p型区域7的载流子C被除去，可良好地抑制p型区域7之间的串扰的发生。
而且，在以光L的入射面作为背面的背面入射型光电二极管阵列PD1中，如在图8所举例说明的该连接构成，在对配线基板等的支承部件的连接中，使用凸块电极的凸块连接较适于使用。这样在使用凸块连接的构成中，因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损，其结果会引起某p型区域7(光电二极管)变成电浮接的状态。
相对于此，如果根据上述构成的光电二极管阵列PD1，即使在因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损，使某p型区域7变成电浮接的状态的情况下，从该p型区域7溢出的载流子也被从p型区域11吸出。由此，可良好地抑制载流子流入邻接的p型区域7。此外，这种构成对于使用凸块连接以外的连接构成的情形也同样有效。
而且，在本第一实施方式中，p型区域11从n型半导体基板5的表面侧看，形成为包围p型区域7。由此，变成通过扩散移动要流入邻接的p型区域7的载流子C被确实地除去，可更良好地抑制串扰的发生。
此外如上所述，即使在因连接点的破损使某p型区域7变成电浮接状态的情况下，从该p型区域7溢出的载流子也变成被从包围p型区域7的p型区域11吸出。由此，可更良好地抑制载流子流入邻接的p型区域7。
而且，在本第一实施方式中，在n型半导体基板5的表面侧中的p型区域7和p型区域11之间形成有高浓度n型区域9。由此，邻接的p型区域7被电分离，可更进一步降低p型区域7之间的串扰。此外，即使在因连接点的破损使某光电二极管变成电浮接状态的情况下，也可更进一步降低载流子流入邻接的光电二极管。
此外，在本第一实施方式中，高浓度n型区域9从n型半导体基板5的表面侧看，形成为包围p型区域7。由此，可确实电分离邻接的p型区域7。
而且，在本第一实施方式中，在n型半导体基板5的表面侧形成有与高浓度n型区域9和p型区域11电连接的电极19，该电极19连接接地电位。由此，变成可谋求用于使p型区域11连接在接地电位的电极，和用于使高浓度n型区域9连接在接地电位的电极的共享化，可防止电极数增加。在此情况下，被从p型区域11吸出的载流子C在光电二极管阵列PD1的内部消失。
此外，在本第一实施方式中，p型区域11可通过与p型区域7相同的工序形成。在此情况下，没有光电二极管阵列PD1的工序复杂化的情况。
(第二实施方式)图3是表示第二实施方式的半导体光检测元件的概略俯视图。图4是用于说明沿图3中的IV-IV线的剖面构成的模式图。第二实施方式的光电二极管阵列PD2在高浓度n型区域9和p型区域11的电极构造方面，与第一实施方式的光电二极管阵列PD1不同。
在n型半导体基板5的表面侧形成有与高浓度n型区域9电连接的电极31(相当于第二电极)。电极31包含电极配线33、UBM(未图示)和凸块电极35。电极配线33例如由铝膜构成，透过形成于热氧化膜的接触孔，与高浓度n型区域9电连接。电极配线33也如图4所示，从n型半导体基板5的表面侧看，形成为覆盖高浓度n型区域9。UBM在电极配线33上通过依次电镀例如Ni、Au形成。凸块电极35由焊锡构成，形成于UBM上。电极31连接差动放大器27的非反转输入端子，电极31与差动放大器27的非反转输入端子的中途部分连接接地电位。由此，变成电极31与差动放大器27的非反转输入端子连接共同的接地电位。
此外，在n型半导体基板5的表面侧形成有与p型区域11电连接的电极41(相当于第一电极)。电极41包含电极配线43、UBM(未图示)和凸块电极45。电极配线43例如由铝膜构成，透过形成于热氧化膜的接触孔，与p型区域11电连接。电极配线43也如图4所示，从n型半导体基板5的表面侧看，覆盖p型区域11形成。UBM在电极配线43上通过依次电镀例如Ni、Au形成。凸块电极45由焊锡构成，形成于UBM上。电极41与电极31相互电绝缘。电极41在维持与电极31电绝缘的状态下，在光电二极管阵列PD2的外部连接与电极31不同的接地电位。
如上所述，在本第二实施方式中与第一实施方式一样，通过扩散移动要流入邻接的p型区域7的载流子C变成被从p型区域11吸出。由此，通过扩散移动要流入邻接的p型区域7的载流子C被除去，可良好地抑制p型区域7之间的串扰的发生。
此外，即使在因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损，使某p型区域7变成电浮接的状态的情况下，从该p型区域7溢出的载流子也变成被从p型区域11吸出。由此，可良好地抑制载流子流入邻接的p型区域7。
而且，在本第二实施方式中，在n型半导体基板5的表面侧形成有与高浓度n型区域9的电极31和p型区域11电连接的电极41，电极31与电极41在相互电绝缘的状态下各自连接不同的接地电位。在此构成中，高浓度n型区域9与p型区域11变成在光电二极管阵列PD2的内部被电分离。由此，即使在例如接地电位变动的情形下也不会有p型区域11的电位变动的情形，可抑制p型区域7与p型区域11的电位差造成的电流的流入。其结果，很难对来自p型区域7的输出信号产生电气上的影响(噪声的重迭)，可实现稳定的信号输出。
而且，在本第二实施方式中，p型区域11可通过与p型区域7相同的工序形成，另一方面，电极41也可以通过与电极31和电极15相同的工序形成。在此情况下，没有光电二极管阵列PD2的工序复杂化的情况。
此外，在光电二极管阵列PD2中，因电极31与电极41处于相互电绝缘的状态下，故逆向偏压的施加也变的容易。因此，信号检测通过使用积分放大器，也能容易进行低信号检测。
接着，根据图5和图6说明本实施方式的半导体光检测元件的更进一步的变形例。图5和图6是用于说明本实施方式的半导体光检测元件的变形例的剖面构成的模式图。
作为图5所示的半导体光检测元件的光电二极管阵列PD3，在n型半导体基板5的形状方面与第一实施方式的光电二极管阵列PD1不同。作为图6所示的半导体光检测元件的光电二极管阵列PD4，在n型半导体基板5的形状方面与第二实施方式的光电二极管阵列PD2不同。
在光电二极管阵列PD3、PD4中，在n型半导体基板5的背面侧，对应存在于表面侧的各pn结区域3(p型区域7)的区域形成有凹陷部51。由此，在对应邻接的p型区域7之间的区域成为形成有突出部53，包围对应p型区域7的区域。
在上述光电二极管阵列PD3、PD4中，与上述的实施方式相同，通过扩散移动要流入邻接的p型区域7的载流子C被除去，可良好地抑制p型区域7之间的串扰的发生。
此外，即使在因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损，使某p型区域7变成电浮接的状态的情况下，从该p型区域7溢出的载流子也变成被从p型区域11吸出。由此，可良好地抑制载流子流入邻接的p型区域7。
而且，在光电二极管阵列PD3、PD4中，可一边维持机械强度，一边缩短从n型半导体基板5的背面(光L的入射面)到pn结区域3的距离。由于n型半导体基板5的表面到pn结区域3的距离短，故在n型半导体基板5内产生的载流子C在到pn结区域3的移动过程中的再结合被抑制。
其次，根据图7说明本实施方式的放射线检测装置。图7是用于说明本实施方式的放射线检测装置的剖面构成的模式图。
放射线检测装置RD具备通过放射线的入射发光的闪烁器61和上述光电二极管阵列PD1。此外，取代使用光电二极管阵列PD1，使用光电二极管阵列PD2～4也可以。
闪烁器61位于光电二极管阵列PD1的背面侧。出射自侦检器61的光从光电二极管阵列PD1的背面入射到该光电二极管阵列PD1。闪烁器61接着于光电二极管阵列PD1的背面。对于闪烁器61与光电二极管阵列PD1的接着，可使用具有透光性的树脂(例如环氧树脂、丙烯酸树脂等)。
在上述放射线检测装置RD中，由于具备光电二极管阵列PD1，所以p型区域7之间的串扰的发生被良好地抑制。而且，即使在因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损，使某光电二极管变成电浮接的状态的情况下，载流子流入邻接的光电二极管也被良好地抑制。由此，可得到高的解析度。
本发明并非限定于前述的实施方式。例如在本实施方式中，虽然本发明适用多个pn结为二维地有规律的纵横排列的光电二极管阵列，但不限定于此，对于pn结为一维地排列的光电二极管阵列也能适用本发明。
本实施方式的光电二极管阵列PD1～4和放射线检测装置RD适合于X射线CT装置。
如果按照本发明，提供可良好地抑制串扰的发生的半导体光检测元件和放射线检测装置。而且，提供即使在因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破损，使某光电二极管变成电浮接的状态的情况下，也能抑制载流子流入邻接的光电二极管的半导体光检测元件的放射线检测装置。
产业上的可利用性本发明可利用为能够良好地抑制串扰的发生的半导体光检测元件和放射线检测装置。
权利要求
1.一种半导体光检测元件，其特征在于具备在被检测光的入射面的相反面侧形成有pn结型的多个光电二极管的半导体基板，在所述半导体基板的所述入射面的相反面侧的所述多个光电二极管中邻接的光电二极管之间形成有pn结区域。
2.如权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于从所述相反面侧看，所述pn结区域形成为包围所述光电二极管。
3.如权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于在所述半导体基板的所述相反面侧的所述pn结区域与所述光电二极管之间，形成有与所述半导体基板导电型相同的高浓度杂质半导体区域。
4.如权利要求3所述的半导体光检测元件，其特征在于从所述相反面侧看，所述高浓度杂质半导体区域形成为包围所述光电二极管。
5.如权利要求4所述的半导体光检测元件，其特征在于在所述半导体基板的所述相反面侧形成有与所述pn结区域和所述高浓度杂质半导体区域电连接的电极，所述电极连接接地电位。
6.如权利要求4所述的半导体光检测元件，其特征在于在所述半导体基板的所述相反面侧形成有与所述pn结区域电连接的第一电极和与所述高浓度杂质半导体区域电连接的第二电极，所述第一电极和所述第二电极在相互电绝缘的状态下各自连接接地电位。
7.如权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于所述半导体基板为第一导电型，所述多个光电二极管和所述pn结区域由第二导电型杂质半导体区域与所述半导体基板构成。
8.如权利要求3所述的半导体光检测元件，其特征在于所述半导体基板和所述高浓度杂质半导体区域为第一导电型，所述多个光电二极管和所述pn结区域由第二导电型杂质半导体区域与所述半导体基板构成。
9.如权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于，具备支承部件，在所述半导体基板的所述相反面侧形成有与所述多个光电二极管分别电连接且包含凸块电极的电极，同时在所述半导体基板的相对面侧形成有与所述多个光电二极管分别对应的电极垫，其中，所述多个光电二极管的每一个隔着所述凸块电极与所述支承部件对应的所述电极垫电连接。
10.一种放射线检测装置，其特征在于，具有权利要求1所述的半导体光检测元件；和位于所述半导体基板的所述入射面侧，通过放射线的入射发光的闪烁器。
全文摘要
在n型半导体基板(5)的表面侧中，p型区域(7)排列成二维阵列状。在邻接的p型区域(7)彼此之间配置有高浓度n型区域(9)和p型区域(11)。高浓度n型区域(9)从基板(5)的表面侧扩散n型杂质形成，从表面侧看，包围p型区域(7)。p型区域(11)从基板(5)的表面侧扩散p型杂质形成，从表面侧看，包围p型区域(7)和高浓度n型区域(9)。在n型半导体基板(5)的表面侧形成有电连接p型区域(7)的电极(15)；电连接高浓度n型区域(9)和p型区域(11)的电极(19)。由此，可良好地抑制串扰的发生，以及即使在因初期的连接错误或温度循环等发生连接点的破坏，使某光电二极管变成电浮接状态时，也能够实现抑制载流子流入邻接的光电二极管的半导体光检测元件和放射线检测装置。
文档编号H01L27/146GK1836331SQ20048002347
公开日2006年9月20日 申请日期2004年9月7日 优先权日2003年10月20日
发明者山中辰己 申请人:浜松光子学株式会社