专利名称：铜核层多层封装基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种铜核层多层封装基板的制作方法，尤指一种以铜核基板为基础，开始制 作的单面、多层封装基板的制作方法。
背景技术：
在一般多层封装基板的制作上，其制作方式通常由一核心基板开始，经过钻孔、电镀金 属、塞孔及双面线路制作等方式，完成一双面结构的内层核心板，的后再经由一线路增层制 程完成一多层封装基板。如图2 l所示，其为一有核层封装基板的剖面示意图。首先，准备 一核心基板5 0 ，其中，该核心基板5 0由一具预定厚度的芯层5 0 l及形成于此芯层5 0
l表面的线路层5 0 2所构成，且该芯层5 0 1中形成有数个电镀导通孔5 0 3，可藉以连 接该芯层5 0 1表面的线路层5 0 2 。
接着如图2 2 图2 5所示，对该核心基板5 O实施线路增层制程。首先，系于该核心 基板5 0表面形成一第一介电层5 1 ，且该第一介电层5 1表面形成有数个第一开口 5 2 ， 以露出该线路层5 0 2;之后，以无电电镀与电镀等方式于该第一介电层5 l外露的表面形 成一晶种层5 3 ，并于该晶种层5 3上形成一图案化阻层5 4 ，且其图案化阻层5 4中有数 个第二开口5 5，以露出部分欲形成图案化线路的晶种层5 3;接着，利用电镀方式于该第 二开口5 5中形成一第一图案化线路层5 6及数个导电盲孔5 7，并使其第一图案化线路层
5 6得以透过该数个导电盲孔5 7与该核心基板5 0的线路层5 0 2做电性导通，然后再移 除该图案化阻层5 4与蚀刻，待完成后系形成一第一线路增层结构5a。同样地，该法系可 于该第一线路增层结构5 a的最外层表面再运用相同的方式形成一第二介电层5 8及一第二 图案化线路层5 9的第二线路增层结构5b，以逐步增层方式形成一多层封装基板。然而， 此种制作方法有布线密度低、层数多及流程复杂等缺点。
另外，亦有利用厚铜金属板当核心材料的方法，可经过蚀刻及塞孔等方式完成一内层核 心板后，再经由一线路增层制程以完成一多层封装基板。如图2 6 图2 8所示，其为另一 有核层封装基板的剖面示意图。首先，准备一核心基板6 0，该核心基板6 O由一具预定厚 度的金属层利用蚀刻与树脂塞孔6 0 1以及钻孔与电镀通孔6 0 2等方式形成的单层铜核心 基板6 0;之后，利用上述线路增层方式，于该核心基板6 0表面形成一第一介电层6 l及 一第一图案化线路层6 2，藉此构成一具第一线路增层结构6a。该法亦与上述方法相同，
5系可再利用一次线路增层方式于该第一线路增层结构6 a的最外层表面形成一第二介电层6 3及一第二图案化线路层6 4，藉此构成一具第二线路增层结构6b，以逐步增层方式形成 一多层封装基板。然而，此种制作方法不仅其铜核心基板制作不易，且亦与上述方法相同， 具有布线密度低及流程复杂等缺点。故， 一般已用者无法符合使用者于实际使用时所需。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种可依实际需求形成具铜 核基板支撑的铜核层多层封装基板，并可有效达到改善超薄核层基板板弯翘问题、及简化传 统增层线路板制作流程，进而达到提高封装体接合基板时的可靠度的铜核层多层封装基板的 制作方法。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为 一种铜核层多层封装基板的制作方 法，其特征在于至少包含下列步骤
(A) 提供一铜核基板；
(B) 于该铜核基板的第一面上形成一第一介电层及一第一金属层；
(c)于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第一开口，并显露部分铜核基板第一
面；
(D) 于数个第一开口中及该第一金属层上形成一第二金属层；
(E) 分别于该第二金属层上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完
全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上并形成数个第二开口，并显露部分的第二金属
层；
(F) 移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成一第一线路层；
(G) 移除该第一阻层及该第二阻层，至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的 单层增层线路基板，并可选择直接进行步骤(H)或步骤(I );
(H) 于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球侧线路层制作，于其中，在该第一线 路层表面形成一第一防焊层，并且在该第一防焊层上形成数个第三开口，以显露该第一线路 层作为电性连接垫的部分；接着减低该铜核基板第二面的铜厚度，并于减铜后的铜核基板第 二面上形成一第三阻层，且在该第三阻层上形成数个第四开口，之后再分别于数个第三开口 中形成一第一阻障层，以及于第四开口中形成一第二阻障层，最后移除该第三阻层；至此， 完成一具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层；以及
(I) 于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层及 该第一介电层表面形成一第二介电层，并且在该第二介电层上形成数个第五开口，以显露部分的第一线路层。接着于该第二介电层与数个第五开口表面形成一第一晶种层，再分别于该 第一晶种层上形成一第四阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻层 ，并于该第四阻层上形成数个第六开口，以显露部分的第一晶种层，之后于该第六开口中已 显露的第一晶种层上形成一第三金属层，最后移除该第四阻层、该第五阻层及该第一晶种层 ，以在该第二介电层上形成一第二线路层；至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的 双层增层线路基板，并可继续本步骤(I )增加线路增层结构，形成具更多层的封装基板， 亦或直接至该步骤(H)进行置晶侧与球侧线路层制作。
与现有技术相比，本发明所具有的有益效果为本发明从铜核基板为基础，开始制作单 面、多层封装基板，其结构包括一具高刚性支撑的铜板，且此铜板的一面系具增层线路，另 一面则具球侧图案阻障层，于其中，各增层线路及置晶侧与球侧连接的方式系以数个电镀盲 孔、埋孔所导通。且本发明具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线，同时， 并以铜板提供足够的刚性使封装制程可更为简易。藉此，使用本发明所制造的多层封装基板 ，可依实际需求形成具该铜核基板支撑的铜核层多层封装基板，并可有效达到改善超薄核层 基板板弯翘问题、及简化传统增层线路板制作流程，进而达到提高封装体接合基板时的可靠 度的目的。
图1 ，系本发明的制作流程示意图。
图2，系本发明-一实施例的多层封装基板(一)剖面示意图。
图3，系本发明-一实施例的多层封装基板(二)剖面示意图。
图4 ，系本发明-一实施例的多层封装基板(三)剖面示意图。
图5，系本发明-一实施例的多层封装基板(四)剖面示意图。
图6，系本发明-一实施例的多层封装基板(五)剖面示意图。 图7 ，系本发明-一实施例的多层封装基板(六)剖面示意图。
图8，系本发明-一实施例的多层封装基板(七)剖面示意图。
图9 ，系本发明-一实施例的多层封装基板(八)剖面示意图。
图l 0，系本发明一实施例的多层封装基板(九)剖面示意图。
图l1，系本发明一实施例的多层封装基板(十)剖面示意图。
图l 2，系本发明一实施例的多层封装基板(十一)剖面示意图。 图l 3，系本发明一实施例的多层封装基板(十二)剖面示意图。 图l 4，系本发明一实施例的多层封装基板(十三)剖面示意图。图l 5，系本发明一实施例的多层封装基板(十四)剖面示意图。
图l 6，系本发明一实施例的多层封装基板(十五)剖面示意图。
图l 7，系本发明一实施例的多层封装基板(十六)剖面示意图。
图l 8，系本发明一实施例的多层封装基板(十七)剖面示意图。
图l 9，系本发明一实施例的多层封装基板(十八)剖面示意图。
图2 0，系本发明一实施例的多层封装基板(十九)剖面示意图。
图2 1，系已用有核层封装基板的剖面示意图。
图2 2，系已用实施线路增层(一)剖面示意图。
图2 3，系已用实施线路增层(二)剖面示意图。
图2 4，系已用实施线路增层(三)剖面示意图。
图2 5，系已用实施线路增层(四)剖面示意图。
图2 6，系另一已用有核层封装基板的剖面示意图。
图2 7，系另一已用的第一线路增层结构剖面示意图。
图2 8，系另一已用的第二路增层结构剖面示意图。
标号说明
(本发明部分) 步骤(A) (1) 11 19 单层增层线路基板2 双层增层线路基板3 多层封装基板4 铜核基板2 0 a、 2 0 b 第一介电层21 第一金属层2 2 第一开口 2 3 第二金属层2 4 第一、二阻层2 5 、 2 6 第二开口 2 7 第一线路层2 8 第二介电层2 9 第三开口 3 0第一晶种层3 1 第三、四阻层3 2、 3 3 第四开口 3 4 第三金属层3 5 第二线路层3 6 第一防焊层3 7 第五开口 3 8 第五、六阻层3 9 、 4 0 第六开口41
第一、二阻障层4 2、 4 3
(已用部分) 第一、二线路增层结构5a、 5b 第一、二线路增层结构6a、 6b 核心基板5 0 芯层5 0 1 线路层5 0 2 电镀导通孔5 0 3 第一介电层51 第一开口 5 2 晶种层5 3 图案化阻层5 4 第二开口 5 5 第一图案化线路层5 6 导电盲孔5 7 第二介电层5 8 第二图案化线路层5 9 核心基板6 0 树脂塞孔6 0 1 电镀通孔6 0 2 第一介电层61
9第一图案化线路层6 2 第二介电层6 3 第二图案化线路层6 4
具体实施例方式
请参阅图l所示，系为本发明的制作流程示意图。如图所示本发明系一种铜核层多层 封装基板的制作方法，其至少包括下列步骤
(A) 提供铜核基板l 1:提供一铜核基板；
(B) 形成第一介电层及第一金属层l 2:于该铜核基板的第一面上直接压合一第一介 电层及一第一金属层，亦或先采取贴合该第一介电层后，再形成该第一金属层；
(C) 形成数个第一开口l3:以镭射钻孔的方式于该第一金属层及该第一介电层上形 成数个第一开口，并显露部分的铜核基板第一面，其中，数个第一开口可先做开铜窗( Conformal Mask)后，再经由镭射钻孔的方式形成，亦或以直接镭射钻孔(LASER Direct) 的方式形成；
(D) 形成第二金属层1 4 :以无电电镀与电镀的方式于数个第一开口中及该第一金属 层上形成一第二金属层；
(E) 形成第一、二阻层及数个第二开口l 5:分别于该第二金属层上形成一第一阻层 ，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层，于其中，并以曝光及显影方 式在该第一阻层上形成数个第二开口，以显露部分的第二金属层；
(F) 形成第一线路层1 6 :以蚀刻方式移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属 层，并形成一第一线路层；
(G) 完成具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板l7:以剥离方式移除 该第一阻层及该第二阻层。至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基 板，并可选择直接进行步骤(H)或步骤(I );
(H) 进行置晶侧与球侧线路层制作1 8:于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球 侧线路层制作，于其中，在该第一线路层表面形成涂覆一层具绝缘保护作用的第一防焊层， 并以曝光及显影方式在该第一防焊层上形成数个第三开口，以显露该第一线路层作为电性连 接垫的部分。接着以刷磨或蚀刻的方式减低该铜核基板第二面的铜厚度，并于减铜后的铜核 基板第二面上形成一第三阻层，且在该第三阻层上以曝光及显影方式形成数个第四开口，之 后再分别于数个第三开口中形成一第一阻障层，以及于第四开口中形成一第二阻障层，最后 以剥离方式移除该第三阻层。至此，完成一具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层，其中，该第一、二阻障层可为电镀镍金、无电镀镍金、电镀银 或电镀锡中择其一；以及
(I )进行线路增层结构制作1 9 :于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制作 ，于其中，在该第一线路层及该第一介电层表面形成一第二介电层，并以镭射钻孔的方式在 该第二介电层上形成数个第五开口，以显露部分的第一线路层。接着以无电电镀与电镀的方 式于该第二介电层与数个第五开口表面形成一第一晶种层，再分别于该第一晶种层上形成一 第四阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻层，并利用曝光及显影 方式于该第四阻层上形成数个第六开口，以显露部分的第一晶种层，之后再以电镀的方式于 该第六开口中已显露的第一晶种层上形成一第三金属层，最后以剥离的方式移除该第四阻层 及该第五阻层，并以蚀刻的方式移除该第一晶种层，以在该第二介电层上形成一第二线路层 。至此，又再增加一层线路增层结构，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线 路基板。并可继续本步骤(I )增加线路增层结构，形成具更多层的封装基板，亦或直接至 该步骤(H)进行置晶侧与球侧线路层制作，其中，数个第五开口可先做开铜窗后，再经由 镭射钻孔的方式形成，亦或以直接镭射钻孔的方式形成。
于其中，上述该第一 五阻层系以贴合、印刷或旋转涂布所为的干膜或湿膜的高感旋光 性光阻；该第一、二介电层可为环氧树脂绝缘膜(Ajinomoto Build-up Film, ABF)、苯环 丁烯(Benzocyclo-buthene， BCB)、双马来亚酰胺-三氮杂苯树脂(Bismaleimide Triazine， BT)、环氧树脂板(FR4、 FR5)、聚酰亚胺(Polyimide， PI)、聚四氟乙烯( Poly(tetra-floroethylene)， PTFE)或环氧树脂及玻璃纤维所组成的一者。
请参阅图2 图8所示，分别为本发明一实施例的多层封装基板(一)剖面剖面示意图 、本发明一实施例的多层封装基板(二)剖面示意图、本发明一实施例的多层封装基板(三 )剖面示意图、本发明一实施例的多层封装基板(四)剖面示意图、本发明一实施例的多层 封装基板(五)剖面示意图、本发明一实施例的多层封装基板(六)剖面示意图、及本发明 一实施例的多层封装基板(七)剖面示意图。如图所示本发明于一较佳实施例中，先提供 一铜核基板2 0a，并于该铜核基板2 0a的第一面上压合一第一介电层2 1及一第一金属层 2 2 ，并以镭射钻孔的方式在该第一金属层2 2与该第一介电层2 1上形成数个第一开口 2 3，以显露其下的铜核基板2 Oa第一面。之后，再以无电电镀与电镀的方式于数个第一开 口 2 3内及该第一金属层2 2表面形成一第二金属层2 4，其中，该铜核基板2 0 a系为一 不含介电层材料的铜板；该第一、二金属层2 2、 2 4皆为铜，且该第二金属层2 4作为与 该第一金属层2 2的电性连接用。接着，分别于该第二金属层2 4上贴合一高感旋光性高分子材料的第一阻层2 5 ，以及 于该铜核基板2 0 a的第二面上贴合一高感旋光性高分子材料的第二阻层2 6。并以曝光及 显影的方式于该第一阻层2 5上形成数个第二开口 2 7 ，以显露其下的第二金属层2 4 。之 后系以蚀刻的方式移除该第二开口2 7下的第一、二金属层，以形成一第一线路层2 8，最
后移除该第一、二阻层。至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板 2 。
请参阅图9 图1 3所示，系分别为本发明一实施例的多层封装基板(八)剖面示意图、本 发明一实施例的多层封装基板(九)剖面示意图、本发明一实施例的多层封装基板(十)剖 面示意图、本发明一实施例的多层封装基板(十一)剖面示意图、及本发明一实施例的多层 封装基板(十二)剖面示意图。如图所示在本发明较佳实施例中，系先行进行线路增层结 构的制作。首先于该第一线路层2 8与第一介电层2 1上贴合一为环氧树脂绝缘膜材料的第 二介电层2 9，之后，以镭射钻孔的方式于该第二介电层2 9上形成数个第三开口3 0 ，以 显露其下的第一线路层2 8，并在该第二介电层2 9及该第三开口3 O表面以无电电镀与电 镀的方式形成一第一晶种层3 1 。之后分别于该第一晶种层3 1上贴合一高感旋光性高分子 材料的第三阻层3 2，以及于该铜核基板2 0a的第二面上贴合一高感旋光性高分子材料的 第四阻层3 3 ，接着利用曝光及显影方式于该第三阻层3 2上形成数个第四开口 3 4 ，然后 再于数个第四开口3 4中电镀一第三金属层3 5，最后移除该第三、四阻层，并再以蚀刻的 方式移除显露的第一晶种层3 1，以形成一第二线路层3 6。至此，又再增加一层的线路增 层结构，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板3，于其中，该第一晶 种层3 1与该第三金属层3 5皆为金属铜。
请参阅图l 4 图2 0所示，分别为本发明一实施例的多层封装基板(十三)剖面示意 图、本发明一实施例的多层封装基板(十四)剖面示意图、本发明一实施例的多层封装基板 (十五)剖面示意图、本发明一实施例的多层封装基板(十六)剖面示意图、本发明一实施 例的多层封装基板(十七)剖面示意图、本发明一实施例的多层封装基板(十八)剖面示意 图、及本发明一实施例的多层封装基板(十九)剖面示意图。如图所示之后，在本发明较 佳实施例中接着进行置晶侧与球侧线路层的制作。首先于该第二线路层3 6表面涂覆一层绝 缘保护用的第一防焊层3 7，然后以曝光及显影的方式于该第一防焊层3 7上形成数个第五 开口3 8，以显露其线路增层结构作为电性连接垫。接着，于该第一防焊层3 7及该第二线 路层3 6上贴合一高感旋光性高分子材料的第五阻层3 9 ，并于该铜核基板2 0 a的第二面 上以蚀刻或刷磨的方式做减铜，待减低该铜核基板第二面的铜厚度后，再以剥离的方式移除该第五阻层，并于减铜后的铜核基板2 Q b第二面上贴合一高感旋光性高分子材料的第六阻层4 0，之后以曝光及显影的方式于该第六阻层4 0上形成数个第六开口4 1，再分别于数个第五开口 3 8上形成一第一阻障层4 2 ，以及于数个第六开口 4 1上形成一第二阻障层43，最后，移除该第六阻层。至此，完成一具铜核层支撑的多层封装基板4，其中，该第一、二阻障层4 2、 4 3皆为镍金层。
由上述可知，本发明系从铜核基板为基础，开始制作的单面、多层封装基板，其结构包括一具高刚性支撑的铜板，且此铜板的一面具增层线路，另一面则具球侧图案阻障层。于其中，各增层线路及置晶侧与球侧连接的方式以数个电镀盲孔、埋孔所导通。因此，本发明封装基板的特色在于具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线，同时，并以铜板提供足够的刚性使封装制程可更为简易。虽然各线路在封装制程完成前于电性上完全短路，但封装制程完成后则可利用球侧图案阻障层，以蚀刻的方式移除部分铜板，进而可使电性独立并形成具保护作用的柱状接脚。藉此，使用本发明具高密度的增层线路封装基板方法所制造的多层封装基板，可依实际需求形成具铜核基板支撑的铜核层多层封装基板，并可有效达到改善超薄核层基板板弯翘问题、及简化传统增层线路板制作流程，进而达到提高封装体接合基板时的可靠度(Board Level Reliability)的目的。
综上所述，本发明为一种铜核层多层封装基板的制作方法，可有效改善已用的种种缺点，以具有高密度增层线路提供电子组件相连时所需的绕线，同时，并以铜板提供足够的刚性使封装制程可更为简易。藉此，使用本发明所制造的多层封装基板，可依实际需求形成具铜核基板支撑的铜核层多层封装基板，并可有效达到改善超薄核层基板板弯翘问题、及简化传统增层线路板制作流程，以达到提高封装体接合基板时的可靠度，进而使本发明的产生能更进步、更实用、更符合使用者的所须，确已符合发明专利申请的要件，爰依法提出专利申请
权利要求
1.一种铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步骤(A)提供一铜核基板；(B)于该铜核基板的第一面上形成一第一介电层及一第一金属层；(C)于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第一开口，并显露部分铜核基板第一面；(D)于数个第一开口中及该第一金属层上形成一第二金属层；(E)分别于该第二金属层上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上并形成数个第二开口，并显露部分的第二金属层；(F)移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成一第一线路层；(G)移除该第一阻层及该第二阻层，至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板，并可选择直接进行步骤(H)或步骤(I)；(H)于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球侧线路层制作，于其中，在该第一线路层表面形成一第一防焊层，并且在该第一防焊层上形成数个第三开口，以显露该第一线路层作为电性连接垫的部分；接着减低该铜核基板第二面的铜厚度，并于减铜后的铜核基板第二面上形成一第三阻层，且在该第三阻层上形成数个第四开口，之后再分别于数个第三开口中形成一第一阻障层，以及于第四开口中形成一第二阻障层，最后移除该第三阻层；至此，完成一具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层；以及(I)于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层及该第一介电层表面形成一第二介电层，并且在该第二介电层上形成数个第五开口，以显露部分的第一线路层。接着于该第二介电层与数个第五开口表面形成一第一晶种层，再分别于该第一晶种层上形成一第四阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻层，并于该第四阻层上形成数个第六开口，以显露部分的第一晶种层，之后于该第六开口中已显露的第一晶种层上形成一第三金属层，最后移除该第四阻层、该第五阻层及该第一晶种层，以在该第二介电层上形成一第二线路层；至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板，并可继续本步骤(I)增加线路增层结构，形成具更多层的封装基板，亦或直接至该步骤(H)进行置晶侧与球侧线路层制作。
2. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该铜核基板为一不含介电层材料的铜板。
3. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该步骤(B)以直接压合该第一介电层及该第一金属层于其上，或采取贴合该第一介 电层后，再形成该第一金属层。
4. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该第一、二介电层为环氧树脂绝缘膜、苯环丁烯、双马来亚酰胺-三氮杂苯树脂、环 氧树脂板、聚酰亚胺、聚四氟乙烯或环氧树脂及玻璃纤维其中之一。
5. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，数个第一、五开口系可先做开铜窗后，再经由镭射钻孔的方式形成，亦或以直接镭射 钻孔的方式形成。
6. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该第二、三金属层及该第一晶种层的形成方式为无电电镀与电镀。
7. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该第一 五阻层是以贴合、印刷或旋转涂布所为的干膜或湿膜的高感旋光性光阻。
8. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，数个第二、三、四及六开口以曝光及显影的方式形成。
9. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该步骤(F)移除该第一、二金属层及该步骤(I )移除该第一晶种层的方法为蚀刻
10. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该第一 五阻层的移除方法为剥离。
11. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该步骤(H)减低该铜核基板第二面的铜厚度方法为刷磨或蚀刻。
12. 根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该第一、二阻障层为电镀镍金、无电镀镍金、电镀银或电镀锡中之一。
13.根据权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该步骤(H)于减低该铜核基板第二面的铜厚度之前，可先于该第一防焊层与该第一 线路层表面形成一第六阻层，待减低该铜核基板第二面的铜厚度的后，再移除该第六阻层。
14.根据权利要求13所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征 在于，该第六阻层是以贴合、印刷或旋转涂布所为的干膜或湿膜的高感旋光性光阻。
15.根据权利要求1 3所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特 征在于，该第六阻层的移除方法为剥离。
全文摘要
一种铜核层多层封装基板的制作方法，系以一铜核基板为基础开始制作的单面、多层封装基板。其结构包括一具高刚性支撑的铜板，且此铜板的一面具增层线路，另一面具球侧图案阻障层。其各增层线路及置晶侧与球侧连接的方式系以数个电镀盲孔、埋孔所导通。因此，本发明封装基板的特色在于，具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线，同时并以该铜板提供足够的刚性使封装制程可更为简易。藉此，使用本发明所制造的多层封装基板，可依实际需求形成具该铜核基板支撑的铜核层多层封装基板，并可有效达到改善超薄核层基板板弯翘问题、及简化传统增层线路板制作流程，进而达到提高封装体接合基板时的可靠度的目的。
文档编号H01L21/48GK101677068SQ200810304559
公开日2010年3月24日 申请日期2008年9月19日 优先权日2008年9月19日
发明者林文强, 王家忠, 陈振重 申请人:钰桥半导体股份有限公司