专利名称：用于发光应用的氘代化合物的制作方法
用于发光应用的氘代化合物相关专利申请资料本专利申请根据35U. S. C. § 119(e)，要求提交于2008年12月22日的美国临时申请61/139，834和提交于2009年5月7日的美国临时申请61/176，141的优先权，将每篇文献以引用方式全文并入本文。
背景技术：
公开领域本发明涉及至少部分氘代的电活性化合物。它还涉及其中至少一个活性层包含此类化合物的电子器件。相关领域说明发光的有机电子器件如组成显示器的发光二极管存在于许多不同种类的电子设备中。在所有的此类器件中，有机活性层均被夹置在两个电接触层之间。电接触层中的至少一个是透光的，以便光能够穿过该电接触层。当在整个电接触层上施加电流时，有机活性层透过该透光的电接触层发射光。已知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分。已知诸如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物等简单有机分子显示电致发光性。半导体共轭聚合物已被用作电致发光组分，例如在美国专利公开5，247, 190、美国专利公开5，408，109和公布的欧洲专利申请443 861中公开的。然而，持续需要电致发光化合物。发明概述本文提供了化合物，所述化合物选自双(二芳基氨基)蒽和双(二芳基氨基)蔑 ，其中所述化合物具有至少一个D。本文还提供了包含活性层的电子器件，所述活性层包含上述化合物。本文还提供了具有式I或式II的化合物
权利要求
1.化合物，所述化合物选自双(二芳基氨基)蒽和双(二芳基氨基)萠，其中所述化合物具有至少一个D。
2.权利要求1的化合物，所述化合物具有至少50%的氘代度。
3.权利要求1和2任一项中的化合物，所述化合物具有式I或式II
4.权利要求3的化合物，所述化合物在芳环上具有至少一个取代基，其中氘代存在于芳环的取代基上。
5.权利要求3的化合物，其中Ar1至Ar4中的至少一个为氘代芳基。
6.权利要求5的化合物，其中Ar1至Ar2为至少20%氘代的。
7.权利要求3的化合物，所述化合物在芳环上具有至少一个取代基，其中氘代存在于至少一个取代基和至少一个芳环这二者上。
8.权利要求3的化合物，其中R1为烃烷基。
9.权利要求3的化合物，其中R1为氘代烷基。
10.权利要求3的化合物，所述化合物具有式I，其中a= 0。
11.权利要求3的化合物，所述化合物具有式I，其中a= 4并且R1为D。
12.权利要求3的化合物，所述化合物具有式II，其中b= 0。
13.权利要求3的化合物，所述化合物具有式II，其中b= 5并且R1为D。
14.权利要求3的化合物，其中Ar1至Ar4选自萘基、苯基萘基、萘基苯基、联萘基、和具 有式III的基团
15.权利要求3的化合物，其中Ar1至Ar4是全氘代的。
全文摘要
本发明涉及可用于电致发光应用中的氘代化合物。它还涉及其中活性层包含此类氘代化合物的电子器件。
文档编号H01L51/50GK102414294SQ200980159168
公开日2012年4月11日 申请日期2009年12月21日 优先权日2009年5月7日
发明者J·A·梅罗, N·海隆, V·罗斯托弗采夫 申请人:E.I.内穆尔杜邦公司