专利名称：半导体元件处理方法和半导体元件处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体元件处理方法和半导体元件处理装置，特别涉及从半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理方法和半导体元件处理装置。
背景技术：
在现有技术中，在构成液晶显示装置的液晶面板，使用树脂制的各向异性导电粘接剂粘接半导体元件、FPC (Flexible Printed Circuits :挠性印刷线路板)等。当在液晶显示装置的制造时等发生起因于液晶面板的问题时，一般将半导体元件连同液晶面板一起废弃。因此，提案有将这样的半导体元件从液晶面板取下，进行再使用的方法(例如，参 照专利文献I)。在上述专利文献I公开有如下方法在发生起因于液晶面板的问题的情况下，在将驱动器IC (半导体元件)加热并从液晶面板取向后，利用等离子体灰化将附着在驱动器IC的各向异性导电粘接剂的残渣除去的方法。此外，在现有技术中，在发生起因于液晶面板的问题的情况下，将FPC从液晶面板取下，进行再使用。具体而言，在发生起因于液晶面板的问题的情况下，将FPC加热并从液晶面板取下。此时，在FPC的端子部附着有各向异性导电粘接剂的残渣。接着，在残渣上配置新的各向异性导电粘接剂，在各向异性导电粘接剂上例如配置铜箔，之后，将它们压接。然后，在以铜箔朝下的方式配置后，将FPC加热并剥下。由此，新的各向异性导电粘接剂和残渣残留在铜箔一侧，从而从FPC除去残渣。利用这样的转印方式除去各向异性导电粘接剂的残渣的方法例如在专利文献2和3中被公开。此外，在现有技术中，在发生起因于FPC的问题的情况下，将FPC从液晶面板取下，对液晶面板进行再使用。具体而言，在发生起因于FPC的问题的情况下，将FPC加热并从液晶面板取下。此时，在液晶面板的FPC用端子部附着有各向异性导电粘接剂的残渣。接着，在液晶面板的FPC用端子部施加有机类的溶液，使残渣膨润。然后，使用竹片等将变得容易剥下的残渣剥除。这样，将残渣从液晶面板除去。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2002-76586号公报专利文献2 :日本专利第3619447号公报专利文献3 :日本特开2007-180396号公报
发明内容
发明所要解决的问题但是，在对半导体元件进行再使用时使用上述专利文献I所公开的利用等离子体灰化除去残渣的方法的情况下，存在为了除去残渣而例如耗费30分钟以上的时间、处理时间变长的问题。另外，在对半导体元件进行再使用的情况下，即使使用上述的从FPC除去各向异性导电粘接剂的残渣的方法，也不能从半导体元件除去残渣。这被认为是因为如下理由。即，用于将FPC粘接在液晶面板的各向异性导电粘接剂和用于将半导体元件粘接在液晶面板的各向异性导电粘接剂所使用的树脂的材质不同，用于将半导体元件粘接在液晶面板的各向异性导电粘接剂的粘接力强。因此能够认为，即使使用从FPC除去各向异性导电粘接剂的残渣的方法，也不能从半导体元件除去各向异性导电粘接剂的残渣。此外，各向异性导电粘接剂对FPC的粘接力本来就不强。因此能够认为，相比于各向异性导电粘接剂与FPC的粘接力，残渣与新的各向异性导电粘接剂的粘接力更强，因此能够从FPC除去残渣。
此外，在对半导体元件进行再使用的情况下，即使使用上述从液晶面板除去各向异性导电粘接剂的残渣的方法，也不能从半导体元件除去残渣。这能够被认为是基于如下理由。即，与液晶面板的FPC用端子部相比，半导体元件的电极细且密度高，因此不易从半导体元件除去各向异性导电粘接剂的残渣。此外，半导体元件的电极间的间隙比液晶面板的FPC用端子部间的间隙小。因此认为，难以将竹片等的前端插中半导体元件的电极间的间隙，难以从半导体元件除去残渣。本发明是为了解决上述问题而完成的，本发明的目的在于提供能够缩短处理时间并从半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理方法和半导体元件处理装置。用于解决问题的方式为了达到上述目的，本发明的第一方面的半导体元件处理方法是为了对半导体元件进行再使用而从半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理方法，包括将附着有树脂制的粘接剂的半导体元件浸溃于至少含有浓硫酸的已被加热的酸液的工序；将半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序；和对半导体元件进行水洗的工序。在该第一方面的半导体元件处理方法中，如上所述，通过设置将半导体元件浸溃于至少含有浓硫酸的已被加热的酸液的工序，能够利用含有浓硫酸的已被加热的酸液溶解附着在半导体元件的树脂制的粘接剂的残渣。即，能够从半导体元件除去树脂制的粘接剂。此外，通过使用含有浓硫酸的已被加热的酸液，例如与利用等离子体灰化除去粘接剂的残渣的情况相比，能够缩短处理时间。此外，在第一方面的半导体元件处理方法中，如上所述设置有将半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序。由此。例如与将半导体元件浸溃于含有浓硫酸的已被加热的酸液后立即进行水洗的情况不同，能够抑制热浓硫酸(已被加热的浓硫酸)与水发生反应而发生急剧的发热反应。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，优选酸液不含有硝酸且被加热至110°C以上。采用这样的结构，能够容易地且在短时间内除去附着在半导体元件的粘接剂的残渣。在上述酸液被加热至110°C以上的半导体元件处理方法中，优选酸液被加热至120°C以上170°C以下。这样，通过将酸液加热至120°C以上，能够在更短的时间内将附着在半导体元件的粘接剂的残渣除去。此外，通过将酸液加热至170°C以下，能够抑制处理温度的升高，因此能够提高处理时的安全性。在上述酸液被加热至120°C以上170°C以下的半导体元件处理方法中，优选酸液被加热至130°C以上150°C以下。这样，通过将酸液加热至130°C以上，能够在更加短的时间内将附着在半导体元件的粘接剂的残渣除去。此外，通过将酸液加热至150°C以下，能够进一步抑制处理温度的升高，因此能够进一步提高处理时的安全性。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，优选酸液含有浓硫酸和硝酸，且被加热至70°C以上。采用这样的结构，能够容易地且在短时间内将附着在半导体元件的粘接剂的残渣除去。此外，通过使用含有浓硫酸和硝酸的酸液，即使在半导体元件浮起等而一度浮出液面的情况下，只要将半导体元件再次浸于酸液，就能够将附着在半导体元件的粘接剂的残渣除去。即，能够抑制粘接剂的残渣溶解出现溶解不尽的情况(不能完全溶解)。此外，与使用不含硝酸的酸液的情况相比，能够降低处理温度，因此能够提高处理 时的安全性。在上述酸液被加热至70°C以上的半导体元件处理方法中，优选酸液被加热至80°C以上110°C以下。这样，通过将酸液加热至80°C以上，能够在更加短的时间内将附着在半导体元件的粘接剂的残渣除去。此外，通过将酸液加热至110°C以下，能够抑制处理温度的升高，因此能够进一步提高处理时的安全性。在上述酸液被加热至80°C以上110°C以下的半导体元件处理方法中，优选酸液被加热至80°C以上95°C以下。这样，通过将酸液加热至95°C以下，能够进一步抑制处理温度的升高，因此能够进一步提高处理时的安全性。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，优选将半导体元件浸溃于酸液60秒以上。采用这样的结构，能够将附着在半导体元件的粘接剂的残渣充分地除去。在上述将半导体元件浸溃于酸液60秒的半导体元件处理方法中，优选将半导体元件浸溃于酸液90秒以上180秒以下。采用这样的结构，能够充分地除去附着在半导体元件的粘接剂的残渣，并且能够抑制处理时间的变长。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，将半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序也可以包括将半导体元件浸溃于常温的稀硫酸的工序。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，将半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序也可以包括将半导体元件浸溃于常温的浓硫酸的工序。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，将半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序也可以包括将半导体元件浸溃于常温的浓硫酸的工序；和将半导体元件浸溃于常温的稀硫酸的工序。采用这样的结构，将半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序与例如仅包括将半导体元件浸溃于常温的稀硫酸的工序相比，能够扩大常温的稀硫酸的浓度的设定范围。即，能够容易地进行常温的稀硫酸的浓度管理。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，优选半导体元件的电极含有Au。如此使用不溶解于浓硫酸的Au形成电极时，能够抑制处理时电极的损伤(溶解)，因此能够容易地对半导体元件进行再使用。在上述第一方面的半导体元件处理方法中，优选酸液被收容在玻璃制的容器中。采用这样的结构，能够抑制收容酸液的容器被酸液溶解的情况。
在上述第一方面的半导体元件处理方法中，优选将半导体元件浸溃于酸液的工序包括以将半导体元件浸溃于酸液的状态对酸液进行搅拌的工序。采用这样的结构，能够促进酸液与粘接剂的残渣的反应，因此能够进一步缩短处理时间，并且能够抑制发生溶解不尽(不能完全溶解)的情况。本发明的第二方面的半导体元件处理装置是为了对半导体元件进行再使用而从半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理装置，包括收容至少含有浓硫酸的酸液的第一槽；对酸液进行加热的加热器；收容常温的硫酸的第二槽；和用于对半导体元件进行水洗的水洗槽。在该第二方面的半导体元件处理装置中，如上所述，设置有收容至少含有浓硫酸的酸液的第一槽和对酸液进行加热的加热器。由此，能够将半导体元件浸溃于含有浓硫酸的已被加热的酸液，因此，能够利用含有浓硫酸的已被加热的酸液溶解附着在半导体元件的树脂制的粘接剂的残渣。即，能够从半导体元件除去树脂制的粘接剂。此外，通过使用含有浓硫酸的已被加热的酸液除去附着在半导体元件的粘接剂的残渣，例如与利用等离子体灰化除去粘接剂的残渣的情况相比，能够缩短处理时间。此外，在第二方面的半导体元件处理装置中，如上所述，通过设置收容常温的硫酸的第二槽，能够在将半导体元件浸溃于含有浓硫酸的已被加热的酸液之后且在水洗之前，将半导体元件浸溃于常温的硫酸中。由此，与在将半导体元件浸溃于含有浓硫酸的已被加热的酸液之后立即对其进行水洗的情况不同，能够抑制热浓硫酸(已被加热的浓硫酸)与水发生反应而发生急剧的发热反应的情况。在上述第二方面的半导体元件处理装置中，优选第一槽收容不含硝酸的酸液，力口热器将酸液加热至110°c以上。采用这样的结构，能够容易地、且在短时间内除去附着在半导体元件的粘接剂的残渣。 在上述第二方面的半导体元件处理装置中，第二槽也可以包括收容常温的稀硫酸的稀硫酸槽。在上述第二槽包括稀硫酸槽的半导体元件处理装置中，优选第二槽包括收容常温的浓硫酸的浓硫酸槽。采用这样的结构，与第二槽仅包括稀硫酸槽的情况相比，能够扩大常温的稀硫酸的浓度的设定范围。即，能够容易地进行常温的稀硫酸的浓度管理。在上述第二方面的半导体元件处理装置中，优选第一槽为玻璃制。采用这样的结构，能够抑制第一槽被酸液溶解。在上述第二方面的半导体元件处理装置中，优选还包括保持部件，该保持部件保持半导体元件，并且与半导体元件一同浸溃于酸液和常温的硫酸。采用这样的结构，能够容易地除去附着在半导体元件的粘接剂的残渣。此外，如果以保持多个半导体元件的方式构成保持部件，则能够同时处理多个半导体元件，因此能够大幅地缩短平均每个半导体元件的处理时间。在包括上述保持部件的半导体元件处理装置中，也可以将保持部件构成为，具有限制半导体元件的一端一侧的活动的第一限制部；限制半导体元件的另一端一侧的活动的第二限制部；和第三限制部，该第三限制部配置在第一限制部与第二限制部之间，具有贯通孔并且限制半导体元件的中央部的活动，半导体元件插入该贯通孔。在包括上述保持部件的半导体元件处理装置中，优选保持部件为玻璃制。采用这样的结构，能够抑制保持部件被酸液或常温的硫酸溶解的情况。在上述第二方面的半导体元件处理装置中，优选加热器是配置在第一槽的内部的投入式加热器。采用这样的结构，能够利用加热器对酸液直接加热，因此能够高精度地调节酸液的温度。发明的效果如上所述，根据本发明，能够容易地得到能缩短处理时间、并且能够从半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理方法和半导 体元件处理装置。
图I是表示本发明的第一实施方式的IC芯片(半导体元件)的处理方法的时序图。图2是表示具备利用图I所示的本发明的第一实施方式的处理方法处理的IC芯片的液晶模块的结构的立体图。图3是表示图2所示的液晶模块的IC芯片的结构的侧面图。图4是用于说明图I所示的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法中的、将IC芯片浸溃于热浓硫酸的工序的侧面图。图5是用于说明图I所示的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法中的、将IC芯片浸溃于热浓硫酸的工序的侧面图。图6是用于说明图I所示的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法中的、将IC芯片浸溃于热浓硫酸的工序的侧面图。图7是用于说明图I所示的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法中的、将IC芯片浸溃于常温的浓硫酸的工序的侧面图。图8是用于说明图I所示的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法中的、将IC芯片浸溃于常温的稀硫酸的工序的侧面图。图9是用于说明图I所示的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法中的、对IC芯片进行水洗的工序的侧面图。图10是用于说明图I所示的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法中的、对IC芯片进行干燥处理的工序的侧面图。图11是表示本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法中使用的处理装置的结构的侧面图。图12是表示图11所示的本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法中使用的处理装置的结构的平面图。图13是表示图11所示的本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法中使用的处理装置的结构的平面图。图14是用于说明图11所示的本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法中使用的处理装置的盒的结构的立体图。图15是用于说明图11所示的本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法中使用的处理装置的盒的结构的分解立体图。图16是用于说明图11所示的本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法中使用的处理装置的盒的结构的分解立体图。
图17是用于说明图11所示的本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法中使用的处理装置的盒的结构的立体图。图18是表示本发明的第二实施方式的IC芯片的处理方法的时序图。图19是表示本发明的第三实施方式的IC芯片的处理方法的时序图。图20是用于说明图19所示的本发明的第三实施方式的IC芯片的处理方法中的、将IC芯片浸溃于混酸(混合酸液)的工序的侧面图。图21是用于说明图19所示的本发明的第三实施方式的IC芯片的处理方法中的、将IC芯片浸溃于混酸的工序的侧面图。图22是表示本发明的第一变形例的IC芯片的处理装置的结构的侧面图。图23是表示本发明的第二变形例的IC芯片的处理装置的结构的平面图。 图24是表示本发明的第三变形例的IC芯片的处理装置的结构的平面图。
具体实施例方式以上参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，为了容易理解，存在即使是截面图也不施加阴影的情况。(第一实施方式)参照图I 图10对本发明的第一实施方式的IC (Integrated Circuit :集成电路)芯片的处理方法进行说明。如图I所示，本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法包括从液晶面板取下IC芯片的工序(SI);将IC芯片浸溃于热浓硫酸的工序(S2);将IC芯片浸溃于常温的浓硫酸的工序(S3);将IC芯片浸溃于常温的稀硫酸的工序(S4);对IC芯片进行水洗的工序(S5);和使IC芯片干燥的工序(S6)。利用这样的本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法，能够对从液晶面板取下的IC芯片进行再使用。在对上述各工序进行具体说明之前，对利用本发明的第一实施方式的IC芯片的处理方法进行处理的IC芯片和具备IC芯片的液晶模块的结构进行说明。如图2所示，具备利用本发明的第一实施方式的处理方法进行处理的IC芯片4的液晶模块包括两个液晶面板2和3，以及安装在液晶面板2的IC芯片4和FPC5。其中，IC芯片4是本发明的“半导体元件”的一个例子。在IC芯片4形成有多个凸起电极4a (参照图3)。该凸起电极4a全部利用Au形成。此外，凸起电极4a覆盖包括Al等的焊盘电极(pad electrode,未图示)的表面。另外，凸起电极4a至少表面使用Au形成即可。此外，在IC芯片4与液晶面板2之间配置有ACF (各向异性导电膜)6 (参照图3)。该ACF6由含有导电粒子(未图示)的树脂形成，通过ACF6，IC芯片4与液晶面板2电连接。其中，ACF6是本发明的“粘接剂”的一个例子。此外，在图2中，为了简化图面，省略ACF6。在FPC5与液晶面板2之间配置有未图示的ACF，通过该ACF (未图示)，FPC5与液晶面板2电连接。接着，对本发明的第一实施方式的IC芯片4的处理方法进行具体说明。在液面模块I的制造时的动作试验、在市面出现问题引起的返货时的动作试验中发生起因于液晶面板2或3的问题的情况下，如图I所示，在步骤SI，将IC芯片4从液晶面板2取下。此时，例如使用钎焊烙铁等将IC芯片4加热并从液晶面板2取下。另外，在从液晶面板2取下的IC芯片4，如图3所示，以覆盖凸起电极4a的方式附着有ACF6的残渣。然后，在步骤S2，将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11(参照图4)。收容该热浓硫酸11的容器(烧杯)10 (参照图4)例如由石英玻璃形成。其中，热浓硫酸11是本发明的“酸液”的一个例子。此处，在第一实施方式中，浓硫酸(热浓硫酸11)的质量百分比浓度为约90%以上。另外，浓硫酸(热浓硫酸11)的质量百分比浓度优选为约95%以上，进一步优选为约97%以
上。 热浓硫酸11在温度低时吸收空气中的水分而浓度下降。在这种情况下，存在不能充分地将ACF6的残渣溶解的情况。此外，热浓硫酸11在温度高时存在产生有毒气体的可能性。因此，在第一实施方式中，令热浓硫酸11的温度为约110°C以上且约200°C以下。另外，从烧伤等操作安全性的观点出发，令热浓硫酸11的温度为约200°C以下。此外，热浓硫酸11的温度进一步优选为约120°C以上约170°C以下，进一步优选为约130°C以上约150°C以下。在上述温度范围内热浓硫酸11会产生烟(雾)，这是因为热浓硫酸11中的水分在挥发。在将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11时，优选如图4所示那样，以凸起电极4a朝向上侧的状态将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11。另外，如果如图5所示那样，以凸起电极4a朝向下侧的状态将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11，则存在ACF6(参照图3)的残渣溶解不尽(不能完全溶解)的情况。这被认为是因为如下理由。即，因为IC芯片4沉在容器10的底部，所以如果以凸起电极4a朝向下侧的状态将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11，则热浓硫酸11难以触及ACF6的残渣。此外，这被认为是因为即使在将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11之后，如后所述那样搅拌热浓硫酸11，凸起电极4a周边的热浓硫酸11也不被充分地搅拌。此外，在将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11时，将IC芯片4 一下子(快速)沉在热浓硫酸11中。这是因为如下理由。即，如图6所示，在将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11时，存在由于热浓硫酸11的表面张力而IC芯片4浮起的情况。如果在热浓硫酸11接触ACF6的残渣之后，IC芯片4即使有一瞬浮起，ACF6的残渣的表面也会碳化。而且，其会成为膜，阻碍ACF6的残渣溶解于热浓硫酸11。因此，存在即使将IC芯片4 (ACF6的残渣)再次浸溃于热浓硫酸11，也还是发生溶解不尽的情况。然后，将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11放置约30秒。然后，以将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的状态，将热浓硫酸11搅拌数秒。然后，停止搅拌后，放置约30秒。然后，以将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的状态，将热浓硫酸11搅拌数秒。然后，停止搅拌后，放置规定的时间。热浓硫酸11的搅拌例如通过将容器10前后摇动来进行。另外，热浓硫酸11的搅拌例如也可以通过利用玻璃棒(未图示)搅动热浓硫酸11来进行。当将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11时，ACF6的残渣开始溶解。此时产生的反应物(未图示)要停留在IC芯片4的表面附近，如果以该状态放置下去，则存在溶解在中途停止的可能性。因此，通过上述那样搅拌热浓硫酸11，能够使反应物在热浓硫酸11中充分地扩散，能够充分地抑制溶解不尽的情况的产生。搅拌和放置的合计处理时间(浸溃时间)为约60秒以上。此外，搅拌和放置的合计处理时间优选为约90秒以上约300秒以下，进一步优选为约90秒以上约180秒以下。另外，也可以以将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的状态持续搅拌热浓硫酸11。在这种情况下，还能够使处理时间比约60秒短。在本申请的发明者进行的实验中，如果令搅拌和放置的合计处理时间(浸溃时间)为约300秒以下，则IC芯片4不被热浓硫酸11破坏。在凸起电极4a下形成有焊盘电极(未图示)，该焊盘电极包括对热浓硫酸11无耐性的Al等，因此，在热浓硫酸11从某处浸入焊盘电极(未图示)时，IC芯片4被破坏。因此，优选使搅拌和放置的合计处理时间(浸溃时间)不过长。此外，如果搅拌和放置的合计处理时间(浸溃时间)过长，则存在IC芯片4自 身被热浓硫酸11破坏的可能性，因此，从这一点出发也优选使搅拌和放置的合计处理时间不过长。然后，在步骤S3，将IC芯片4浸溃于常温的浓硫酸21 (参照图7)。收容该常温的浓硫酸21的容器20 (参照图7)例如由石英玻璃形成。其中，浓硫酸21是本发明的“硫酸”的一个例子。浓硫酸21的质量百分比浓度为约90%以上。另外，浓硫酸21的质量百分比浓度优选为约95%以上，进一步优选为约97%以上。此外，常温的浓硫酸21的IC芯片4的处理时间例如为约30秒即可，但是该处理时间并无限定。然后，在步骤S4，将IC芯片4浸溃于常温的稀硫酸31 (参照图8)。收容该常温的稀硫酸31的容器30 (参照图8)例如由PVC (聚氯乙烯)或玻璃形成。其中，稀硫酸31是本发明的“硫酸”的一个例子。此外，常温的稀硫酸31的IC芯片4的处理时间例如为约30秒即可，但是该处理时间并无限定。然后，在步骤S5，将IC芯片4浸溃于纯水41 (参照图9)。收容该纯水41的容器40 (参照图9)的材质并无特别限定。此外，通过纯水41进行的IC芯片4的处理时间例如为约30秒即可，但是该处理时间并无限定。然后，将IC芯片4从纯水41取出后，通过将纯水吹送到IC芯片4进行喷淋清洗。最后，在步骤S6，如图10所示，对IC芯片4吹暖风(或热风)，使IC芯片4干燥。如上述那样被处理后的IC芯片4能够安装在新的液晶面板2。在第一实施方式中，如上所述，通过设置将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的工序，能够利用热浓硫酸11溶解附着在IC芯片4的ACF6的残渣。即，能够从IC芯片4除去ACF6.此外，通过使用热浓硫酸11，例如与利用等离子体灰化除去ACF6的残渣的情况相比，能够缩短处理时间。此外，在第一实施方式中，如上所述，设置有将IC芯片4浸溃于常温的浓硫酸21的工序和将IC芯片4浸溃于常温的稀硫酸31的工序。由此，例如与将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11之后立即进行水洗的情况不同，能够抑制热浓硫酸11和纯水41发生反应而发生急剧的发热反应的情况。此外，在第一实施方式中，如上所述，通过使用被加热至约110°C以上的热浓硫酸11，能够容易地且在短时间内除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣。此外，在第一实施方式中，如上所述，通过使用被加热至约120°C以上或约130°C以上的热浓硫酸11，能够以更短时间除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣。此外，如果使用被加热至约170°C以下或约150°C以下的热浓硫酸11，则能够进一步抑制处理温度的升高，因此能够提高处理时的安全性。此外,在第一实施方式中，如上所述，通过将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11中约60秒以上，能够充分地除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣。此外，在第一实施方式中，如上所述，通过将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11中约90秒以上约180秒以下，能够更充分地除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣，并且能够进一步 抑制处理时间的变长。此外，在第一实施方式中，如上所述，设置有将IC芯片4浸溃于常温的浓硫酸21的工序和将IC芯片4浸溃于常温的稀硫酸31的工序。由此，相比于在将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的工序与对IC芯片4进行水洗的工序之间、例如仅设置将IC芯片4浸溃于常温的稀硫酸31的工序的情况(后述的第二实施方式的情况)，能够扩大常温的稀硫酸31的浓度的设定范围。即，能够容易地进行常温的稀硫酸31的浓度管理。此外，在第一实施方式中，如上所述，使用Au形成IC芯片4的凸起电极4a。因为Au不溶于热浓硫酸11、浓硫酸21和稀硫酸31,所以通过使用Au形成凸起电极4a,能够抑制处理时凸起电极4a的损伤(溶解)。由此，能够容易地对IC芯片4进行再使用。此外，在第一实施方式中，如上所述，通过将热浓硫酸11收容在石英玻璃制的容器10，能够抑制容器10被热浓硫酸11溶解的情况。此外，在第一实施方式中，如上所述，通过以将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的状态搅拌热浓硫酸11，能够促进热浓硫酸11与ACF6的残渣的反应，因此能够进一步缩短处理时间，并且能够充分抑制溶解不尽的情况的发生。(第二实施方式)在该第二实施方式中，参照图11 图18，对不同于上述第一实施方式、使用处理装置101从IC芯片4除去ACF6的残渣的情况进行说明。如图11所示，本发明的第二实施方式的IC芯片4的处理方法中使用的处理装置101包括热浓硫酸槽110 ;稀硫酸槽120 ;水洗槽130 ;保持多个IC芯片4的盒式部件140 ；输送盒式部件140的输送机构150 ;和收纳它们的框架160。其中，热浓硫酸槽110是本发明的“容器”和“第一槽”的一个例子，盒式部件140是本发明的“保持部件”的一个例子。框架160包括具有侧面和底面的主体部161 ;被固定在主体部161的搁板162 ；和堵塞主体部161的上部的盖部163。在主体部161或该部163形成有排气口(未图示)，处理装置101的内部被保持为负压。此外，在搁板162，形成有分别安装有热浓硫酸槽110、稀硫酸槽120和水洗槽130的开口部。其中，稀硫酸槽120是本发明的“第二槽”的一个例子。热浓硫酸槽110例如由石英玻璃形成。此外，在热浓硫酸槽110的内部，例如收容有10升左右的热浓硫酸11。
此外，热浓硫酸槽110的周围被绝热部件(未图示)覆盖。此外，在热浓硫酸槽110的内部，以浸溃于热浓硫酸11的方式配置有投入式加热器111。由此，能够有效地对热浓硫酸11加热，并且能够高精度地调节热浓硫酸11的温度。其中，投入式加热器111是本发明的“加热器”的一个例子。此外，投入式加热器111中的、至少被浸溃于热浓硫酸11的部分例如由石英玻璃形成。此外，投入式加热器111具有将热浓硫酸11加热至约110°C以上、且比硫酸的沸点(约290°C )低约10°C以上的约280°C以下的功能。此外，从对在热浓硫酸11周边的温度过高时不能进行处理装置101的控制的情况进行抑制的观点出发，热浓硫酸11的温度优选设定为约200°C以下。此外，与上述第一实施方式一样，热浓硫酸11的温度优选设定为约120°C以上约170°C以下，进一步优选设定为约130°C以上约150°C以下。稀硫酸槽120例如由PVC形成。此外，在稀硫酸槽120的内部收容有常温的稀硫酸31。 此处，在第二实施方式，并未在处理装置101设置收容常温的浓硫酸21的浓硫酸槽。即，在第二实施方式中，不进行利用常温的浓硫酸21的处理。在这样不进行利用常温的浓硫酸21的处理的情况下，如果稀硫酸31的浓度低，则在将IC芯片4 (盒式部件140)浸溃于稀硫酸31时，附着在IC芯片4 (盒式部件140)的热浓硫酸11与稀硫酸31发生反应而发生急剧的发热反应。另一方面，如果稀硫酸31的浓度高，则在将IC芯片4 (盒式部件140)浸于纯水41时，附着在IC芯片4 (盒式部件140)的稀硫酸31与纯水41发生反应而发生急剧的发热反应。因此，在第二实施方式中，例如将稀硫酸31的质量百分比浓度设定为约25%以上约30%以下。另外，稀硫酸31的适当的浓度范围根据热浓硫酸11的温度、浓度、盒式部件140的尺寸、IC芯片4的数量和纯水41的量等决定，因此，稀硫酸31的质量百分比浓度并不限定于上述的范围。此外，如图12所示，在稀硫酸槽120的上部，以覆盖整个稀硫酸槽120(稀硫酸31)的方式设置有盖部件121，该盖部件121具有比稀硫酸槽120大的外形(面积)。该盖部件121例如由玻璃形成。另外，在图11中，为了简化图面，省略盖部件121。此外，盖部件121是为了防止在将盒式部件140从热浓硫酸槽110输送至稀硫酸槽120时、稀硫酸槽120被从盒式部件140落下的热浓硫酸11溶解而设置的。此外，如图13所示，盖部件121构成为，能够以旋转轴01为中心旋转。由此，能够在盒式部件140被输送至稀硫酸槽120 (稀硫酸31)的正上方的位置后，通过使盖部件121旋转，将盒式部件140浸溃于稀硫酸31。另外，也可以将框架160的搁板162中的、至少盒式部件140通过的部分利用玻璃形成或以玻璃制的板等保护。如图11所示，水洗槽130包括用于对IC芯片4进行水洗的水洗室131和配置在水洗室131的下侧的储水室132。在水洗室131与储水室132之间设置有阀门133，能够将水洗室131的内部的纯水41排至储水室132。此外，在水洗室131的壁面设置有多个洗净喷嘴134，能够对IC芯片4进行喷淋清洗。此外，在水洗室131的壁面设置有用于吹送暖风(或热风)的多个送风喷嘴(未图示)，能够使IC芯片4干燥。该送风喷嘴(未图示)和盒式部件140以使得暖风(热风)被充分地吹送到所有的IC芯片4、不发生干燥不均的方式构成。如图14和图15所示，盒式部件140包括上板141、中板142和下板143。此外，上板141、中板142和下板143相互隔开规定的间隔被多个支柱144支承。此外，整个盒式部件140 (上板141、中板142、下板143和多个支柱144)由玻璃形成。其中，上板141是本发明的“第一限制部”的一个例子，中板142是本发明的“第三限制部”的一个例子。此外，下板143是本发明的“第二限制部”的一个例子。上板141的下表面(中板142—侧的面)形成得平坦。此外，如图16和图17所示，上板141具有限制IC芯片4的一端(上端)一侧向上侧的移动的功能。 在配置在上板141与下板143之间的中板142，形成有IC芯片4所插入的多个(100个 1000个左右)贯通孔142a。此外，中板142具有限制IC芯片4的中央部在中板142的面方向(横方向)的移动的功能。在下板143的上表面(中板142 —侧的面)，形成有多个(100个 1000个左右)凹部(沉孔(埋头孔)，counterbore) 143a,该多个凹部143a具有比下板143的厚度小的深度。该多个凹部143a在与中板的142的多个贯通孔142a相同的位置形成。此外，凹部143a(下板143)具有限制IC芯片4的另一端(下端)一侧在下板143的面方向(横方向)的移动的功能。另外，可以在上板141的下表面形成多个凹部，也可以将下板143的上表面形成得平坦。支柱144例如以嵌入上板141、中板142和下板143的方式构成。由此，为了将上 板141、中板142和下板143以及支柱144固定，不需要使用例如树脂制的粘接剂，因此，如上所述，能够将整个盒式部件140利用玻璃形成。另外，也可以利用玻璃熔接将支柱144固定在上板141、中板142和下板143等。如图11所示，输送机构150包括轴部151和被固定在轴部151的臂部152。臂部152具有悬吊盒式部件140的功能。臂部152的悬吊盒式部件140的部分例如也可以由玻璃线等玻璃部件形成。此外，也可以构成为，在盒式部件140的上板141设置玻璃制的悬吊夹具等，并且使臂部152夹持悬吊夹具中的不接触液体(热浓硫酸11和稀硫酸31)的部分。轴部151以能够以中心轴02为中心旋转的方式构成。此外，轴部151以在上下方向(A方向)能够移动(或能够伸缩)的方式构成。由此，能够通过输送机构150将盒式部件140输送至热浓硫酸槽110、稀硫酸槽120和水洗槽130。接着，对本发明的第二实施方式的IC芯片4的处理方法进行说明。如图18所示，本发明的第二实施方式的IC芯片4的处理方法包括从液晶面板2取下IC芯片4的工序(SI);将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的工序(S12);将IC芯片4浸溃于常温的稀硫酸31的工序(S13);对IC芯片4进行水洗的工序(S14);和使IC芯片4干燥的工序(S15)。具体而言，与上述第一实施方式一样，在发生起因于液晶面板2或3的问题的情况下，在步骤SI，将IC芯片4从液晶面板2取下。
然后，如图16所示，在步骤S12，以除下上板141的状态在盒式部件140安装多个IC芯片4。然后，将上板141固定在多个支柱144，将盒式部件140安装在输送机构150的臂部152。然后，轴部151和臂部152以中心轴02为中心旋转，由此盒式部件140被输送至热浓硫酸槽110 (热浓硫酸11)的上方。然后，轴部151向下方向移动(或缩回)，由此盒式部件140和多个IC芯片4被浸溃于热浓硫酸11。此时，在第二实施方式中，IC芯片4以凸起电极4a朝向横方向(大致水平方向)的状态被浸溃于热浓硫酸U。此外，在第二实施方式中，IC芯片4的一端(上端)一侧的活动被上板141限制，因此IC芯片4不浮起。然后，以将IC芯片4浸溃于热浓硫酸11的状态对热浓硫酸11进行搅拌。在第二 实施方式中，既可以设置用于搅拌热浓硫酸11的搅拌机构(未图示)，也可以通过在盒式部件140不离开热浓硫酸11的范围内、使轴部151反复在上下方向移动(或伸缩)来搅拌浓硫酸11。然后在继续搅拌规定时间(例如，约30秒以上)之后，轴部151向上方向移动(或伸长)，由此提升盒式部件140。之后，在步骤S13，轴部151和臂部152以中心轴02为中心旋转，由此，盒式部件140被输送至稀硫酸槽120 (稀硫酸31)的上方。此时，在盒式部件140与稀硫酸槽120 (稀硫酸31)之间配置有盖部件121。然后，盖部件121以旋转轴01为中心旋转。然后，轴部151向下方向移动(或缩回)，由此，盒式部件140和多个IC芯片4被浸溃于常温的稀硫酸31。然后，在放置规定时间后，轴部151向上方向移动(或伸长)，由此提升盒式部件140。然后，在步骤S14，轴部151和臂部152以中心轴02为中心旋转，由此，盒式部件140被输送至水洗槽130 (纯水41)的上方。然后，轴部151向下方向移动(或缩回)，由此，盒式部件140和多个IC芯片4被浸溃于纯水41。然后，在放置规定时间后，通过阀门133，水洗室131的内部的纯水41被排出至储水室132。接着，从多个清洗喷嘴134向IC芯片4吹送纯水，由此，IC芯片4被喷淋清洗。最后，向IC芯片4吹送暖风(或热风)，由此使IC芯片4干燥。接着，轴部151向上方向移动(或伸长)，由此提升盒式部件140。另外第二实施方式的其它处理方法与上述第一实施方式相同。在第二实施方式中，如上所述，不设置将IC芯片4浸溃于常温的浓硫酸21的工序，由此能够进一步缩短处理时间。此外，在第二实施方式中，如上所述，设置保持IC芯片4的盒式部件140，由此，能够容易地除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣。此外，通过将盒式部件140以保持大量(100个 1000个左右)的IC芯片4的方式构成，能够同时处理大量的IC芯片4，因此能够大幅地缩短平均每个IC芯片4的处理时间。此外，在第二实施方式中，如上所述，在盒式部件140设置有上板141，该上板141限制IC芯片4的一端(上端)一侧向上侧的移动，由此，能够防止在将IC芯片4和盒式部件140浸溃于热浓硫酸11时，IC芯片4由于热浓硫酸11的表面张力而浮起。此外，在第二实施方式中，如上所述，将整个盒式部件140利用玻璃形成，由此，能够抑制盒式部件140被热浓硫酸11溶解。另外，第二实施方式的其它效果与上述第一实施方式相同。(第三实施方式)在该第三实施方式中，参照图19 图21，对使用含有浓硫酸和硝酸的混酸211代替热浓硫酸11来处理IC芯片4的情况进行说明。如图19所示，本发明的第三实施方式的IC芯片4的处理方法包括从液晶面板2取下IC芯片4的工序(SI);将IC芯片4浸溃于被加热的混酸211的工序(S22);将IC芯片 4浸溃于常温的浓硫酸21的工序(S3);将IC芯片4浸溃于常温的稀硫酸31的工序(S4)；对IC芯片4进行水洗的工序(S5);和使IC芯片4干燥的工序(S6)。其中，混酸211是本发明的“酸液”的一个例子。此处，在第三实施方式中，在步骤S22使用的混酸211 (参照图20)通过将浓硫酸和硝酸混合而构成。具体而言，在制备混酸211时，通过在利用冰等将容器10冷却后的状态下、一边搅拌一边在浓硫酸中一点一点地混入硝酸来制备。另外，混酸211在常温也产生烟。此外，混酸211的制备中使用的浓硫酸的质量百分比浓度为约90%以上。另外，浓硫酸的质量百分比浓度优选为约95%以上，进一步优选为约97%以上。此外，硝酸的质量百分比浓度优选为70%左右。此外，混酸211通过将浓硫酸和硝酸以例如3 1的体积比混合而构成。在第三实施方式中，使混酸211的温度为约70°C以上且比硝酸的沸点(约121°C)低的温度。另外，混酸211的温度优选为约80°C以上约110°C以下，进一步优选为约80°C以上约95°C以下。在使用混酸211的情况下，如图21所示，即使在IC芯片4由于混酸211的表面张力而浮起、一度浮出液面的情况下，只要将IC芯片4 (ACF6的残渣)再次浸溃于混酸211，就能够除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣。S卩，不发生ACF6的残渣的溶解不尽。另外，第三实施方式的其它处理方法与上述第一实施方式相同。在第三实施方式中，如上所述，使用被加热至约70°C以上的混酸211，由此能够容易地、且在短时间内除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣。此外，与使用热浓硫酸11的情况相比，能够降低处理温度，因此能够提高处理时的安全性。在第三实施方式中，如上所述，只要使用被加热至约80°C以上的混酸211，就能够以更短时间除去附着在IC芯片4的ACF6的残渣。此外，只要使用被加热至约110°C以下或约95°C以下的混酸211，就能够将处理温度降得更低，因此能够进一步提高处理时的安全性。第三实施方式的其它效果与上述第一实施方式相同。另外，此次公开的实施方式应该被认为所有方面均为例示而不具有限制性。本发明的范围不由上述实施方式的说明而是由权利要求的范围表示，并进一步包括与权利要求的范围均等的意思和范围内的所有的变更。例如，在上述实施方式中，说明了对安装在液晶面板的IC芯片进行处理的情况，但是本发明并不仅限于此，在对安装在液晶面板以外的IC芯片(半导体元件)进行处理的情况下也适用。此外，在上述实施方式中，对使用Au形成半导体元件的电极(凸起电极)的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以使用Au以外的金属形成半导体元件的电极。在这种情况下，需要使用不溶解于热浓硫酸等的金属。此外，在上述实施方式中，对从IC芯片除去ACF的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以将ACP (各向异性导电膏)等ACF以外的各向异性导电粘接剂或其它粘接剂从IC芯片除去。此外，在上述实施方式中，对由石英玻璃形成收容浓硫酸(热浓硫酸或常温的浓硫酸)的容器和热浓硫酸槽的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，只要是不溶解于浓 硫酸(热浓硫酸或常温的浓硫酸)的材料的部件即可，也可以使用石英玻璃以外的部件形成容器和热浓硫酸槽。同样，处理装置的盖部件、盒式部件等也可以使用玻璃以外的部件形成。此外，在上述实施方式中，对进行将IC芯片浸溃于纯水的处理和向IC芯片吹送纯水的喷淋清洗处理双方的情况进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以省略将IC芯片浸溃于纯水的处理和向IC芯片吹送纯水的喷淋清洗处理中的任一种处理。此外，在上述实施方式中，对通过向IC芯片吹送暖风(或热风)使IC芯片干燥的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以利用IPA (异丙醇，isopropyl alcohol)汽化(蒸发)干燥来使IC芯片干燥。即，也可以将IC芯片浸溃于IPA之后，从IPA提起，利用IPA的蒸发使IC芯片干燥。此外，也可以使用丙酮使IC芯片干燥。具体而言，将IC芯片浸溃于丙酮进行超声波清洗。然后，也可以从丙酮中提起IC芯片而使其自然干燥。在这种情况下，也可以在处理装置设置能够进行超声波清洗的丙酮槽。此外，在上述第二实施方式中，对在热浓硫酸槽的周围设置有绝热部件的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以不在热浓硫酸槽的周围设置绝热部件。此外，在上述第二实施方式中，对为了对热浓硫酸加热而设置有投入式加热器的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以使用投入式加热器以外的加热器对热浓硫酸进行加热。此外，在上述第二实施方式中，对在将IC芯片浸溃于热浓硫酸的工序与对IC芯片进行水洗的工序之间仅设置将IC芯片浸溃于常温的稀硫酸的工序的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以在将IC芯片浸溃于热浓硫酸的工序与对IC芯片进行水洗的工序之间设置将IC芯片浸溃于常温的浓硫酸的工序和将IC芯片浸溃于常温的稀硫酸的工序的双方。在这种情况下，也可以如图22所示的本发明的第一变形例的IC芯片4的处理装置301那样，在热浓硫酸110与水洗槽130之间设置收容常温的浓硫酸21的浓硫酸槽320和收容常温的稀硫酸31的稀硫酸槽120即可。另外，在图22，为了简化图面，省略稀硫酸槽120。此外，在上述第二实施方式中，对将盖部件按照能够以旋转轴01为中心旋转的方式构成的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以如图23所示的本发明的第二变形例的IC芯片4的处理装置401那样，将盖部件421安装在输送机构150的轴部151。而且也可以将盖部件421构成为能够以轴部151 (中心轴02)为中心旋转。此外，在上述第二实施方式中，对以覆盖整个稀硫酸槽(稀硫酸)的方式设置盖部件的例子进行了说明，但是本发明并不仅限于此，也可以如图24所示的本发明的第三变形例的IC芯片的处理装置501那样，在盖部件521形成开口部521a。采用这样的结构，能够不使盖部件521旋转地使盒式部件140浸溃于稀硫酸31。附图标记的说明 4 IC芯片(半导体元件)
6 ACF (粘接剂)
10容器
11热浓硫酸(酸液)
21 浓硫酸(硫酸)
31 稀硫酸(硫酸)
101、301、401、501 处則裝A
110热浓硫酸槽(容器、第一槽)
111投入式加热器(加热器)
120稀硫酸槽(第二槽)
130水洗槽
140盒式部件(保持部件)
141上板(第一限制部)
142中板(第三限制部)
142a贯通孔
143下板(第二限制部)
211混酸(酸液)
320浓硫酸槽(第二槽)
权利要求
1.一种半导体元件处理方法，其特征在于 其是为了对半导体元件进行再使用而从所述半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理方法，包括 将附着有所述树脂制的粘接剂的所述半导体元件浸溃于至少含有浓硫酸的已被加热的酸液的工序； 将所述半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序；和 对所述半导体元件进行水洗的工序。
2.如权利要求I所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述酸液不含有硝酸且被加热至110°C以上。
3.如权利要求2所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述酸液被加热至120°C以上170°C以下。
4.如权利要求3所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述酸液被加热至130°C以上150°C以下。
5.如权利要求I所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述酸液含有浓硫酸和硝酸，且被加热至70°C以上。
6.如权利要求5所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述酸液被加热至80°C以上110°C以下。
7.如权利要求6所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述酸液被加热至80°C以上95°C以下。
8.如权利要求I 7中的任一项所述的半导体元件处理方法，其特征在于 将所述半导体元件浸溃于所述酸液60秒以上。
9.如权利要求8所述的半导体元件处理方法，其特征在于 将所述半导体元件浸溃于所述酸液90秒以上180秒以下。
10.如权利要求I 9中的任一项所述的半导体元件处理方法，其特征在于 将所述半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序包括将所述半导体元件浸溃于常温的稀硫酸的工序。
11.如权利要求I 9中的任一项所述的半导体元件处理方法，其特征在于 将所述半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序包括将所述半导体元件浸溃于常温的浓硫酸的工序。
12.如权利要求I 9中的任一项所述的半导体元件处理方法，其特征在于 将所述半导体元件浸溃于常温的硫酸的工序包括 将所述半导体元件浸溃于常温的浓硫酸的工序；和 将所述半导体元件浸溃于常温的稀硫酸的工序。
13.如权利要求I 12中的任一项所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述半导体元件的电极含有Au。
14.如权利要求I 13中的任一项所述的半导体元件处理方法，其特征在于 所述酸液被收容在玻璃制的容器中。
15.如权利要求I 14中的任一项所述的半导体元件处理方法，其特征在于 将所述半导体元件浸溃于所述酸液的工序，包括以将所述半导体元件浸溃于所述酸液的状态对所述酸液进行搅拌的工序。
16.一种半导体元件处理装置，其特征在于 其是为了对半导体元件进行再使用而从所述半导体元件除去树脂制的粘接剂的半导体元件处理装置，包括 收容至少含有浓硫酸的酸液的第一槽； 对所述酸液进行加热的加热器； 收容常温的硫酸的第二槽；和 用于对所述半导体元件进行水洗的水洗槽。
17.如权利要求16所述的半导体元件处理装置，其特征在于 所述第一槽收容不含硝酸的所述酸液， 所述加热器将所述酸液加热至110°C以上。
18.如权利要求16或17所述的半导体元件处理装置，其特征在于 所述第二槽包括收容常温的稀硫酸的稀硫酸槽。
19.如权利要求18所述的半导体元件处理装置，其特征在于 所述第二槽包括收容常温的浓硫酸的浓硫酸槽。
20.如权利要求16 19中的任一项所述的半导体元件处理装置，其特征在于 所述第一槽为玻璃制。
21.如权利要求16 20中的任一项所述的半导体元件处理装置，其特征在于 还包括保持部件，该保持部件保持所述半导体元件，并且与所述半导体元件一同浸溃于所述酸液和所述常温的硫酸。
22.如权利要求21所述的半导体元件处理装置，其特征在于 所述保持部件包括 限制所述半导体元件的一端一侧的活动的第一限制部； 限制所述半导体元件的另一端一侧的活动的第二限制部；和 第三限制部，该第三限制部配置在所述第一限制部与所述第二限制部之间，具有贯通孔并且限制所述半导体元件的中央部的活动，所述半导体元件插入该贯通孔。
23.如权利要求21或22所述的半导体元件处理装置，其特征在于 所述保持部件为玻璃制。
24.如权利要求16 23中的任一项所述的半导体元件处理装置，其特征在于 所述加热器是配置在所述第一槽的内部的投入式加热器。
全文摘要
本发明提供一种能够缩短处理时间并从半导体元件除去树脂制粘接剂的半导体元件处理方法。该IC芯片(4)的处理方法是为了对IC芯片进行再使用而从IC芯片除去ACF(6)的IC芯片的处理方法，包括将附着有ACF的IC芯片浸渍于热浓硫酸(11)的工序、将IC芯片浸渍于常温的浓硫酸(21)的工序、将IC芯片浸渍于常温的稀硫酸(31)的工序和对IC芯片进行水洗的工序。
文档编号H01L21/60GK102714166SQ201080061978
公开日2012年10月3日 申请日期2010年10月27日 优先权日2010年1月20日
发明者三保谷拓史 申请人:夏普株式会社