GaN基多孔DBR的制备方法与流程

技术特征：

1.一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；

步骤2：在氮化物外延结构的上表面沉积绝缘介质层；

步骤3：通过光刻、腐蚀在绝缘介质层的上表面的一侧形成电极窗口，同时在电极窗口以外区域形成凹槽；

步骤4：采用干法刻蚀技术向下刻蚀电极窗口形成电极台面，同时向下刻蚀凹槽以暴露氮化物外延结构的侧壁形成腐蚀凹槽；

步骤5：对暴露侧壁的氮化物外延结构进行电化学腐蚀，形成周期性的多孔DBR；

步骤6：利用湿法腐蚀去除绝缘介质层，完成制备。

2.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述衬底为蓝宝石、硅或碳化硅；所述缓冲层由依序生长的低温GaN形核层和非掺杂GaN层组成，可用作形核层的材料还包括AlN、ZnO或石墨烯。

3.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述交替堆叠的高掺杂层与非掺杂层为GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN材料。

4.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述氮化物外延结构中交替堆叠的n型高掺杂层高于n型GaN导电层的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述绝缘介质层的材料为SiO₂、SiN_x或光刻胶。

6.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述n型GaN导电层或者生长在多周期氮化物外延结构的上表面，这时只需形成腐蚀凹槽，暴露多周期氮化物外延结构的侧壁即可。

7.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述腐蚀凹槽或者通过直接对覆盖绝缘层的氮化物外延结构进行激光划槽获得。

8.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述电化学腐蚀的电解液为HNO₃、H₃PO₄、H₂SO₄、NaOH、KOH、NaNO₃、Na₂SO₄或NaCl溶液。

9.根据权利要求1所述GaN基多孔DBR的制备方法，其中所述多孔DBR为多孔氮化物层和非多孔层交替堆叠构成的多周期复合结构。