技术总结
一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构的上表面沉积绝缘介质层；步骤3：通过光刻、腐蚀在绝缘介质层的上表面的一侧形成电极窗口，同时在电极窗口以外区域形成凹槽；步骤4：采用干法刻蚀技术向下刻蚀电极窗口形成电极台面，同时向下刻蚀凹槽以暴露氮化物外延结构的侧壁形成腐蚀凹槽；步骤5：对暴露侧壁的氮化物外延结构进行电化学腐蚀，形成周期性的多孔DBR；步骤6：利用湿法腐蚀去除绝缘介质层，完成制备。
技术研发人员：杨超;刘磊;朱石超;赵丽霞
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
文档号码：201710222145
技术研发日：2017.04.06
技术公布日：2017.06.13