的源漏金属层49除去，从而形成分开的源极42和漏极41，得到如图7所示的结构。
[0083]S107、对光刻胶层8进行灰化，除去第二区域Q2的光刻胶层8，而在第三区域Q3保留部分光刻胶层8。
[0084]也就是说，再次通过灰化工艺将光刻胶层8减薄，其要减薄到第二区域Q2的光刻胶层8被完全除去，而第三区域Q3处还保留有一定厚度的光刻胶层8，从而得到如图8所示的结构。
[0085]S108、减薄第二区域Q2的源漏金属层49，形成减薄区411。
[0086]此时第二区域Q2 (减薄区411)的源漏金属层49暴露，从而可通过干法刻蚀工艺将其减薄并形成上述减薄区411，得到如图9所示的结构。其中，减薄所用的工艺气体、工艺参数等可由本领域技术人员根据需要调整。例如，当要减薄的对象是厚度数百微米的金属的漏极41时，可采用浓度99%的氯气作为工艺气体(其他可为氮气等保护气体)，刻蚀时间可在20秒至40秒，例如为30秒；按照以上的刻蚀参数，可将漏极41的减薄区411减薄1/3 至 1/2。
[0087]优选的，本步骤中，对减薄区411的不同区域进行不同程度的减薄，且越靠近漏极41 (第一结构)边缘的区域的减薄程度越大，从而其所形成的减薄区411分为多个子减薄区，即其可得到上述具有子减薄区的结构。
[0088]具体的，以上方式可通过将第二区域Q2的光刻胶层8再分为多个不同厚度实现。如此，则可先除去第二区域Q2中最薄的光刻胶层8，并使部分减薄区411暴露，并对其进行减薄；之后再将第二区域Q2中稍厚的光刻胶层8除去，使另一部分减薄区411暴露，并对其进行减薄(当然之前暴露的减薄区411也被进一步减薄)，这样即可在减薄区411的不同位置得到不同的减薄程度，即形成子减薄区。
[0089]当然，在要形成子减薄区时，还要注意对刻蚀参数进行调整。例如，最先暴露的子减薄区在之后的子减薄区的刻蚀中也会被逐渐刻蚀，故选择刻蚀参数时需要考虑到这点，但因为其具体实现是本领域技术人员可根据需要选择的，故在此不再详细描述。
[0090]S109、除去第三区域Q3的光刻胶层8。
[0091]即将最终剩余的光刻胶层8剥离，从而得到如图10所示的结构，其中包括具有减薄区411的漏极41。
[0092]S110、通过构图工艺形成包括像素电极5 (第二结构)的图形。
[0093]也就是说，通过常规方法继续形成像素电极5，该像素电极5具有覆盖在漏极41减薄区411上的搭接部51，以及位于减薄区411外的主体部52，得到如图11所示的结构(以搭接部51正好覆盖整个减薄区411为例)。
[0094]这样，当减薄区411分为多个子减薄区时，此时形成的搭接部51就可以覆盖多个子减薄区，从而更好地减少高度差的影响。
[0095]SI 11、可选的，继续形成平坦化层6、公共电极7。
[0096]也就是说，继续制备平坦化层6、公共电极7等其他的已知结构，从而得到如图2所示的结构的ADS模式的阵列基板。
[0097]当然，应当理解，以上的阵列基板的制备方法还可进行许多的变形。例如，薄膜晶体管也可为顶栅型，即可在形成有源区3之后再制备栅绝缘层2和栅极I (栅线)；再如，阵列基板可为TN模式，则其在形成像素电极5后就不再需要继续制备公共电极7 ;再如，源极42、漏极41也可不是与有源区3在一次构图工艺中形成的，即可先形成有源区3，之后再制备源极42、漏极41 (相应的，此时源极42、漏极41也不一定仅位于有源区3上)；再如，若有源区3是由金属氧化物半导体构成的，则其制备中还可包括形成刻蚀阻挡层(ESL)等其他的已知步骤。
[0098]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种显示基板，其特征在于，包括第一结构和第二结构；所述第二结构具有设于第一结构上的搭接部，以及位于第一结构外且与搭接部相连的主体部； 所述第一结构具有与其边缘相连减薄区，所述减薄区中第一结构的厚度小于减薄区外的第一结构的厚度； 所述搭接部至少部分位于所述减薄区上，且至少部分位于减薄区外的主体部直接与位于所述减薄区上的搭接部相连。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于， 所述显示基板为阵列基板，所述第一结构为薄膜晶体管的漏极，所述第二结构为像素电极。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于， 所述漏极完全设于有源区上。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于， 所述显示基板还包括基底，且所述第一结构与基底间的距离大于等于所述第二结构的主体部与基底间的距离。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于， 所述搭接部覆盖整个减薄区。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于， 所述减薄区被搭接部覆盖的部分包括多个子减薄区，越靠近第一结构边缘的子减薄区中的第一结构的厚度越小。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于， 所述减薄区中的第一结构的厚度在减薄区外的第一结构的厚度的1/2至2/3之间。
8.—种显示基板的制备方法，其特征在于，包括: 步骤1、形成第一结构，并将所述第一结构的部分区域减薄，形成与第一结构的边缘相邻的减薄区； 步骤2、形成第二结构，所述第二结构具有设于第一结构上的搭接部，以及位于第一结构外且与搭接部相连的主体部，所述搭接部至少部分位于所述减薄区上；且至少部分位于减薄区外的主体部直接与位于所述减薄区上的搭接部相连。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述步骤I中将所述第一结构的部分区域减薄包括: 用光刻胶覆盖对应第一结构的非减薄区的区域，通过干法刻蚀将未被光刻胶覆盖的第一结构减薄。
10.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于， 所述步骤I中，利用阶梯曝光在一次构图工艺中形成第一结构并将所述第一结构的部分区域减薄。
11.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于， 所述显示基板为阵列基板，所述第一结构为薄膜晶体管的漏极，所述第二结构为像素电极。
12.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于， 在所述步骤I中，还同时形成薄膜晶体管的有源区，所述漏极完全设于有源区上。
13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述步骤I包括: 依次在基底上形成半导体层、源漏金属层、光刻胶层； 对光刻胶层进行阶梯曝光并显影，在第一区域保留第一厚度的光刻胶层，第二区域保留第二厚度的光刻胶层，第三区域保留第三厚度的光刻胶层，其余区域不保留光刻胶层；其中，所述第一区域对应有源区用于在薄膜晶体管导通时导电的区域，第二区域至少对应漏极的减薄区，第三区域至少对应有源区中除第一区域和第二区域外的区域，且，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度； 除去无光刻胶覆盖的源漏金属层和半导体层，形成有源区； 对光刻胶层进行灰化，除去第一区域的光刻胶层，而在第二区域和第三区域保留部分光刻胶层； 除去第一区域的源漏金属层，形成源极、漏极； 对光刻胶层进行灰化，除去第二区域的光刻胶层，而在第三区域保留部分光刻胶层； 减薄第二区域的源漏金属层，形成减薄区； 除去第三区域的光刻胶层。
14.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于， 所述步骤I中对减薄区的不同区域进行不同程度的减薄，且越靠近第一结构边缘的区域的减薄程度越大，从而其所形成的减薄区分为多个子减薄区； 所述步骤2中所形成的搭接部覆盖多个所述子减薄区。
【专利摘要】本发明提供一种显示基板及其制备方法，属于显示基板技术领域，其可解决现有的阵列基板中像素电极容易在漏极边缘断裂的问题。本发明的显示基板包括第一结构和第二结构；所述第二结构具有设于第一结构上的搭接部，以及位于第一结构外且与搭接部相连的主体部；且所述第一结构具有与其边缘相连减薄区，所述减薄区中第一结构的厚度小于减薄区外的第一结构的厚度；所述搭接部至少部分位于所述减薄区上；且至少部分位于减薄区外的主体部直接与位于所述减薄区上的搭接部相连。
【IPC分类】H01L21-77, G02F1-136, H01L27-12
【公开号】CN104733473
【申请号】CN201510112481
【发明人】李田生
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月13日