板100T的情况大致同样。即，将包含多条第2配线22的第2金属层20形成于绝缘层70上(参照图12(a))。与第2配线22的形成一起也形成漏极电极21。接着，在绝缘层70上和第2金属层20上赋予绝缘性材料80R(参照图12(b))。接着，应用光刻进行绝缘性材料80R的固化和图案化，形成绝缘性保护层80 (参照图12 (c))。
[0104]接着，在绝缘性保护层80上利用溅射法等形成电极膜90B，在电极膜90B上赋予抗蚀剂92。而且，利用光刻进行抗蚀剂92的图案化(参照图13(a))。然后，利用湿式蚀刻将电极膜90B中没有被抗蚀剂92覆盖的部分除去(参照图13(b))。在湿式蚀刻后将抗蚀剂92除去，由此得到如图9所示的TFT基板100B。
[0105]在此，参照图14(a)?(C)更详细地说明在绝缘性保护层的边缘附近产生导电性残渣Res的原因。
[0106]图14(a)?(C)是表示图2(b)和(C)所示的TFT基板500的制造工序中的导电层形成的工序的示意图。如图14(a)?(c)所示，TFT基板500在绝缘层570的表面不具有台阶。
[0107]如图14(a)所示，在绝缘层570上形成有绝缘性保护层580。绝缘性保护层580覆盖绝缘层570的至少一部分。由此，在支撑绝缘层570、绝缘性保护层580的基板(未图示)上规定第I区域Rl和第2区域R2。
[0108]如例示TFT基板100T和TFT基板100B进行说明的那样，在绝缘性保护层580形成后，在绝缘性保护层580上形成电极膜590B。如图14(a)所示，该电极膜590B也形成于绝缘层570中没有被绝缘性保护层580覆盖的部分。在电极膜590B形成后，在电极膜590B上赋予抗蚀剂92。抗蚀剂92如图14(a)所示，被赋予到电极膜590B的整个面。在抗蚀剂92赋予后，利用光刻进行抗蚀剂92的图案化。
[0109]如图14(a)所示，在第I区域Rl与第2区域R2之间的边界附近(绝缘性保护层580的边缘附近)，与其它的部分相比抗蚀剂92厚(图14(a)中的箭头Tr)。特别是，当绝缘性保护层580厚到数微米程度时，在绝缘性保护层580的边缘附近，针对抗蚀剂92的曝光量容易不足。这样，因为在绝缘性保护层580的边缘附近曝光量容易不足，所以有时在绝缘性保护层580的边缘附近产生抗蚀剂残渣R92(参照图14(b))。当抗蚀剂残渣R92存在时，电极膜590B中被抗蚀剂残渣R92覆盖的部分不被蚀刻除去而残留(参照图14 (c))。这样，在绝缘性保护层580的边缘附近形成有导电性残渣Res。此外，绝缘性保护层580的边缘附近的电极膜590B与其它部分相比厚(图14(a)中的箭头Tc)。因此，即使是抗蚀剂残渣R92不存在的情况，也有时在绝缘性保护层580的边缘附近在蚀刻后残留有电极膜590B。
[0110]在上述的专利文献I?4中提出:通过抑制抗蚀剂残渣的产生来防止相互相邻的源极配线间的漏电路径的形成。但是，在专利文献I?4所公开的技术中，必须利用光刻来控制有机绝缘膜的形状，有时不能充分抑制抗蚀剂残渣的产生。与此相对，根据本发明的实施方式，因为绝缘层的表面在相互相邻的2条第2配线之间具有台阶，所以导电性残渣被台阶切断。因此，即使是导电性残渣存在的情况，也能抑制第2配线间的漏电路径的形成。而且，根据本发明的实施方式，绝缘层的表面的台阶通过在第I金属膜形成时预先形成岛状部而形成。因此，能在不使现有的工序复杂的情况下抑制漏电路径的形成。
[0111]以下参照图15?图22说明本发明的其它实施方式。
[0112]图15(a)和(b)是表示本发明的其它实施方式的TFT基板200d的示意图。图15(a)相当于TFT基板200d的俯视图，图15(b)相当于沿着图15(a)的V —V’线将TFT基板200d切断时的截面图。
[0113]在TFT基板200d中，在绝缘性保护层80的边缘附近，以多个岛状部14分别和多条第2配线22重叠的方式配置。S卩，如图15(b)所示，各第2配线22形成于凸部70C的顶面上。
[0114]在上述的TFT基板100T中，凸部70C形成于2条第2配线之间(参照例如图1(c))。换言之，岛状部14配置于2条第2配线之间。但是，如图15(a)和(b)所示，凸部70C也可以形成于与第2配线22重叠的位置。在该情况下，位于2条第2配线之间的台阶的数量为2。这样，如果在2条第2配线之间形成有台阶，则可利用台阶切断导电性残渣。
[0115]图16(a)和(b)是表示本发明的其它实施方式的TFT基板300d的示意图。图16 (a)相当于TFT基板300d的俯视图，图16 (b)相当于沿着图16 (a)的V — V’线将TFT基板300d切断时的截面图。
[0116]TFT基板300d在以岛状部14和第2配线22重叠的方式配置的方面与图15(a)和(b)所示的TFT基板200d相同。TFT基板300d在岛状部14相对于多条第2配线22每隔I条地配置的方面与TFT基板200d不同。如上所述，如果在2条第2配线之间形成有台阶，则可利用台阶切断导电性残渣。因此，凸部70C只要形成于与2条第2配线中的至少一方重叠的位置即可。即，只要在与2条第2配线中的至少一方重叠的位置配置岛状部14即可。
[0117]图17(a)是本发明的其它实施方式的TFT基板10f的示意性截面图。在图17(a)所示的例子中，在栅极绝缘膜60上配置有下部配线16。下部配线16在将多条第I配线12形成于基板30上的工序中形成。S卩，第I金属层10也可以还具有下部配线16。下部配线16可以是与辅助电容配线18连接的配线。或者，下部配线16也可以是第I配线12的一部分。下部配线16例如在图17的X方向(纸面的垂直方向)延伸，可与驱动电路等周边电路连接。在TFT基板10f中，下部配线16和第2配线22经由设于绝缘层70的接触孔电连接。这样，也可以在栅极绝缘膜上形成下部配线16，下部配线16与配置于绝缘层70上的第2配线22连接。
[0118]图17(b)是本发明的其它实施方式的TFT基板10e的示意性俯视图。沿着图17(b)的V — V’线将TFT基板10e切断时的截面构成与图1(c)所示的构成大致同样，所以省略图示。
[0119]也可以如图17(b)所示将岛状部14延长而将岛状部14和第I配线12(未图示)连接。在该情况下，岛状部14可与多条第I配线12中对应的第I配线电连接。也可以取代将岛状部14延长而将第I配线12延长到第2区域R2，在绝缘层70的表面70S形成台阶。也可以将岛状部14和辅助电容配线18 (未图示)连接。
[0120]图18 (a)和(b)分别是本发明的其它实施方式的TFT基板200e和TFT基板300e的示意性俯视图。沿着图18 (a)的V — V’线将TFT基板200e切断时的截面构成和沿着图18(b)的V — V’线将TFT基板300e切断时的截面构成分别与图15(b)和图16(b)所示的构成大致同样，所以省略图示。
[0121]图18(a)和(b)表示岛状部14延长、岛状部14和第I配线12(未图示)连接的状态。在该情况下，也可以如图18(a)所示，以多个岛状部14分别和多条第2配线22重叠的方式配置。另外，也可以如图18 (b)所示，岛状部14相对于多条第2配线22每隔I条地配置。
[0122]图19(a)是表示本发明的另一其它实施方式的TFT基板300a的俯视图。TFT基板300a是栅极驱动电路、源极驱动电路在基板上一体形成的具有所谓的单片结构的TFT基板。在图19(a)所示的例子中，在矩形的显示区域Rd的3边配置有2个栅极驱动电路314和I个源极驱动电路316。另外，在图19(a)所示的例子中，栅极驱动电路314和源极驱动电路316被绝缘性保护层80覆盖。从栅极驱动电路314和源极驱动电路316引出的配线组与例如配置于第2区域R2的控制器312连接。控制器312是例如定时控制器。在控制器312上连接着用于与外部电路连接的端子320。此外，在本说明书中，有时将栅极驱动电路314、源极驱动电路316、控制器312等统一称为驱动电路310。
[0123]此外，控制器312也可以是分立部件，而且也可以是在基板上一体形成的电路。栅极驱动电路314、源极驱动电路316中的任一方或者双方也可以是分立部件。另外，控制器312也可以配置于第I区域Rl。S卩，控制器312也可以不被绝缘性保护层80覆盖。栅极驱动电路314、源极驱动电路316中的任一方或者双方也可以配置于第2区域R2。这样，驱动电路310的配置是任意的。例如，栅极驱动电路314和源极驱动电路316可集中在与矩形的显示区域Rd的I边对应的位置。
[0124]图19(b)是图19(a)的局部放大图。在TFT基板300a中，配置于绝缘层70上的多条第2配线22中的一部分跨第I区域Rl和第2区域R2的边界(绝缘性保护层80的边缘)与控制器312连接。在图19(b)所示的例子中，从第I区域Rl朝向第2区域R2平行引出的多条第2配线22每隔I条地与控制器312直接连接。在本说明书中，有时将跨绝缘性保护层80的边缘的第2配线22与驱动电路连接的方式称为“直接连接”。此外，并不排除跨绝缘性保护层80的边缘的第2配线22在第I区域Rl和/或第2区域R2中经由第I金属层10等其它导电层与驱动电路连接的方式。
[0125]图20(a)是图19(b)中虚线所示的M部的放大图。在图20(a)中，放大表示与控制器312直接连接的第2配线22的一部分。图20 (b)是沿着图20 (a)的U — U’线将TFT基板300a切断时的截面图。图20 (b)所示的TFT6是例如栅