极驱动电路314所包含的驱动TFT。
[0126]如图20(a)所示，在第I区域Rl和第2区域R2的边界附近，也可以不经由配置于绝缘层70的下侧的第I金属层10而将第2配线22和控制器312 (驱动电路310)直接连接。由此，能减小配线电阻。
[0127]在此，参照图21(a)?(C)，说明不经由第I金属层10等其它导电层而将第2配线22和驱动电路310直接连接从而能减小配线电阻的原因。
[0128]图21 (a)作为比较表示出在第I区域Rl和第2区域R2的边界附近第2配线22和驱动电路310经由第I金属层10连接的TFT基板600。图21 (b)是图21 (a)中虚线所示的M部的放大图。图21 (c)是沿着图21 (b)的U — U’线将TFT基板600切断时的截面图。在图21(a)?(c)所示的比较例中，位于第I区域Rl的第2配线622在第I区域Rl和第2区域R2的边界处经由连接部Cl、岛状部14以及连接部c2与位于第2区域R2的第2配线622连接。
[0129]—般而言，具有第2配线的第2金属层20由例如包含Al的金属材料形成，其片电阻为0.1 Ω / □程度。与此相对，具有岛状部的第I金属层10由例如Mo、W等形成。此时，第I金属层10的片电阻为0.5 Ω / □程度，比第2金属层20的片电阻高。因此，当在第I区域Rl和第2区域R2的边界附近经由第I金属层10时，与将第2配线和驱动电路310直接连接的情况比较配线电阻变高。另外，也产生连接部Cl以及连接部c2与岛状部14之间的接触电阻。
[0130]因此，如图19 (b)所示，由于不经由第I金属层10而将第2配线22和驱动电路310直接连接，从而能减小配线电阻。在该情况下，如图20(b)所示，也可以利用例如连接部Cl和连接部c2将第2配线22和岛状部14连接，使得第2配线22的电位和岛状部14的电位相等。
[0131]此外，在图19(b)所示的例子中，多条第2配线22中没有与控制器312 (驱动电路310)直接连接的配线经由跨第I区域Rl和第2区域R2的边界配置的岛状部14 (第I金属层10)与驱动电路310连接。当然，也可以使从第I区域Rl朝向第2区域R2相互平行引出的多条第2配线22全部与驱动电路310直接连接。由此，能更加减小作为半导体装置整体的配线电阻。
[0132]图22(a)是表示本发明的另一其它实施方式的TFT基板300b的俯视图。图22(b)是图22(a)中虚线所示的M部的放大图。在图22(b)中，放大表示相互相邻的2条第2配线22a和第2配线22b。图22 (c)是沿着图22 (b)的U — U’线将TFT基板300b切断时的截面图。
[0133]在图22(a)?(C)所示的例子中，在第I区域Rl和第2区域R2的边界附近，相互相邻的2条第2配线22a和第2配线22b中的第2配线22a不经由配置于绝缘层70的下侧的第I金属层10地与驱动电路310直接连接。与此相对，第2配线22b经由配置于绝缘层70的下侧的第I金属层10与驱动电路310连接。在图22(a)?(c)所示的例子中，与第2配线22b连接的岛状部14是曲折的形状，以其一部分与第2配线22a重叠的方式形成。这样，与相互相邻的2条第2配线中的一方连接的岛状部也可以具有与另一方重叠的形状。该情况也与TFT基板300a的情况同样，可得到减小配线电阻的效果。
[0134]在图22(a)?(C)的例子中，表示了与相互相邻的2条第2配线中的一方连接的岛状部具有与另一方重叠的形状的构成。但是，与相互不相邻的2条第2配线中的一方连接的岛状部也可以具有与另一方重叠的形状。以与任意的第2配线重叠的方式配置的岛状部(第I金属层)也可以是没有与其它的第2配线连接的配线。
[0135]根据本发明的实施方式，在包含第I区域Rl与第2区域R2之间的边界的截面中，绝缘层70的绝缘性保护层80侧的表面在相互相邻的2条第2配线22之间具有台阶。因此，可抑制相互相邻的2条第2配线22之间的漏电路径的形成。因此，不必为了防止第2配线22间的短路而在第I区域Rl和第2区域R2的边界附近经由第I金属层10将第2配线22和驱动电路310连接。由此，能减小作为半导体装置整体的配线电阻。而且，也能将第I区域Rl和第2区域R2的边界附近的多条第2配线22的间隔构成得小。
[0136]以上作为半导体装置例示了用于液晶显示装置的TFT基板。但是，半导体装置也可以是用于液晶显示装置以外的显示装置的TFT基板。半导体装置也可以是例如用于有机EL (electroluminescence:电致发光)显示装置、电泳显示装置等显示装置的TFT基板。
[0137]工业h的可利用件
[0138]本发明的实施方式能广泛应用于有源矩阵基板、显示装置等。特别是，能适当用于具有尚精细的像素的显不装置。
[0139]附图标iP,说曰月
[0140]100T、100B TFT基板(半导体装置)
[0141]10第I金属层
[0142]12第I配线
[0143]14岛状部
[0144]20第2金属层
[0145]22第2配线
[0146]30 基板
[0147]50半导体层
[0148]70绝缘层
[0149]80绝缘性保护层
[0150]90导电层
[0151]310驱动电路
【主权项】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备: 基板； 第I金属层，其被上述基板支撑，包含多条第I配线； 绝缘层，其形成于上述第I金属层上； 第2金属层，其形成于上述绝缘层上，包含多条第2配线； 绝缘性保护层，其覆盖上述多条第2配线各自的一部分，在上述基板上规定形成有上述绝缘性保护层的第I区域和没有形成上述绝缘性保护层的第2区域；以及导电层，其形成于上述绝缘性保护层上， 在包含上述第I区域与上述第2区域之间的边界的截面中，上述绝缘层的上述绝缘性保护层侧的表面在相互相邻的2条第2配线之间具有台阶。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述表面包含朝向上述绝缘性保护层侧突出的部分。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上述突出的部分形成于与上述2条第2配线中的至少一方重叠的位置。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，位于上述2条第2配线之间的台阶的数量为I。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上述突出的部分形成于上述2条第2配线之间。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中， 上述第I金属层包含跨上述第I区域和上述第2区域的岛状部， 上述台阶具有反映出上述截面中的上述岛状部的轮廓的形状。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中， 还具备被上述基板支撑的多个开关元件， 上述多个开关元件各自具有半导体层，上述半导体层包含第I接触区域、第2接触区域以及配置于上述第I接触区域与上述第2接触区域之间的沟道区域， 上述多条第I配线各自以与上述多个开关元件中的对应的开关元件的上述沟道区域重叠的方式配置， 上述岛状部与上述多条第I配线中的对应的第I配线电连接。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体装置，其中， 还具备配置于上述第2区域的驱动电路， 上述多条第2配线包含与上述驱动电路直接连接的第2配线。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其中，上述绝缘性保护层是包含有机绝缘性材料的层。10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含: 工序(a)，在基板上形成包含多个岛状部和多条第I配线的第I金属层； 工序(b)，形成覆盖上述第I金属层的绝缘层； 工序(c)，在上述绝缘层上形成包含多条第2配线的第2金属层； 工序(d)，将绝缘性材料赋予到上述绝缘层上和上述第2金属层上； 工序(e)，将上述绝缘性材料固化后进行图案化，由此形成覆盖上述多条第2配线各自的一部分、且与上述多个岛状部各自的一部分有重叠的绝缘性保护层；以及 工序(f)，在上述绝缘性保护层上形成导电层， 上述工序(b)包含在上述绝缘层的表面形成反映上述多个岛状部的形状的台阶的工序。11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，在上述工序(d)中，将液体状的绝缘性材料赋予到上述绝缘层上和上述第2金属层上。12.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其中，在上述工序(d)中，将有机绝缘性材料赋予到上述绝缘层上和上述第2金属层上。
【专利摘要】半导体装置(100T、100B)具备：基板(30)；第1金属层(10)，其被基板(30)支撑，包含多条第1配线(12)；绝缘层(70)，其形成于第1金属层(10)上；第2金属层(20)，其形成于绝缘层(70)上，包含多条第2配线(22)；绝缘性保护层(80)，其覆盖多条第2配线(22)各自的一部分；以及导电层(90)，其形成于绝缘性保护层(80)上。在包含形成有绝缘性保护层(80)的第1区域(R1)与没有形成绝缘性保护层(80)的第2区域(R2)之间的边界的截面中，绝缘层(70)的绝缘性保护层(80)侧的表面在相互相邻的2条第2配线之间具有台阶。
【IPC分类】H01L29/786, H01L21/336, H01L21/768, H01L21/3205, H01L23/522, H01L23/532
【公开号】CN105144364
【申请号】CN201480023469
【发明人】古川博章
【申请人】夏普株式会社
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年3月4日
【公告号】WO2014174902A1