示，半导体衬底30的侧壁具有两个圆弧段Hl和H2，其中，圆弧段Hl靠近半导体衬底30的正面，圆弧段H2靠近半导体衬底30的背面。当然，所述圆弧段的数量并不局限于2个，还可以是3个、4个或更多，可以根据倒角所使用的模具而定。但应认识到，圆弧段的数量越多，倒角工艺越为复杂，因此较佳方案是侧壁具有2个圆弧段。
[0039]如图5所示，所述半导体衬底30侧壁的两个圆弧段Hl和H2呈阶梯状的分布，这样有利于使整个半导体衬底的侧壁受力均匀。优选的，圆弧段Hl的切线与半导体衬底30正面的夹角为Θ 1，圆弧段H2在半导体衬底中心线以上部分的切线与半导体衬底30正面的夹角为Θ2，其中，Θ1和Θ 2相同，如此，后续在半导体衬底30上形成器件的过程中，机台夹持所述半导体衬底30时不容易碎片。更优选的，Θ I和Θ 2均在11?30度之间。经实验证明，采用上述弧度的侧壁衬底力量分布更为均匀，效果更好。
[0040]如图6所示，靠近半导体衬底30正面的圆弧段Hl的高度a大于减薄后的半导体衬底的厚度e，这样可以保证减薄后的半导体衬底的侧壁落在圆弧段Hl内，进而保证减薄后的半导体衬底的侧壁都是圆弧形貌，利用该圆弧形貌充分释放应力。本实施例中，半导体衬底30侧壁的总横向宽度为d，其中，圆弧段Hl的横向宽度为b，圆弧段Hl的边沿到半导体衬底30侧壁的边沿的距离为C，其中，c例如在50 μ m?Imm之间。
[0041]结合图7所示，接着，执行步骤S12，对半导体衬底30的正面进行氧化、刻蚀、注入、退火、布线等工序，从而在半导体衬底30的正面上形成器件结构31。所述器件结构31例如是功率M0SFET、大功率晶体管、IGBT和MEMS等。其中，氧化、刻蚀、注入、退火、布线等工序为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
[0042]结合图8?9所示，最后，执行步骤S13，对半导体衬底30的背面进行减薄，从而形成侧壁具有圆弧形貌的超薄硅片，在此将减薄后的半导体衬底记为32，减薄后的半导体衬底32的厚度e按产品的需求来定。
[0043]图9所示为图8中C区域的放大示意图，其中减薄后的半导体衬底32的厚度e例如为30 μπι?200 μπι。由于减薄后的半导体衬底32的厚度e小于减薄前半导体衬底30的圆弧段Hl的高度a，因而减薄后的半导体衬底32的侧壁均为圆弧形貌。由于减薄后的半导体衬底32边缘为圆弧状，即便与设备接触或碰撞，不易出现硅片边缘缺口、裂缝、崩边甚至碎片等异常。
[0044]以上与半导体衬底为硅衬底为例详细说明了本发明的减薄方法，所述的减薄方法运用于功率MOSFET、大功率晶体管、IGBT和MEMS等产品中。可以理解的是，所述半导体衬底还可以是其他类型的衬底，并且还可以运用于其他半导体器件的生产过程中。
[0045]综上所述，由于减薄前半导体衬底侧壁具有多个圆弧段，并且对所述半导体衬底的背面进行减薄后其侧壁仍为圆弧形貌，该具有圆弧形貌的半导体衬底在器件结构制作过程中以及减薄后进行封装过程中，与设备接触或者传片时都不易发生缺口、裂缝、崩边甚至碎片等异常，有利于提尚广品良率，降低生广风险。
[0046]上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【主权项】
1.一种半导体衬底减薄方法，其特征在于，包括: 提供一半导体衬底，所述半导体衬底侧壁具有多个圆弧段； 在所述半导体衬底上形成器件结构；以及 对所述半导体衬底的背面进行减薄，减薄后的半导体衬底的侧壁为圆弧形貌。2.如权利要求1所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，减薄后的半导体衬底的厚度小于最靠近半导体衬底正面的圆弧段的高度。3.如权利要求1所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，所述半导体衬底侧壁的多个圆弧段呈阶梯状分布。4.如权利要求1或3所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，所述半导体衬底侧壁具有两个圆弧段。5.如权利要求4所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，所述两个圆弧段中，一个圆弧段的切线与所述半导体衬底正面的夹角为Θ 1，另一个圆弧段在所述半导体衬底中心线以上部分的切线与半导体衬底正面的夹角为Θ2，其中，Θ1和Θ 2均在11?30度之间。6.如权利要求5所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，所述ΘI和Θ 2相同。7.如权利要求3所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，最靠近半导体衬底正面的圆弧段的边沿与所述半导体衬底的侧壁边沿的距离在50 μπι?Imm之间。8.如权利要求1所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，减薄后的半导体衬底的厚度为 10 μπι ?200 μπ?ο9.如权利要求1所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，所述半导体衬底侧壁的多个圆弧段通过倒角工艺形成。10.如权利要求1所述的半导体衬底减薄方法，其特征在于，所述器件结构是功率MOSFET、大功率晶体管、IGBT或MEMS。11.一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底侧壁具有多个圆弧段。12.如权利要求11所述的半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底侧壁的多个圆弧段呈阶梯状分布。13.如权利要求11或12所述的半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底侧壁具有两个圆弧段。14.如权利要求13所述的半导体衬底，其特征在于，所述两个圆弧段中，一个圆弧段的切线与所述半导体衬底正面的夹角为Θ 1，另一个圆弧段在所述半导体衬底中心线以上部分的切线与半导体衬底正面的夹角为Θ2，其中，Θ1和Θ 2均在11?30度之间。15.如权利要求14所述的半导体衬底，其特征在于，所述Θ1和Θ2相同。16.如权利要求12所述的半导体衬底，其特征在于，最靠近半导体衬底正面的圆弧段的边沿与所述半导体衬底的侧壁边沿的距离在50 μπι?Imm之间。
【专利摘要】本发明提供了一种半导体衬底及其减薄方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底侧壁具有多个圆弧段；在所述半导体衬底上形成器件结构；以及对所述半导体衬底的背面进行减薄，减薄后的半导体衬底的侧壁为圆弧形貌。具有圆弧形貌的半导体衬底在器件结构制作过程中以及减薄后进行封装过程中，与设备接触或者传片时不易发生缺口、裂缝、崩边甚至碎片等异常，提高了产品良率。
【IPC分类】H01L21/304, H01L29/06
【公开号】CN105161521
【申请号】CN201510627506
【发明人】杨彦涛, 向璐, 刘翔宇, 袁媛, 余龙
【申请人】杭州士兰集成电路有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月28日