铝纳米孔基底上合成了 CuCl2纳米花状薄膜，该纳米花薄膜接触角小于5°，为超亲水材料。
[0047]实施例2:
[0048]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，包括以下步骤:
[0049]步骤1:采用二次阳极氧化法，对高纯度(99.99% )的金属铝薄膜，利用浓度为0.3mol/L的草酸溶液，温度5°C，电压40V，氧化3h，制备有序规则结构的氧化铝模板，有序规则结构为阵列式分布的纳米孔；
[0050]步骤2:以有序规则结构的具有阵列式分布的纳米孔结构的氧化铝模板为基底，在其上表面沉滴浓度为20mg/L的CuCl2溶液。
[0051]步骤3:封闭样品，在10°C密闭环境中保存280h，通过自组织得到基于氧化铝基底的CuCIjft米薄膜材料。该基于氧化招基底的CuCl 2纳米薄膜材料的面积任意，形貌可控。表征结果与实施例1相同。
[0052]实施例3:
[0053]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，包括以下步骤:
[0054]步骤1:采用二次阳极氧化法，对高纯度(99.99% )的金属铝薄膜，利用浓度为0.3mol/L的草酸溶液，温度5°C，电压40V，氧化3h，制备有序规则结构的氧化铝模板，有序规则结构为阵列式分布的纳米孔；
[0055]步骤2:以有序规则结构的具有阵列式分布的纳米孔结构的氧化铝模板为基底，在其上表面沉滴浓度为100mg/L的CuCl2溶液。
[0056]步骤3:封闭样品，在35°C密闭环境中保存150h，通过自组织得到基于氧化铝基底的CuCIjft米薄膜材料。该基于氧化招基底的CuCl 2纳米薄膜材料的面积任意，形貌可控。表征结果与实施例1相同。
[0057]实施例4:
[0058]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，其它过程与实施例1相同，区别仅仅在于，
[0059]在步骤I之前，采用磁控溅射方法，在抛光的硅片表面蒸镀一层铝薄膜；厚度:10nm ?2000nm。
[0060]然后将该带铝薄膜的硅片按照步骤I至3的过程进行处理，最终得到基于硅基底的CuCIjft米薄膜材料。
[0061]实施例5:
[0062]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，其它过程与实施例1相同，区别仅仅在于，在步骤I之前，采用热蒸镀方法，在导电玻璃氧化铟锡ITO表面蒸镀一层招薄膜，厚度:10nm?2000nm。
[0063]然后将该带硅片的铝薄膜按照步骤I至3的过程进行处理，最终得到基于ITO基底的cuci2m米薄膜材料。
[0064]实施例6:
[0065]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，其它过程与实施例1相同，区别仅仅在于，在步骤I之后，采用旋涂法，以具有阵列式分布的纳米孔结构的氧化铝为模板制备出PMMA纳米柱阵列，然后以PMMA纳米柱阵列为基底，按照步骤2和3的过程进行处理，最终得到基于PMMA基底的&1(:12纳米薄膜材料。
[0066]实施例7:
[0067]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，其它过程与实施例1相同，区别仅仅在于，基底为利用纳米压印的方法制备出的PC、PS、PDMS等聚合物材料的纳米柱/孔阵列，按照步骤2和3的过程进行处理，最终得到基于PMMA基底的CuCIjfi米薄膜材料。
[0068]实施例8至12:
[0069]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，其它过程与实施例1相同，区别仅仅在于，所述的金属氯化物水溶液分别为CdCl2溶液、SnCl 2溶液、FeCl 3溶液或TiCl4溶液，通过步骤I至3的方法最终自组织得到基于氧化铝基底的CdCl 2、SnCl2, FeCl3或11(:14纳米薄膜材料。
[0070]实施例13:
[0071]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，包括以下步骤:
[0072]步骤1:采用二次阳极氧化法，对高纯度(99.99% )的金属铝薄膜，利用浓度为0.3mol/L的草酸溶液，温度5°C，电压40V，氧化3h，制备有序规则结构的氧化铝模板，有序规则结构为阵列式分布的纳米孔；
[0073]步骤2:以有序规则结构的具有阵列式分布的纳米孔结构的氧化铝模板为基底，在其上表面沉滴浓度为1mM的ZnCl2溶液。
[0074]步骤3:封闭样品，在20°C密闭环境中保存240h，通过自组织得到基于氧化铝基底的CuCIjft米薄膜材料。该基于氧化招基底的ZnCl 2纳米薄膜材料的面积任意，形貌可控。表征结果如图5至图7所不。
[0075]实施例14:
[0076]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，包括以下步骤:
[0077]步骤1:采用二次阳极氧化法，对高纯度(99.99% )的金属铝薄膜，利用浓度为0.3mol/L的草酸溶液，温度5°C，电压40V，氧化3h，制备有序规则结构的氧化铝模板，有序规则结构为阵列式分布的纳米孔；
[0078]步骤2:以有序规则结构的具有阵列式分布的纳米孔结构的氧化铝模板为基底，在其上表面沉滴浓度为5mM的ZnCl2溶液。
[0079]步骤3:封闭样品，在35°C密闭环境中保存150h，通过自组织得到基于氧化铝基底的CuCIjft米薄膜材料。该基于氧化招基底的ZnCl 2纳米薄膜材料的面积任意，形貌可控。
[0080]实施例15:
[0081]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，包括以下步骤:
[0082]步骤1:采用二次阳极氧化法，对高纯度(99.99% )的金属铝薄膜，利用浓度为0.3mol/L的草酸溶液，温度5°C，电压40V，氧化3h，制备有序规则结构的氧化铝模板，有序规则结构为阵列式分布的纳米孔；
[0083]步骤2:以有序规则结构的具有阵列式分布的纳米孔结构的氧化铝模板为基底，在其上表面沉滴浓度为ImM的ZnCl2溶液。
[0084]步骤3:封闭样品，在10°C密闭环境中保存280h，通过自组织得到基于氧化铝基底的CuCIjft米薄膜材料。该基于氧化招基底的ZnCl 2纳米薄膜材料的面积任意，形貌可控。表征结果如图5至图7所不。
[0085]实施例16至19:
[0086]本实施例给出一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，其它过程实施例16与实施例4相同，实施例17与实施例5相同，实施例18与实施例6相同，实施例19与实施例7相同，区别仅仅在于，所述的金属氯化物水溶液均为1mM的ZnCl2溶液，通过步骤I至3的方法最终自组织得到基于各种对应基底的ZnCIjfi米薄膜材料。
【主权项】
1.一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于:该方法采用的基底为有序规则结构的基底，在基底上沉滴金属氯化物水溶液，在常温密封或半密封的保存条件下得到纳米薄膜材料。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述的有序规则结构为阵列式分布的纳米孔或阵列式分布的纳米柱。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述的阵列式分布的纳米孔结构的基底为氧化铝、镀氧化铝膜的硅片或镀氧化铝膜的ITO;所述的阵列式分布的纳米柱结构的基底为 PMMA、PC、PS 或 PDMS。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于:所述的阵列式分布的纳米孔结构的基底通过二次阳极氧化法合成。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述的金属氯化物水溶液为CuCl2溶液、CdCl2溶液、ZnCl 2溶液、SnCl 2溶液、FeCl 3溶液或TiCl 4溶液。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于:所述的金属氯化物水溶液为CuCl2溶液、CdCl2溶液、ZnCl 2溶液、SnCl 2溶液、FeCl 3溶液或TiCl 4溶液时，金属氯化物水溶液的浓度范围为 20mg/L ?100mg/L。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于:所述的金属氯化物水溶液为ZnCl2溶液时，金属氯化物水溶液的浓度范围为ImM?10mM。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述的密封或半密封保存时间在常温环境下不小于150小时。
【专利摘要】本发明提供了一种金属氯化物纳米薄膜材料的制备方法，该方法以有序规则结构的基底，在基底上沉滴金属氯化物水溶液，在常温密封或半密封的保存条件下得到纳米薄膜材料。本发明制备的纳米薄膜材料物理化学性能稳定，制备方法简单，不用高温焙烧即可得到纳米花形貌的薄膜材料，适宜大批量、大面积生产，可为科学研究以及工农业应用提供一种有效的批量化制备新途径。
【IPC分类】C01G3/05, B82Y30/00, C03C17/34, C01G9/04, C08J7/04
【公开号】CN105110361
【申请号】CN201510458467
【发明人】王凯歌, 任军营, 武建国, 魏洪铎, 张琛, 孙聃, 白晋涛
【申请人】西北大学
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年7月30日