[0280] 表3:使用的EML材料
[0281]
[0282] 在真空室中通过热蒸发沉积施加空穴阻挡层和电子传输层的材料。例如，电子传 输层可W由多于一种材料组成，所述材料通过共蒸发W特定的体积比例添加至彼此。W如 ETM1:ETM2(50%:50%)的运种形式给出的细节在此是指ETM1和ETM2材料各自W50体积％ 的比例存在于层中。在本情况中使用的材料示于表4中。
[0283] 表4:使用的皿L和ETL材料
[0284]
[0285] 通过lOOnm侣层的热蒸发形成阴极。W标准方式表征化抓。为了运一目的，确定电 致发光光谱、呈现Lambertian福射特性的电流-电压-亮度特性（I化特性)和（工作）寿命。 HJL特性用于确定在特定亮度下的参数如工作电压（WV计量)和外量子效率（W %计量）。在 lOOOcd/m2的亮度下测定电致发光光谱，并且从其计算CIE 1931X和y颜色坐标。在8000cd/m2下的LD80是在给定8000cd/m2的起始亮度时，0LED下降至起始强度的80%，即下降至 6400cd/m2的寿命。相应地，在lOOOOcd/m2下的LD80是给定10000cd/m2的起始亮度时，0LED下 降至起始强度的80%，即下降至8000cd/m2的寿命。
[0286] 在表5中示出了具有由50%的TMM-A、35 %的TMM-B和15 %的渗杂剂D (根据表1)构 成的EML的0L抓的数据。在运种情况下，ETM-1被用作皿L并且ETM1 :ETM2(50% :50% )被用作 ETL。发现本发明的络合物不仅具有更低的颜色坐标，如已经从光致发光所预期的，另外还 具有伴随可比寿命的提高的外量子效率。
[0287] 表5:利用50 %的TMM-A、35 %的TMM-B和15 %的渗杂剂D型的EML混合物溶液加工的 0LED的结果
[028引
[0289] 在表6中示出具有由30 %的TMM-A、34 %的TMM-B、30 %的共渗杂剂C和6 %的渗杂剂 D(根据表1)构成的EML的0L抓的数据。在运种情况下，ETM-1被用作HBL并且ETM1:ETM2 (50% :50%)被用作ETL。发现本发明的络合物通常比相应的参比络合物具有更低的颜色坐 标和更高的外量子效率。
[0290] 表6:利用30 %的TMM-A、34 %的TMM-B、30 %的共渗杂剂C和6 %的渗杂剂D型的EML 混合物溶液加工的0L邸的结果
[0291]
[0292] 在表7中示出具有由20%的TMM-A、50%的TMM-B和30%的渗杂剂D(根据表1)构成 的EML的0L抓的数据。在运种情况下，ETM-1被用作皿L并且ETM1:ETM2(50%:50%)被用作 ETL。发现本发明的络合物比参比络合物具有更高的外量子效率。
[0293] 表7:利用20 %的TMM-A、50 %的TMM-B和30 %的渗杂剂D型的EML混合物溶液加工的 0LED的结果
[0294]
【主权项】
1.式(1)的化合物 Μ化)η化'）m式（1) 其中通式(1)的化合物含有式(2)或式(3)的子结构M(L)n:其中A在每种情况下相同或不同并且是下式(A)的基团：其中在式(A)中的虚线表示该基团的连接的位置并且使用的其它符号和标记如下： Μ是选自银、锭、销和钮的金属； X在每种情况下相同或不同并且是CRi或Ν; Q在每种情况下相同或不同并且是RiC = CRi、RiC = N、0、S、Se或NRi; V在每种情况下相同或不同并且是0, S，Se或NRi; Y在每种情况下相同或不同并且是单键或选自"1?1)2，"=0)，0,5，麻和81?1的二价基 团； R1 在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，N〇2，Si(R2)3，B(OR 2)2，C (=0地，口（=0)(护)2,5(=0)护，5(=0)2护，0502护，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基 或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的直链締基或烘基基团或者具有3至40个碳原 子的支链或环状的烷基、締基、烘基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一 个或多个R2基团取代，其中一个或多个非相邻C出基团可被R2C = CR2、C^c、Si(R2)2、Ge(R2)2、 Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR2、P(=0)(R2)、S0、S02、NR2、0、S或C0NR2代替，并且其中一 个或多个氨原子可被D、F、C1、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60个芳族环原子且在每种情况 下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子且可被一 个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有10至40个芳族环原子且可被一个或 多个R2基团取代的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，或运些基 团中的两种或更多种的组合；同时，两个或更多个Ri基团也可一起形成单环或多环的脂族、 芳族和/或苯并稠合环系； r2 在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R3)2，CN，N〇2，Si(R3)3，B(OR3)2，C (=0他，口（=0)(护)2,5(=0)护，5(=0)2护，0502护，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基 或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的直链締基或烘基基团或者具有3至40个碳原 子的支链或环状的烷基、締基、烘基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一 个或多个R3基团取代，其中一个或多个非相邻C出基团可被R3C = CR3、C^c、Si(R3)2、Ge(R3)2、 Sn(R3)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR3、P(=0)(R3)、S0、S02、NR3、0、S或C0NR3代替，并且其中一 个或多个氨原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60个芳族环原子且在每种情况 下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子且可被一 个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有10至40个芳族环原子且可被一个或 多个R3基团取代的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，或运些基 团中的两种或更多种的组合；同时，两个或更多个相邻的R2基团可一起形成单环或多环的 脂族、芳族和/或苯并稠合环系； R3在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，或者具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或 杂芳族控基基团，其中，一个或多个氨原子也可W被F代替；同时，两个或更多个R3取代基也 可一起形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠合环系； L '在每种情况下相同或不同并且是共配体； 当Μ是银或锭时η是1、2或3，当Μ是销或钮时η是1或2; m是0、1、2、3或4; a、b、c在每种情况下相同或不同并且是0或1，其中a = 0或b = 0或c = 0是指各自的Y基团 不存在，而是Ri基团在每种情况下与相应的碳原子键合，条件是a+b+c > 2; 同时，两个或更多个配体L也可W通过任何桥连基Z彼此连接或L也可W通过任何桥连 基Z连接至L '，由此形成Ξ齿、四齿、五齿或六齿配体体系。2. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于每个环有零或一个符号是N并且其它符号 X 是 CRi。3. 根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于在式(A)的基团中，标记a、b和C中的两 个=1并且第Ξ个标记=0。4. 根据权利要求1~3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于A基团在每种情况下 相同或不同并且选自式(A-l)、(A-2)和(A-3)的基团其中Y是c(ri)2、nri、o或S，X优选是CRi，并且使用的其它符号具有在权利要求1中给出的 定义。5. 根据权利要求1~4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于A基团在每种情况下 相同或不同并且选自式(A-化）、(A-2b)和(A-3b)的基团其中使用的符号具有在权利要求1中给出的定义。6. 根据权利要求1~5中的一项或多项所述的化合物，其特征在于使用的符号和标记如 下： Μ是银或销； A在每种情况下相同或不同并且是根据权利要求4所述的式(Α-1)或(Α-2)或(Α-3)的基 团； X在每种情况下相同或不同并且是CRi; Q在每种情况下相同或不同并且是R1c=CR1或RiC=N; V在每种情况下相同或不同并且是〇、S或NRi; Y在每种情况下相同或不同并且是c(ri)2、nri或0。7. 根据权利要求1~6中的一项或多项所述的化合物，其特征在于使用的符号和标记如 下： Μ是银； A在每种情况下相同或不同并且是根据权利要求5所述的式(Α-化)或(A-2b)或(A-3b) 的基团； X在每种情况下相同或不同并且是CRi; Q在每种情况下相同或不同并且是r1c=cri; V是S; Y在每种情况下相同或不同并且是c(ri)2，nri或0。8. 根据权利要求1~7中的一项或多项所述的化合物，其特征在于相邻的Ri基团一起形 成环，其中所述式(2)或(3)的子结构选自式(4-1)、（4-2)、（4-3)、（4-4)、巧-1)、巧-2)和(5- 3)的子结构其中使用的符号和标记具有在权利要求1中给出的定义。9.根据权利要求1~8中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，代替所述Ri基团中的 一个，存在桥连Z单元，并且所述化合物选自式(6)~(9)其中使用的符号具有在权利要求1中给出的定义，并且z是如下的桥连单元，该桥连单 元含有1~80个来自第Ξ、第四、第五和/或第六主族的原子或3~6元碳环或杂环，所述桥连 单元将子配体L彼此共价键合或将L共价键合至L'。10. 根据权利要求1~9中的一项或多项所述的化合物，其特征在于L'选自一氧化碳，一 氧化氮，烷基氯，芳基氯，烷基异氯，芳基异氯，胺，麟，亚憐酸醋，肿，縣，含氮杂环化合物，碳 締，氨阴离子，気阴离子，面阴离子F、Cr、Br-和厂，烷基或芳基烘阴离子，氯阴离子，氯酸阴 离子，异氯酸阴离子，硫氯酸阴离子，异硫氯酸阴离子，脂族或芳族醇阴离子，脂族或芳族硫 醇阴离子，氨阴离子，簇酸阴离子，芳基基团，〇2^s2-，碳阴离子，氮締，二胺，亚胺，二麟，衍 生自1,3-二酬的1,3-二酬阴离子，衍生自3-酬酸醋的3-酬阴离子，衍生自氨基簇酸的簇酸 阴离子，衍生自水杨亚胺的水杨亚胺阴离子，二醇阴离子，二硫醇阴离子，含氮杂环化合物 的棚酸阴离子和二齿单阴离子配体，其和所述金属一起形成具有至少一个金属-碳键的环 金属化五元环或六元环。11. 用于制备根据权利要求1~10中的一项或多项所述的化合物的方法，所述方法包括 相应的自由配体与式巧5)的金属醇盐、与式(56)的金属二酬化物、与式巧7)的金属面化物、 与式(58)的二聚金属络合物或与带有醇阴离子和/或面阴离子和/或径基基团W及二酬阴 离子基团的金属化合物反应其中符号M、m、n和Ri具有在权利要求1中给出的定义，并且Hal =F、C1、化或I。12. -种制剂，其包含至少一种根据权利要求1~10中的一项或多项所述的化合物和至 少一种溶剂。13. 根据权利要求1至10中的一项或多项所述的化合物或者根据权利要求12所述的制 剂在电子器件中的、或者用于产生单重态氧的、在光催化中的或在氧传感器中的用途。14. 一种电子器件，其包含至少一种根据权利要求1~10中的一项或多项所述的化合 物，所述电子器件优选选自有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄 膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场巧焰 器件、发光电化学电池和有机激光二极管。15. 根据权利要求14所述的电子器件，所述电子器件是有机电致发光器件，其特征在于 根据权利要求1~10中的一项或多项所述的化合物在一个或多个发光层中用作发光化合 物，其任选与基质材料组合使用。
【专利摘要】本发明涉及用于电子器件的金属络合物和涉及包含这些金属络合物尤其作为发光体的电子器件，特别是有机电致发光器件。所请求保护的化合物具有式：M(L)n(L’)m式(1)，其中通式(1)的化合物含有式(2)或式(3)的子结构M(L)n，其中A在每种情况下相同或不同并且是下式(A)的基团。本发明还请求保护制备这种化合物的方法，所述方法中的一种通过实施例(I)示出。
【IPC分类】H05B33/14, C07F15/00, H01L51/50, C09K11/00
【公开号】CN105555792
【申请号】CN201480051250
【发明人】安娜·阿耶, 多米尼克·约斯滕, 霍尔格·海尔, 雷米·马努克·安米安, 克莱尔·德诺南古
【申请人】默克专利有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年8月19日
【公告号】EP3046927A1, WO2015039723A1, WO2015039723A8