r>[0034] 其中发射光谱ES455的面积比A 0. 6,如通过以下方程式测定
[0035] Ar= Ap1/AP2〇
[0036] 本发明提供磷光体，其包含：由式（1)表不的无机发光化合物
[0037] M(I)cM(II)aSi5NxCyO z=Eu 2+b (1)
[0038] 其中M(I)是从由以下组成的群组中选出的单价物质：Li、Na、K、F、Cl、Br和I ;其 中M(II)是从由以下中的至少一者组成的群组中选出的二价阳离子：Mg、Ca、Sr和Ba;其中 1. 7 彡 a 彡 2 ;0 < b 彡 0· 1 ;0 彡 c 彡 0· 1 ;5 彡 X 彡 8 ;0· 01 彡 y 彡 1. 5 ;0· 01 彡 z 彡 5 ;并 且y辛z ;其中磷光体在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发射光谱ES455;其中发射光 谱ES455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中第一高斯发射曲线具有第 一高斯发射曲线峰值P 1;其中第一高斯发射曲线峰值P :在峰值1峰值波长P λ "处具有峰 值1高度Hpi;其中第二高斯发射曲线具有第二高斯发射曲线峰值P 2;其中第二高斯发射曲 线峰值P2在峰值2峰值波长P λ Ρ2处具有峰值2高度H Ρ2;其中P λ P1< P λ Ρ2;其中发射光 谱ES455的峰值比Pr^ 1，如通过以下方程式测定
[0039] PR=HP1/HP2〇
[0040] 本发明提供磷光体，其包含：由式（I)表示的无机发光化合物
[0041] M(I)cM(II)aSi5NxCyO z=Eu 2+b (1)
[0042] 其中M(I)是从由以下组成的群组中选出的单价物质：Li、Na、K、F、Cl、Br和I ;其 中 M(II)是 Sr ;其中 1.7彡a彡 2 ;0<b<0. 1 ;0彡 c彡0· 1 ;5彡X彡8 ;0.01 彡y 彡 1.5 ; 0. 01彡z彡5 ;并且y辛z ;其中磷光体在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发射光谱 ES455;其中发射光谱ES 455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中第一高斯 发射曲线具有第一高斯发射曲线峰值P 1;其中第一高斯发射曲线峰值P1在峰值1峰值波长 P λ P1处具有峰值1高度Hpi;其中第二高斯发射曲线具有第二高斯发射曲线峰值P 2;其中第 二高斯发射曲线峰值P2在峰值2峰值波长P λ P2处具有峰值2高度Hp2;其中P λ P1< P λ P2; 其中发射光谱ES455的峰值比P 1，如通过以下方程式测定
[0043] PR=HP1/HP2〇
[0044] 本发明提供磷光体，其包含：由式（1)表示的无机发光化合物
[0045] M(I)cM(II)aSi5NxCyO z=Eu 2+b (1)
[0046] 其中M(I)是从由以下组成的群组中选出的单价物质：Li、Na、K、F、Cl、Br和I ;其 中M(II)是从由以下中的至少一者组成的群组中选出的二价阳离子：Mg、Ca、Sr和Ba;其中 1.7彡a彡2;0<b<0.1;0彡c彡0.1;5彡X彡8;0彡y彡1.5;0彡z彡5 ;其中磷光 体在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发射光谱ES455;其中发射光谱ES 455可解析成第 一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中第一高斯发射曲线具有第一高斯发射曲线峰值 P1;其中第一高斯发射曲线峰值P i在峰值1峰值波长P λ P1处具有峰值1高度Hpi;其中第二 高斯发射曲线具有第二高斯发射曲线峰值P 2;其中第二高斯发射曲线峰值P2在峰值2峰值 波长P λ P2处具有峰值2高度Hp2;其中P λ P1< P λ P2;其中发射光谱ES 455的峰值比P 1， 如通过以下方程式测定
[0047] Pr= HP1/HP2;和，
[0048] 其中磷光体在用具有453nm波长的单色光激励时呈现发射光谱ES453;其中发射光 谱ES 453的整体半幅值全宽FWHM OTCTall< 90nm并且基于CIE 1931色度图，CIE x> 0. 625。
[0049] 本发明提供照明设备，其包含：光源，其中所述光源产生具有源发光光谱的光；和 第一源发光光谱改质剂，其中所述第一源发光光谱改质剂是根据本发明的磷光体；其中磷 光体以福射方式与光源偶合。
【具体实施方式】
[0050] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"ES455"是由既定发光化合物（例如磷 光体）在用具有455nm波长的单色光激励时呈现的发射光谱。
[0051] 如本文中和所附权利要求书中所用术语"ES453"是由既定发光化合物（例如磷光 体）在用具有453nm波长的单色光激励时呈现的发射光谱。
[0052] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"第一高斯发射曲线"和"第二高斯发射 曲线"是指使用具有2个来自发射光谱ES 455的对称高斯频带的GRAMS峰值拟合软件解析的 两个高斯发射曲线，其由通常由式（1)表示的无机发光化合物在用具有455nm波长的单色 光激励时呈现，使用光谱解析率< I. 5nm的光谱仪观测。
[0053] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"第一高斯发射曲线峰值"是第一高斯 发射曲线在与第二高斯发射曲线峰值相比较高的能量处的峰值。
[0054] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值1高度"或"HP1 "是第一高斯发射 曲线在第一高斯发射曲线峰值处的高度。
[0055] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值1峰值波长"或"Ρλρ1 "是与第一 高斯发射曲线峰值对应的波长。
[0056] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值1面积"或"ΑΡ1 "是第一高斯发射 曲线峰值下的面积。
[0057] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"第二高斯发射曲线峰值"是第二高斯 发射曲线在与第一高斯发射曲线峰值相比较低能量下的峰值。
[0058] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值2高度"或"ΗΡ2"是第二高斯发射 曲线在第二高斯发射曲线峰值处的高度。
[0059] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值2峰值波长"或"Ρ λ Ρ2"是与第二 高斯发射曲线峰值对应的波长。
[0060] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值2半幅值全宽"或"FWHMP2"是第 二高斯发射曲线的半幅值全宽，其中P λ P1< P λ P2。
[0061] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值2面积"或"AP2"是第二高斯发射 曲线下的面积。
[0062] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"峰值比"或"PR"是峰值1高度H pi与峰 值2高度Hp2的比率，如由以下方程式测定
[0063] Hr=H P1/HP2;
[0064] 其中 Ρλρι<Ρλρ2〇
[0065] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"面积比"或"AR"是峰值1面积A pi与峰 值2面积Ap2的比率，如由以下方程式测定
[0066] Ar= A p1/AP2 ；
[0067] 其中 ρλρι<Ρλρ2〇
[0068] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"CIEX"意指基于CIE 1931色度图的发 光化合物的发射光谱（即ES455或ES 453)的X色度座标。
[0069] 如本文中和所附权利要求书中所用的术语"CIEY"意指基于CIE 1931色度图的发 光化合物的发射光谱（即ES455或ES 453)的y色度座标。
[0070] 已知每个并入通常由式（1)表示的无机物质中的Eu2+阳离子可占据主体晶格内的 取代或插入位置。举例来说，并入通常由式（1)表示的无机物质中的Eu 2+阳离子可取代到 由M(II)二价阳离子（即Mg2+、Ca2+、Sr 2+或Ba2+)以其它方式占据的主体晶格位点中。这类 位点特异性取代是作为置换M(II)二价阳离子的具有相同氧化态的Eu 2+阳离子以及具有类 似离子半径（6-座标Sr2+，1.18 A; 6-座标Eu2+, 1.17 A )的Eu2+阳离子的结果。
[0071] pcLED装置的设计者明显知道人眼如何对电磁波谱起反应以及所述反应如何转换 成合并的PcLED装置的效能和功效。也就是说，pcLED装置的设计者将认识到人眼将不会对 由处于亮光反应曲线下面积外部的装置发出的发射光谱敏感。因此，这些设计者将认识到 用于pcLED装置的磷光体的合适性，所述磷光体在亮光反应曲线下提供尽可能多的发射光 谱同时仍提供用于既定装置设计的基于CIE 1931色度图的合适的颜色座标CIE#P CIE γ。
[0072] 意外发现通常由式（1)表示的常规物质在用具有455nm波长的单色光激励时呈现 发射光谱ES 455;其中发射光谱ES 455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中 第一高斯发射曲线具有第一高斯发射曲线峰值P 1;其中第一高斯发射曲线峰值P :具有峰值 1高度Hpi、峰值1峰值波长P λ P1和峰值1面积Api;其中第二高斯发射曲线具有第二高斯发 射曲线峰值P 2;其中第二高斯发射曲线峰值P 2具有峰值2高度H P2、峰值2峰值波长P λ P2、 峰值2面积Ap2以及峰值2半幅值全宽FWHM P2;其中P λ P1< P λ P2。相信第一高斯发射曲线 和第二高斯发射曲线对应于通常由式（1)表示的常规物质中由Eu2+占据的不同位置。鉴于 这一认识，以下结论变得显而易见：用于提供最小化峰值2高度H p2;最小化峰值2半幅值全 宽FWHMp2;和最小化峰值2面积A P2中的至少一者的这些物质的改质可通过将人眼可见区域 中的发射最大化而引起由被改质物质在用具有455nm波长的单色光激励时发出