的光的亮 度显著增加。
[0073] 通过在坩埚中烧制成分原料粉末来制备通常由式（1)表示的常规无机物质，其中 坩埚的内表面与预先通过在高温下重复暴露于硅来源而处理的原料粉末接触。而且，通常 由式（1)表示的常规物质在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发射光谱ES 455;其中发 射光谱ES455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中第一高斯发射曲线具 有第一高斯发射曲线峰值P 1;其中第一高斯发射曲线峰值P :具有峰值1高度Hpi、峰值1峰 值波长P λ P1和峰值1面积Api;其中第二高斯发射曲线具有第二高斯发射曲线峰值P 2;其中 第二高斯发射曲线峰值匕具有峰值2高度H P2、峰值2峰值波长P λ P2、峰值2面积Ap2，以及 峰值2半幅值全宽FWHMp2;其中P λ P1< P λ P2;并且其中，峰值KP R< 1，如通过以下方程式 测定
[0074] PR=HP1/HP2〇
[0075] 意外发现由式（1)表示的磷光体在通过在坩埚中烧制成分原料粉末制备时，其中 与原料粉末接触的坩埚表面是由原生金属表面（即尚未通过在高温下重复暴露于硅来源 而处理的表面）组成，所述原生金属表面在亮度显著增加时呈现整体发射频带变窄。相信 亮度的增加至少部分归因于通过本发明的磷光体的晶体结构中Eu 2+的位置和键结环境的 操作进行的磷光体的结构变化，其由以下中的至少一者证明：（i)峰值2高度Hp2相对于峰 值1高度H pi降低；其中峰值比P I ; (ii)峰值2半幅值全宽FWHMp2降低；其中FWHMp2 < IOOnm ;以及（iii)峰值2面积Ap2相对于峰值1面积A P1降低；其中面积比A 0. 6。
[0076] 优选的是，本发明的磷光体包含：由式（1)表示的无机发光化合物
[0077] M(I)cM(II)aSi5NxCyO z=Eu 2+b (1)
[0078] 其中M(I)是从由以下组成的群组中选出的单价物质：Li、Na、K、F、Cl、Br和 I (优选是Li、Na和F ;最优选是Li和F);其中M(II)是从由以下中的至少一者组成的群 组中选出的二价阳离子：Mg、Ca、Sr和Ba(优选是Ca、Sr和Ba;更优选是Ca和Sr ;最优 选是Sr);其中L 7彡a彡2(优选L 7彡a彡L 999 ;更优选L 8彡a彡L 995 ;最优选 1.85彡3彡1.97);0<13彡0.1(优选0.001彡13彡0.1;更优选0.005彡13彡0.08 ;最优选 0· 02彡b彡0· 06) ;0彡c彡0· 1 ;5彡X彡8 (优选5. 5彡X彡7. 8 ;更优选6彡X彡7. 5 ; 最优选6. 25彡X彡7. 25) ;0彡y彡1. 5 (优选0· 005彡y彡1. 5 ;更优选0· 01彡y彡1. 25 ; 最优选0· 02 < y彡0· 1) ;0彡z彡5 (优选0· 005彡z彡5 ;更优选0· 01彡z彡2. 5 ;最优 选0. 05彡Z彡0. 5);(优选的是，其中y辛z);其中磷光体在用具有455nm波长的单色光 激励是呈现发射光谱ES455;其中发射光谱ES 455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发 射曲线；其中第一高斯发射曲线具有第一高斯发射曲线峰值P 1;其中第一高斯发射曲线峰 值P1在峰值1峰值波长P λ P1处具有峰值1高度H P1;其中第二高斯发射曲线具有第二高斯 发射曲线峰值P2;其中第二高斯发射曲线峰值P 2在峰值2峰值波长P λ P2处具有峰值2高 度Hp2;其中P λ P1< P λ P2;其中发射光谱ES 455的峰值比P 1 (优选是1到10 ;更优选是 1到5 ;最优选是1到2)，如通过以下方程式测定
[0079] PR=HP1/HP2〇
[0080] 优选的是，本发明的磷光体包含：由式（1)表示的无机发光化合物
[0081] M(I)cM(II)aSi5NxCyO z=Eu 2+b (1)
[0082] 其中M(I)是从由以下组成的群组中选出的单价物质：Li、Na、K、F、Cl、Br和 I (优选是Li、Na和F ;最优选是Li和F);其中M(II)是从由以下组成的群组中选出的 二价阳离子：Sr和Sr与Mg、Ca和Ba中的至少一者的组合（最优选的是，其中M(II) 是Sr);其中L 7彡a彡2(优选L 7彡a彡L 999 ;更优选L 8彡a彡L 995 ;最优选 1. 85彡a彡1. 97) ;0 < b彡0· 1 (优选0· 001彡b彡0· 1 ;更优选0· 005彡b彡0· 08 ;最优 选0· 02 < b彡0· 06) ;0彡c彡0· 1 ;5彡X彡8 (优选5. 5彡X彡7. 8 ;更优选6彡X彡7. 5 ; 最优选6. 25彡X彡7. 25) ;0彡y彡1. 5 (优选0· 005彡y彡1. 5 ;更优选0· 01彡y彡1. 25 ; 最优选0· 02彡y彡0· 1) ;0彡z彡5 (优选0· 005彡z彡5 ;更优选0· 01彡z彡2. 5 ;最优 选0. 05彡z彡0. 5);(优选的是，其中y辛z);其中磷光体在用具有455nm波长的单色光 激励时呈现发射光谱ES455;其中发射光谱ES 455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发 射曲线；其中第一高斯发射曲线具有第一高斯发射曲线峰值P 1;其中第一高斯发射曲线峰 值P1在峰值1峰值波长P λ P1处具有峰值1高度H P1;其中第二高斯发射曲线具有第二高斯 发射曲线峰值P2;其中第二高斯发射曲线峰值P 2在峰值2峰值波长P λ P2处具有峰值2高 度Hp2;其中P λ P1< P λ P2;其中发射光谱ES 455的峰值比P 1 (优选是1到10 ;更优选是 1到5 ;最优选是1到2)，如通过以下方程式测定
[0083] PR=HP1/HP2〇
[0084] 优选的是，本发明的磷光体包含：由式（1)表示的无机发光化合物
[0085] M(I)cM(II)aSi5NxCyO z=Eu 2+b (1)
[0086] 其中M(I)是从由以下组成的群组中选出的单价物质：Li、Na、K、F、Cl、Br和 I (优选是Li、Na和F ;最优选是Li和F);其中M(II)是从由以下组成的群组中选出的 二价阳离子：Sr和Sr与Mg、Ca和Ba中的至少一者的组合（最优选的是，其中M(II) 是Sr);其中L 7彡a彡2(优选L 7彡a彡L 999 ;更优选L 8彡a彡L 995 ;最优选 1. 85彡a彡1. 97) ;0 < b彡0· 1 (优选0· 001彡b彡0· 1 ;更优选0· 005彡b彡0· 08 ;最优 选0· 02 < b彡0· 06) ;0彡c彡0· 1 ;5彡X彡8 (优选5. 5彡X彡7. 8 ;更优选6彡X彡7. 5 ; 最优选6. 25彡X彡7. 25) ;0彡y彡1. 5 (优选0· 005彡y彡1. 5 ;更优选0· 01彡y彡1. 25 ; 最优选0· 02彡y彡0· 1) ;0彡z彡5 (优选0· 005彡z彡5 ;更优选0· 01彡z彡2. 5 ;最优 选0. 05彡z彡0. 5);其中y辛z ;其中磷光体在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发 射光谱ES455;其中发射光谱ES 455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中第 一高斯发射曲线具有第一高斯发射曲线峰值P 1;其中第一高斯发射曲线峰值P1在峰值1峰 值波长P λΡ1处具有峰值1高度HP1;其中第二高斯发射曲线具有第二高斯发射曲线峰值P2; 其中第二高斯发射曲线峰值P2在峰值2峰值波长P λ P2处具有峰值2高度Hp2;其中P λ P1 < P λ P2;其中发射光谱ES 455的峰值比P I (优选是1到10 ;更优选是1到5 ;最优选的I 到2)，如通过以下方程式测定
[0087] PR=HP1/HP2〇
[0088] 优选的是，本发明的磷光体在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发射光谱 ES455;其中发射光谱ES 455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中第一高斯 发射曲线具有峰值1峰值波长P λ P1;其中第二高斯发射曲线具有峰值2峰值波长P λ P2，并 且半幅值全宽FWHMP2< 100nm(优选彡99nm ;更优选彡98nm ;最优选彡97nm);其中P λ P1 < P λ ρ2〇
[0089] 优选的是，本发明的磷光体在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发射光谱 ES455;其中发射光谱ES 455可解析成第一高斯发射曲线和第二高斯发射曲线；其中第一高斯 发射曲线具有峰值1峰值波长P λ P1和峰值1面积Api;其中第二高斯发射曲线具有峰值2 峰值波长P λ P2和峰值2面积Ap2;其中P λ P1< P λ P2;并且，其中发射光谱ES 455的面积比 AR> 0. 6 (优选是0. 6到10 ;更优选是0. 6到5 ;最优选是0. 6到1)，如通过以下方程式测 定
[0090] Ar= Ap1/AP2〇
[0091] 优选的是，本发明的磷光体在用具有453nm波长的单色光激励时呈现发射光谱 ES453;其中发射光谱ES 453的整体半幅值全宽FWHM_rall< 90nm(优选< 85nm)并且基于CIE 1931色度图，CIEX> 0.625(优选> 0.627 ;更优选> 0.630)。更优选的是，本发明的磷光 体在用具有453nm波长的单色光激励时呈现发射光谱ES453;其中发射光谱ES 453的整体半 幅值全宽90nm(优选< 85nm)并且基于CIE 1931色度图，CIE x> 0. 625(优 选> 0.627 ;更优选> 0.630);并且，其中磷光体呈现高发光（优选流明彡210% ;更优选 彡220% ;最优选彡225% )，如在实例中阐述的条件下测量。