专利名称：一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法
技术领域：
本发明属于光电半导体材料制造领域，具体涉及一种掺杂Mg、 Mn或Cu的GaN 纳米粉体的制备方法。
背景技术：
氮化镓(GaN)属于III V族化合物，具有a-GaN (六方纤锌矿)、P"GaN (立 方闪锌矿)和岩盐矿型GaN三种晶型，其中ct"GaN具有实用价值。纳米级a ~GaN 的禁带宽度(E=3. 39eV)宽，是制备大体积GaN材料的基础，而掺杂的纳米a -GaN 可用于帝恪包封材料，在实现光电器件的小型化、长寿命等方面更具应用价值。
迄今为止，GaN材料主要有三大研究方向大体积的GaN半导体器件、GaN外 延薄膜和掺杂的纳米GaN器件。在单晶体GaN的生长中，液相几乎都是以高压镍 基釜为容器，2005年，Buguo Wang等[Buguo Wang, M.J. Callahan, K. D. Rakes， etc. Journal of Crystal Growth, 2006， vol (287): 376 -380]在丽2-NHs条 件下于400-600度之间水热3周得到10X10X 1咖3的GaN单晶。GaN外延薄膜一 般采用分子束外延(MBE)、金属有机物气相沉积(MOCVD)和磁控溅射等方法制得， 这些方法同时也用于制备掺杂的GaN外延层，其工艺中常引入缓冲层以解决外延 层与基体的失配问题。在纳米GaN制备方面，由于GaN器件较小， 一般以湿法制 备含镓前驱体。山东大学半导体实验室[YuxinWu， Chengshan Xue, Huizhao Zhuang， etc. Applied Surface Science, 2006， vol (253): 485 - 487]以乙醇镓制得的Ga203 凝胶为原料，在1000度氨化得到了单晶结构的纳米棒；北京理工大学的材料中心 [Hailin Qiu, Chuanbao Cao， Hesun Zhu. Materials Science and Engineering B, 2007， vol (136): 33 - 36]利用Ga(N03)3溶胶-凝胶后氨化得到11±3 nm的GaN颗粒。单分散和高密度的纳米GaN可通过sol-gel法由Si干凝胶原位合成得到， 美国、中国、波兰等国的学者分别利用Ga(N03)3制成的硅凝胶来制备GaN纳米颗 粒，Yi Yang等[Yi Yang, Cindy Tran， Valerie L印pert. Materials Letters, 2000， vol (43): 240 - 243]以四甲氧基硅烷为溶剂制得了 5nm左右的纳米GaN颗 粒；而Hailin Qiu等[Hailin Qiu， Chuanbao Cao， Dazhi Wang， etc. Materials Chemistry and Physics, 2006， vol (96): 296 - 300]利用四乙基硅烷为溶剂制得 了3-8nm的纳米GaN颗粒。
在离子掺^GaN纳米器件中，p型掺杂一般采用Mn、 Mg、 Co、 Ni等过渡金属元 素，工艺大多为M0CVD、磁控溅射等，其制品都是GaN的外延层；相较之下，关于 Cu掺^GaN的制备则较少，2007年，韩国学者[Han-Kyu Seong， Jae-Young Kim, Ju-Jin Kim. NAN0 LETTERS, 2007, vol (7): 3366-3371]报导了Cu在GaN中的 磁性能。2008年日本学者Shinichi Kikkawa等[Shinichi Kikkawa， Shinji Ohtaki， Takashi Takeda. Journal of Alloys and Compounds s， 2008， vol (450): 152 - 156] 禾佣Mn、 Ga硝酸盐和柠檬酸的混合水溶液蒸发得到的混合凝胶在750 850度之间 得到了 (Ga， Mn) N纳米GaN。到目前为止，几乎没有利用湿法沉淀制备的含镓前 驱体来氨化得到掺杂GaN颗粒的报导。
发明内容
本发明的目的是提出一种不仅制备成本低、环境友好，而且操作简单、反应 周期短的氨化湿法沉淀制备掺杂Mg， Mn或Cu的GaN纳米粉体的方法。 技术方案
本发明的具体方法如下
1)首先，将分析纯的Mg0、 Mn(N03)2或Cu0与硝酸镓Ga(N03)3按0.01-0.1: 1 的摩尔比加入蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga3+浓度为0. 01mol/L 0. 02mol/L 的透明溶液，所得溶液记为A;2) 然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6 7倍分析纯的无水乙醇， 此时得到的混合溶液记为B;
3) 在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为5. 5 6，有乳白色絮 凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6 7.5,形成前驱物溶液，所得溶液记为 C;
4) 将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液，然 后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;
5) 将前驱体D于400。C煅烧4h，得到粉体E;
6) 对粉体E进行氨化处理，起始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为 24L/h，升温至500。C时切换为纯度为99. 9%的肌，流量为16L/h,加热至950 。C 1050。C保温lh，再以氨气保护冷却至500。C后随炉自然冷却即得掺杂Mg， Mn 或Cu的GaN纳米粉体。
本发明采用湿法沉积制备得到掺杂的含Ga前驱体，其非晶的结构与之前的湿 法制备的前驱体不同，氨化后根据掺杂元素的不同，得到了不同元素掺杂的GaN 纳米粉体，这些掺杂的GaN纳米粉体可以作为包封材料使用，同样的方法也可以 用来生产未掺杂的GaN纳米晶粒作为晶体生长的晶种。此方法设备简单，操作简 便，无需昂贵的装置，可低成本高效的得到掺杂GaN纳米粉体。
图1为本发明帝恪的含Ga前驱体未煅烧和400度煅烧后的X-射线衍射(XRD) 图谱，其中横坐标为衍射角2 9 ，单位为o;纵坐标为衍射峰强度，单位为a. u.。
图2为本发明制备的Mg掺杂GaN纳米粉体的X-射线衍射(XRD)图谱，其中 横坐标为衍射角2 6，单位为o;纵坐标为衍射峰强度，单位为cps。
图3为本发明制备的Mg掺杂GaN纳米粉体的X-射线衍射(XRD)图谱，其中 横坐标为衍射角20，单位为o;纵坐标为衍射峰强度，单位为cps。图4为本发明制备的Mn掺杂GaN纳米粉体的X-射线衍射(XRD)图谱，其中 横坐标为衍射角2 0，单位为o;纵坐标为衍射峰强度，单位为cps。
图5为本发明制备的Cu掺杂GaN纳米粉体的X-射线衍射(XRD)图谱，其中 横坐标为衍射角2 9，单位为o;纵坐标为衍射峰强度，单位为cps。
具体实施例方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例l:首先，将分析纯的MgO与硝酸镓Ga(NO3)3按0.02: 1的摩尔比加入 蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga"浓度为0. 01mol/L的透明溶液，所得溶液记 为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6倍分析纯的无水乙醇，此 时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为5. 5， 有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6，形成前驱物溶液，所得溶 液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液， 然后将絮凝状沉淀液在40。C下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于400 。C煆烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理，起 始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至500。C时切换为纯度 为99.9%的肌，流量为16L/h，加热至95(TC保温lh,再以氨气保护冷却至500 'C后随炉自然冷却即得(Ga， Mg) N纳米粉体。
将所得的前驱体C及煅烧后的粉体D用Rigaku(日本理学)D/max - 2200Pc型 自动X射线衍射仪进行物相分析(图1)，前驱体中不含Ga、 Mg有关的峰，煅烧后 仍为非晶态。将(Ga， Mg)N纳米粉体用Rigaku(日本理学)D/max-2200Pc型自动 X射线衍射仪进行物相分析，在该掺杂量下，没有出现与Mg相关的峰，说明这种 方法可以进行Mg的掺杂(图2)。
实施例2:首先，将分析纯的MgO与硝酸镓Ga(N03)3按0.1: 1的摩尔比加入 蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga3+浓度为0.02mol/L的透明溶液，所得溶液记为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积7倍分析纯的无水乙醇，此 时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为6， 有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6.5，形成前驱物溶液，所得 溶液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮 疑状沉淀液， 然后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于400 E煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理，起 始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至50(TC时切换为纯度 为99.9%的肌，流量为16L/h，加热至IOOO'C保温lh，再以氨气保护冷却至500 "C后随炉自然冷却即得(Ga， Mg) N纳米粉体。
将(Ga， Mg) N纳米粉体用Rigaku (日本理学)D/max - 2200Pc型自动X射线衍 射仪进行物相分析，在该掺杂量下，没有出现与Mg相关的峰，说明这种方法可以 进行Mg的掺杂(图3)。
实施例3:首先，将分析纯的Mn(N03)2与硝酸镓Ga(N03)3按0.01: 1的摩尔比 加入蒸馏水中，加热完全溶解后配制成G^+浓度为0. Olmol/L的透明溶液，所得溶 液记为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6. 5倍分析纯的无水乙 醇，此时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH 值为5. 8，有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6. 5，形成前驱物 溶液，所得溶液记为C;将C溶液超声震荡50min,除上层的无水乙醇清液后得絮 凝状沉淀液，然后将絮凝状沉淀液在4CTC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前 驱体D于400。C煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨 化处理，起始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至50(TC时 切换为纯度为99.9%的肌，流量为16L/h，加热至105(TC保温lh,再以氨气保 护冷却至50(TC后随炉自然冷却即得(Ga， Mn) N纳ra体。
实施例4:首先，将分析纯的Mn(N03)2与硝酸镓Ga(N03)3按0.08: 1的摩尔比加入蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga3邻度为0.02mol/L的透明溶液，所得溶 液记为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积7倍分析纯的无水乙醇, 此时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为 5.6，有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为7，形成前驱物溶液，所 得溶液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀 液，然后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于 40(TC煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理， 起始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至50(TC时切换为纯 度为99.9%的肌，流量为16L/h，加热至1020。C保温lh，再以氨气保护冷却至 50(TC后随炉自然冷却即得(Ga， Mn) N纳米粉体。
将(Ga， Mn) N纳米粉体用Rigaku(日本理学)D/max-2200Pc型自动X射线衍 射仪进行物相分析(图4)，在该掺杂量下，没有出现与Mn相关的峰，说明这种方 法可以进行Mn的掺杂。
实施例5:首先，将分析纯的CuO与硝酸镓Ga(N03)3按0.01: 1的摩尔比加入 蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga"浓度为0. Olmol/L的透明溶液，所得溶液记 为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6倍分析纯的无水乙醇，此 时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为6， 有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为7，形成前驱物溶液，所得溶 液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液， 然后将絮凝状沉淀液在4(TC下千燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于400 'C煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内迸行氨化处理，起 始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至50(TC时切换为纯度 为99.9%的肌，流量为16L/h，加热至980。C保温lh，再以氨气保护冷却至500 "C后随炉自然冷却即得(Ga， Cu) N纳米粉体。实施例6:首先，将分析纯的CuO与硝酸镓Ga(N03)3按0.04: 1的摩尔比加入 蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga3+浓度为0.02mol/L的透明溶液，所得溶液记 为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6. 5倍分析纯的无水乙醇， 此时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为 6，有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为7.5，形成前驱物溶液，所 得溶液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀 液，然后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于 40(TC煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理， 起始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至500。C时切换为纯 度为99.9%的肌，流量为16L/h，加热至104(TC保温lh，再以氨气保护冷却至 50(TC后随炉自然冷却即得(Ga， Cu) N纳米粉体。
将(Ga， Cu) N纳米粉体用Rigaku(日本理学)D/max-2200Pc型自动X射线衍 射仪进行物相分析(图5)，在该掺杂量下，没有出现与Cu相关的峰，说明这种方 法可以进行Cu的掺杂。
权利要求
1、一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，其特征在于1)首先，将分析纯的MgO、Mn(NO3)2或CuO与硝酸镓Ga(NO3)3按0.01-0.1∶1的摩尔比加入蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga3+浓度为0.01mol/L～0.02mol/L的透明溶液，所得溶液记为A；2)然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6～7倍分析纯的无水乙醇，此时得到的混合溶液记为B；3)在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为5.5～6，有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6～7.5，形成前驱物溶液，所得溶液记为C；4)将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液，然后将絮凝状沉淀液在40℃下干燥3天，得到反应前驱体D；5)将前驱体D于400℃煅烧4h，得到粉体E；6)对粉体E进行氨化处理，起始保护气体采用流量为24L/h的N2，升温至500℃时切换为流量为16L/h的NH3，加热至950℃～1050℃保温1h，再以氨气保护冷却至500℃后随炉自然冷却即得掺杂Mg，Mn或Cu的GaN纳米颗粒。
2、 根据权利要求1所述的掺杂Mg、 Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，其 特征在于所说的步骤6)中的气体&和NH3的纯度为99. 9%。
3、 根据权利要求l所述的掺杂Mg、 Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，其 特征在于首先，将分析纯的Mg0与硝酸镓Ga(N0丄按0.02: 1的摩尔比加入蒸 馏水中，加热完全溶解后配制成G^+浓度为0. 01mol/L的透明溶液，所得溶液记为 A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6倍分析纯的无水乙醇，此时得 到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为5.5，有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6，形成前驱物溶液，所得溶 液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液， 然后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于400 "C煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理，起 始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h,升温至50(TC时切换为纯度 为99.9%的亂，流量为16L/h，加热至950。C保温lh，再以氨气保护冷却至500 匸后随炉自然冷却即得(Ga， Mg) N纳米粉体。
4、 根据权利要求l所述的掺杂Mg、 Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，其 特征在于首先，将分析纯的MgO与硝酸镓Ga(N03)3按0. 1: 1的摩尔比加入蒸馏 水中，加热完全溶解后配制成GZ浓度为0. 02mol/L的透明溶液，所得溶液记为A; 然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积7倍分析纯的无水乙醇，此时得到的 混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为6,有乳白 色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6.5，形成前驱物溶液，所得溶液记 为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液，然后 将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于40(TC煅烧 4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理，起始保护气 体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至50(TC时切换为纯度为99. 9% 的NH3，流量为16L/h，加热至IOO(TC保温lh，再以氨气保护冷却至50(TC后随 炉自然冷却即得(Ga， Mg) N纳米粉体。
5、 根据权利要求l所述的掺杂Mg、 Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，其 特征在于首先，将分析纯的Mn(N03)2与硝酸镓Ga(N03)3按0.01: 1的摩尔比加入 蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga3+浓度为0.01mol/L的透明溶液，所得溶液记 为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6. 5倍分析纯的无水乙醇， 此时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为/5.8，有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为6.5，形成前驱物溶液， 所得溶液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉 淀液，然后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D 于40(TC煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理， 起始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至500。C时切换为纯 度为99.9%的顺3，流量为16L/h，加热至105(TC保温lh，再以氨气保护冷却至 50(TC后随炉自然冷却即得(Ga， Mn) N纳米粉体。
6、 根据权利要求l所述的掺杂Mg、 Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，其 特征在于首先，将分析纯的Mn(N03)2与硝酸镓Ga(N03)3按0.08: 1的摩尔比加入 蒸馏水中，加热完全溶解后配制成Ga3邻度为0.02mol/L的透明溶液，所得溶液记 为A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积7倍分析纯的无水乙醇，此 时得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为5. 6， 有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为7，形成前驱物溶液，所得溶 液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液， 然后将絮凝状沉淀液在4(TC下千燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于400 。C煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理，起 始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至50(TC时切换为纯度 为99.9%的朋3，流量为16L/h，加热至102(TC保温lh，再以氨气保护冷却至500 nC后随炉自然冷却即得(Ga， Mn) N纳米粉体。
7、 根据权利要求l所述的掺杂Mg、 Mn或Cii的GaN纳米粉体的制备方法，其 特征在于首先，将分析纯的CuO与硝酸镓Ga(N03)3按0.01: 1的摩尔比加入蒸 馏水中，加热完全溶解后配制成Ga"浓度为0. Olmol/L的透明溶液，所得溶液记为 A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6倍分析纯的无水乙醇，此时得 到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为6，有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至PH值为7，形成前驱物溶液，所得溶液 记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液，然 后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于40(TC煅 烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理，起始保 护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至500。C时切换为纯度为99. 9% 的NHa，流量为16L/h，加热至98(TC保温lh,再以氨气保护冷却至50(TC后随炉 自然冷却即得(Ga， Cu) N纳米粉体。
8、根据权利要求1所述的掺杂Mg、 Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，其 特征在于首先，将分析纯的CuO与硝酸镓Ga(N03)3按0.04: 1的摩尔比加入蒸 馏水中，加热完全溶解后配制成G^+浓度为0. 02mol/L的透明溶液，所得溶液记为 A;然后，向A溶液中加入步骤1)中蒸馏水体积6. 5倍分析纯的无水乙醇，此时 得到的混合溶液记为B;在剧烈搅拌的条件下，向B溶液滴加氨水至pH值为6， 有乳白色絮凝状沉淀产生，继续滴加氨水至pH值为7.5，形成前驱物溶液，所得 溶液记为C;将C溶液超声震荡50min，除上层的无水乙醇清液后得絮凝状沉淀液， 然后将絮凝状沉淀液在4(TC下干燥3天，得到反应前驱体D;将前驱体D于400 r煅烧4h，得到粉体E;将粉体E于GSL-1600X高温管式炉内进行氨化处理，起 始保护气体采用纯度为99. 9%的N2，流量为24L/h，升温至50(TC时切换为纯度 为99.9%的肌，流量为16L/h，加热至104(TC保温lh，再以氨气保护冷却至500 t:后随炉自然冷却即得(Ga， Cu) N纳米粉体。
全文摘要
一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，首先制得不同摩尔配比量的分析纯的Mg、Mn或Cu与硝酸镓Ga(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>的混合溶液，其中Ga<sup>3+</sup>浓度为0.01mol/L～0.02mol/L，再加入容量6～7倍于水溶剂量的分析纯的无水乙醇，调节pH在6～7.5之间，超声震荡得到的非晶结构的前驱体，该前躯体与之前湿法制备的前驱体不同，氨化后根据掺杂元素的不同，可得到了不同元素掺杂的GaN纳米粉体，这些掺杂的GaN纳米粉体可以作为包封材料使用。此方法设备简单，操作简便，无需昂贵的装置，可低成本高效的得到GaN及掺杂GaN纳米粉体。
文档编号B82B3/00GK101624172SQ20091002353
公开日2010年1月13日 申请日期2009年8月7日 优先权日2009年8月7日
发明者朱建锋, 芬 王, 薛小霜 申请人:陕西科技大学